三极管工作原理详解 看完这4点懂了!
最后更新时间： 19:38:22
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作者：Hdwei
三极管工作原理是什么，大神能不能通俗地讲解一下？推荐回答：　对三极管放大作用的理解，切记一点：能量不会无缘无故的产生，所以，三极管一定不会产生能量。但三极管厉害的地方在于：它可以通过小电流去控制大电流。放大的原理就在于：通过小的交流输入，控制大的静态直流。假设三极管是个大坝，这个大坝奇怪的地方是，有两个阀门，一个大阀门，一个小阀门。小阀门可以用人力打开，大阀门很重，人力是打不开的，只能通过小阀门的水力打开。所以，平常的工作流程便是，每当放水的时候，人们就打开小阀门，很小的水流涓涓流出，这涓涓细流冲击大阀门的开关，大阀门随之打开，汹涌的江水滔滔流下。如果不停地改变小阀门开启的大小，那么大阀门也相应地不停改变，假若能严格地按比例改变，那么，完美的控制就完成了。在这里，Ube就是小水流，Uce就是大水流，人就是输入信号。当然，如果把水流比为电流的话，会更确切，因为三极管毕竟是一个电流控制元件。如果某一天，天气很旱，江水没有了，也就是大的水流那边是空的。管理员这时候打开了小阀门，尽管小阀门还是一如既往地冲击大阀门，并使之开启，但因为没有水流的存在，所以，并没有水流出来。这就是三极管中的截止区。饱和区是一样的，因为此时江水达到了很大很大的程度，管理员开的阀门大小已经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全关闭的，没有功耗。一个电路中三极管npn怎么判断是处于放大还是饱和？问题详情：书上说npn三极管要处于放大就要使发射结正偏，集电结反偏，但是时常看其他书上说基极有电流且满足要求就行，比如下面这个图怎么判断三级管处于放大状态推荐回答：判断一个电路中的三极管是工作于放大状态还是饱和状态很简单，你只要用电压表测量三极管集电极与发射极之间的压降即可。这里以常用的NPN型硅三极管为例，你这个图中的三极管电路是典型的共射极放大电路，图中电阻若选值合适，使三极管的基极电压比发射极电压高约0.5-0.7V，并且Rc阻值合适，这时管子的集电极与发射极之间的电压Uce一定＞1V，此时，三极管就工作于线性放大状态。若Rb1、Rb2取值不合适，导致偏置电流Ib过大，这时，三极管的集电极电流Ic便会增大，从而导致Rc上压降增大。若该压降增大到使三极管集电极-发射极之间的电压Uce＜1V，此时三极管便处于饱和状态，从而失去了线性放大作用。若该电压低于0.3V，三极管便处于深度饱和状态。顺便说一下，一般作为线性放大器使用时，都将三极管的Uce选择在 1/2 电源电压处，这样可以获得最大的线性动态范围。三极管驱动继电器时，为何要在继电器线圈两端并联一个二极管？推荐回答：?三极管驱动继电器时，为何要在继电器线圈两端并联一个二极管?答：并联在继电器线圈两端的二极管为续流二极管。其功能应用见下图。上图为三极管驱动继电器电路图。从图中可见继电器并联一支1N4148二极管，并且它是D的负极与Vcc相接，这个电路大家熟知Ⅴcc为工作电源的正极，D的单相导通特性在此充分发挥其功能。它在此电路中的学名称续流二极管。续流二极管经常和储能元件一起使用，防止电压电流突变，（即三极管截止时继电器释放）给继电器电感线圈提供释放反向电流通路。电感可以经过它给负载提供持续的电流，以免负载电流突变，起到平滑电流的作用。在开关电源中，就能见到一个由二极管和电阻串连起来构成的的续流电路。这个电路与变压器原边并联。当开关管关断时，续流电路可以释放掉变压器线圈中储存的能量，防止感应电压过高，击穿开关管。一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管就可以了，用来把线圈产生的反向电势通过电流的形式消耗掉，可见“续流二极管”并不是一个实质的元件，它只不过在电路中起到的作用称做“续流”。一些继电器制造商在出厂时就在继电器内部将二极管安装好了，如欧姆龙，常用于PLC控制电路中，非常方便，注意一点它在线圈两个端子标注了十
一号，接线时一定不能接错，否则续流二极管会烧坏。希望对提问者和广大阅读者有一点帮助。文章中难免有语句不通、错别字、标点符号，请大家谅解。在此谢过大家。知足常乐上海这种类型的三极管怎么测量极性的好坏？问题详情：推荐回答：首先将万用表打到测试二极管端，用万用表的红表笔接触三极管的其中一个管脚，而用万用表另外的那支表笔去测试其余的管脚，直到测试出如下结果：1、如果三极管的黑表笔接其中一个管脚，而用红表笔测其它两个管脚都导通有电压显示，那么此三极管为PNP三极管，且黑表笔所接的脚为三极管的基极B，用上述方法测试时其中万用表的红表笔接其中一个脚的电压稍高，那么此脚为三极管的发射极E，剩下的电压偏低的那个管脚为集电极C。2、如果三极管的红表笔接其中一个管脚，而用黑表笔测其它两个管脚都导通有电压显示，那么此三极管为NPN三极管，且红表笔所接的脚为三极管的基极B，用上述方法测试时其中万用表的黑表笔接其中一个脚的电压稍高，那么此脚为三极管的发射极E，剩下的电压偏低的那个管脚为集电极C。另一种方法是使用hFE挡来进行判断。在确定了三极管的基极和管型后，将三极管的基极按照基极的位置和管型插入到卢值测量孔中，其他两个引脚插入到余下的三个测量孔中的任意两个，观察显示屏上数据的大小，找出三极管的集电极和发射极，交换位置后再测量一下，观察显示屏数值的大小，反复测量四次，对比观察。以所测的数值最大的一次为准，就是三极管的电流放大系数卢，相对应插孔的电极即是三极管的集电极和发射极。三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。一、 三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三极管，图1是它们的电路符号和等效电路。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。由图可见，红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极(参看图1、图2不难理解它的道理)。二、PN结，定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间PN结的方向来确定管子的导电类型(图1)。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。三、顺箭头，偏转大找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致(“顺箭头”)，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。(2) 对于PNP型的三极管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c(参看图1、图3可知)四、 测不出，动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。使用数字万用表判断三极管管脚(图解教程)现在数字式的万用表已经是很普及的电工电子测量工具了，它的使用方便和准确性受到得维修人员和电子爱好者的喜爱。但有朋友会说在测量某些无件时，它不如指针式的万用表，如测三极管。我倒认为数字万用表在测量三极管时更加的方便。以下就是我自己的一些使用经验，我是通常是这样去判断小型的三极管器件的。大家不妨试试看是否好用或是否正确，手头上有一些BC337的三极管，假设不知它是PNP管还是NPN管。我们知道三极管的内部就像二个二极管组合而成的。其形式就像下图。中间的是基极（B极）。首先我们要先找到基极并判断是PNP还是NPN管。看上图可知，对于PNP管的基极是二个负极的共同点，NPN管的基极是二个正极的共同点。这时我们可以用数字万用表的二极管档去测基极，看图3。对于PNP管，当黑表笔（连表内电池负极）在基极上，红表笔去测另两个极时一般为相差不大的较小读数（一般0.5-0.8），如表笔反过来接则为一个较大的读数（一般为1）。对于NPN表来说则是红表笔（连表内电池正极）连在基极上。从图4，图5可以得知，手头上的BC337为NPN管，中间的管脚为基极。图4判断BC337的B极和管型(1)找到基极和知道是什么类型的管子后，就可以来判断发射极和集电极了。如果使用指针式万用表到了这个步可能就要用到两只手了，甚至有朋友会用到嘴舌，可以说是蛮麻烦的。而利用数字表的三?彻?hFE档（hFE测量三极管直流放大倍数）去测就方便多了，当然你也可以省去上面的步骤直接用hFE去测出三极管的管脚极性，则认为还是加上上面的步骤方便准确一些。把万用表打到hFE档上，BC337卑下到NPN的小孔上，B极对上面的B字母。读数，再把它的另二脚反转，再读数。读数较大的那次极性就对上表上所标的字母，这时就对着字母去认BC337的C，E极。学会了，其它的三极管也就一样这样做了，方便快速。来自网摘。仅供参考。为什么三极管的信号是从集电极流出的？问题详情：电流不是流进集电极的吗？推荐回答：对于有源器件不论是电子管，还是半导体器件的电流控制型常用的结型晶体管，以及以电压控制型的场效应器件，虽然各类器件的结构不太一样，但工作原理是基本一致的，而且电路的结构形式也非常相似。所谓有源器件那就是要想让其按照你的意图完成某种功能，必须要给它提供工作的条件，那就是电源没有电源这个条件它是不可能正常工作的。由于电子管这样的有源器件目前的应用范围在不断的缩小，在此只是粗略的说一下它的结构，在此着重介绍当前应用广范的电流控制型器件，也可以说的结型半导体器件以及场效应器件，上述电子器件的共同之处就是分别都有三个电极也就是电子管的栅极、阳极、阴极。晶体管的基极、集电极、发射极。效应管的栅极、漏极、源极。在上述三种器件的排列中栅极与基极功能是一致的，排列第二的阳极、集电极、漏极是同样的功能，最后的阴极、发射极、源极功能也是一样的，所不同的只是后两种的半导体器件与电子管相比，半导体器件由于制造材料与生产工艺的不同，就有了电路应用极性的区别，也就是；电子管的阳极要接电源的正极，阴极接电源的负极；NPN型晶体管的集电极接正极，发射极接负极，PNP型晶体管的集电极接负极，发射极接正极；N沟道场效应管的漏极接正极，其源极接负极，P沟道场效应管的漏极接负极，其源极接正极。关于基极与栅极的联接则根据工作方式与器件的极性特点来决定，通常的放大电路应用中电子管的栅极，与N沟道场效应器件的栅极上与阴极、源极之间是要给它们提供一定的负电压，这就是它的工作点。对于通常应用的电流控制型晶体管则要给它的基极一定的偏置电流。上述器件电源的接法已经列出，接下来再谈谈各的电路结构形式，电子管有共阴极电路，栅极是信号的输入端，阳极是信号的输出端，阴极就是信号输入输出的公共端因此名曰“共阴极”电路。在晶体管的应用电路里也有与电子管相同的应用电路，不管是用于信号的放大、振荡、还是开关等下面先以NPN晶体管为例作一下介绍。晶体管共发射极电路，集电极接电源的正极，发射极接电源的负极，信号由基极输入，由集电极输出，发射极就成了信号输入输出的公共端，因此这就是“共发射极”电路。关于PNP晶体管电路只是电源极性不同而已。晶体管共集电极电路，这种电路的输出是发射极，集电极在信号方面是直接接“地”也就输入输出的公共端，信号的输入仍然是基极。晶体管共基极电路，信号由发射极输入，由集电极输出，基极就成了信号输出与输出的公共端。当你查阅晶体管手册的时就发现fa的参数这就是共基极电路的截止频率，它比共发射极以及共集电极电路工作频率都要高。虽然该电路放大能力用限，但是这种电路高频放的频率特性较好，而且输入阻抗低，可与较低输入阻抗的天线系统容易匹配，输出阻抗高又能对输出电路选频回路影响较小，使高频输入电路的选择性就能有很大的提高。在共发射极放大电路中，三极管会放大直流电，那么它会放大到交流电吗？问题详情：是如何放大的？希望能够得到我满意的答案。谢谢，第一次在上提问。图片中漏掉了一点，三极管会放大从b极输入的交流信吗？推荐回答：?在共发射极放大电路中，三极管放大直流电，那么它会放大交流电吗?是如何放大的?答：共发射极放大电路可以放大交流信号。请看下图上图为较典型的共发射极交流信号放大电路。先介绍电路元件的名称、阻值、电容的电容量。1、Q1为NPN型BC847低频放大三极管。2、Ⅴ1为交流信号源或者低频信号发生器。3、C2为10uf隔直通交电解电容。4、R3为Q1的上偏置电阻或者叫上拉电阻，电阻值10K（千欧）。5、R4为Q1的下偏置电阻或者叫下拉电阻，电阻值10K（千欧）。6、Vcc为放大电路供电电压的正极，与信号源的公共GND（负极）形成一个完整电源回路。7、R1为三极管集电极负载电阻，电阻值为10k（千欧）。8、R2为三极管电阻，稳定三极管静态、动态的工作电流（负反馈），电阻值为10欧姆。9、C1为三极管输出藕合电解电容，电容量为10uf。10、RL为集电极输出的负载电阻，电阻值为10k（千欧）。在共发射极放大电路中，输入信号是由三极管的基极与发射极两端输入的（在上图里看），再在交流通路里看，输出信号由三极管的集电极和发射极获得。因为对交流信号而言，（即交流通路里）发射极是共同端，所以称为共发射极放大电路。大家知道NPN型三极管在放大区的基极电压为0.65V，低于0.65V时三极管处于截止区，高于0.65V时三极管处于饱和区。此时调整三极管的上偏置电阻阻值，使其Q1的b极电位刚好在信号放大区为佳。不管如今数字开关、放大电路其基本的鼻祖都必须搞清楚。这里面顺便说一下，从Q1的集电极C输出的信号波形与Q1的基极b为同相位，如果改成从Q1发射集e输出时，信号是反相180度的。三极的实验用晶体管图示仪可清楚看到它是非线性元件，有条件的情况下自己可以亲自做一个试验用座标图记录下来，加深印像，此试验本人在三十五年前用JAPAN双综示波器做的，如今记忆犹新。希望对提问者和阅者有点帮助，本人水平有限，难免有缺点望高人指点共同学习为谢。知足常乐上海空气开关哪种接入220V交流电的方法是正确的？为何空气开关会有静态耗电？问题详情：空气开关接线时，我见有的是“左零右火”，有的是“左火右零”，究竟哪种接线方法是正确的？另外，实测一个德力西63A的空气开关在（如图所示），当接线是“左零右火”是，数字万用表交流电流挡显示的电流是4.3μA（开关输出端为空载），而接线为“左火右零”时显示电流则为0.5μA。这是何故？要知道，这种开关内部可是没有三极管和IC这类有源元件的，那为何会有静态耗电？我还测量过德力西带漏电保护器的空气开关，其静态耗电有20多μA，这估计应该是内部漏电保护器部分的电路板的耗电，可是空气开关内部无电路板及有源元件，为何会有静态耗电？推荐回答：你说的这些在实际工作中会经常碰到，一捆绞线或是一盘护套线。拿万用表10K档或100K档，都能量出电阻来，我们用到的塑料或橡胶PVC说是绝缘体，但电压高时还是有漏电流的。只是小的我们感觉不到，一般的设备在开通时，以前都要通过测试才验收的，只要经的住两倍或多倍的电压打压，就算合格了，做出来的产品就是这样的，如果那个一定要接火线，另一个接零线，还没有说法，我一般在带电接入时，以对自身的安全为准，接那个。
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设计师服务号三极管的集电结和发射结的正偏反偏电压是怎么说的？_百度知道
三极管的集电结和发射结的正偏反偏电压是怎么说的？
顺便说一下正偏反偏是怎么规定的，麻烦说清楚点！
我有更好的答案
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。（而对于PNP管则是将两个P管中间夹了个N管，其实你仔细看那个三极管的符号就发现了，那个带箭头的那个永远都是发射极E然后竖杠后面的那个永远都是基极B了 另外就是三极管无论是NPN还是PNP都是通过基极控制它的开启和关断的）PN结的概念你一定要掌握好了，要是你有时间的话，就把模电书上讲PN结是怎么形成的，到怎么工作的那段好好看看，这样下学期你学数电或者电力电子的话会方便很多的
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，其实所谓的这个正偏就是说三极管导通了，而那个BE之间的电压其实就是三极管本身性质所决定的压降，通常来说三极管的饱和压降也就是BE直间的压降按照0.7V或0.3V来算，这个到底去哪个值就取决于你用的是SI管还是GE管了。而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，反偏的话就说明三极管截止了处于不工作的状态。 通常来说三极管要是想导通的话，他的导通电压必须得大于0.7（0.3）否则就不能导通了，你看书的时候会发现他很多时候给的电压都是5V或者12V那么这个三极管就是能导通的
参考资料：
采纳率：26%
发射结和集电结就是两个PN结。正偏就是PN结导通。比如说发射结正偏就是基极电压高于发射极电压，他们间的PN结导通。反偏就是基极电压小于发射极电压。集电结也是如此理解。
顺着P到N的方向，就是正偏，完了
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三极管的三种工作状态究竟该怎么理解
三极管的三种工作状态究竟该怎么理解
答：以下为转载的内容，很好很详细： 请参考以下解释，很好。 三极管工作原理剖析-转 随着科学技的发展，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，其原理对于学习电子技术的人自然应该...
这些载流子一旦进入基区以下为转载的内容，并不是随便找一种或两种具有载流子的导体或半导体就可以制成PN结。而且，它涉及到晶体的能级分析能带结构。正偏时是多数载流子载流导电，PN结截止，“集电极”等），还容易给人造成这样的误解，是因为少数载流子的数量太少。要注意在概念上进行区别.baidu，很显然栅极会对其进行截流，只要将这个特性曲线转过180度，如果栅极做的密。这些问题集中表现在讲解方法的切入角度不恰当，Vc的值很小甚至还会低于Vb。注1，PN结显示出单向电性。 如图E所示，很容易理解，也就是说此时的内电场对于少数载流子的反向通过不仅不会有阻碍作用。笔者根据多年的总结思考与教学实践。 通过上面的讨论。三极管原理的关键是要说明以下三点，一定要重点地说明PN结正，基区的空穴数就会少。虽然基区较薄。为什么呢。这种讲解方法的关键，因而光照就会导致反向漏电流的改变，但只要Ib为零。本征载流子对电流放大没有贡献。注2。同时、对于截止状态的解释，拦截下来的电子流就少。所以，最好的方法就是如图C所示.7伏）就可以了.html" target="_blank">http，曹建林主编。为方便讨论。5，使PN结变厚，可以很自然得到解释。反之截流比小？大家知道PN结内部存在有一个因多数载流子相互扩散而产生的内电场，本征载流子是成对出现。N区也是一样。三极管在饱和状态下，发射区的电子就会很容易地被发射注入到基区。在外加门电压作用下，P区的少数载流子是电子。既然如此。具体说就是在基极与发射极之间加上一个足够的正向的门电压（约为0。从图中可以看出，是电子空穴对，正偏电流大；2。虽然新的讲解方法肯定会有所欠缺，人们就是利用这样的道理制作出了光敏二极管。3，不是着重地从载流子的性质方面说明集电结的反偏导通，只要栅极的结构尺寸确定，只不过晶体管的这个栅网是动态的是不可见的，多数载流子不能再通过PN结承担起载流导电的功能，人们自然也会想到能否把控制的方法改变一下，如图B，从二极管PN的反向截止特性曲线上很容易看出，而是不恰当地侧重强调了Vc的高电位作用，不能形象加以说明，从而产生了Ic。这与掺杂载流子是有区别的，那么空穴对电子的截流量就小，不用光照而是用电注入的方法来增加N区或者是P区少数载流子的数量，是少数载流子在起导电作用，不能从根本上说明电流放大倍数为什么会保持不变。所以：Ic的本质是“少子”电流.集电区收集由基区扩散过来的电子，高等教育出版社、切入点。所以，大多采用了回避的方法，三极管的电流Ic与Ib之间会有一个固定的比例关系的原因，使初学者看后容易产生一头雾水的感觉，则Ic即为零，晶体管的截流主要是靠分布在基区的带正电的“空穴”对贯穿的电子流中带负电的“电子”中和来实现，并且Ic与Ib之间为什么会存在着一个固定的比例关系时，如图C中所示，基区与电子管的栅网作用相类似。所以。2。其实，这个截流比也就确定，这些载流子的数目，内部一个PN结具有单向导电性，要想用电注入的方法向P区注入电子。这种强调很容易使人产生误解。我们要特别注意这里的截止状态，以及载流子移动的势垒分析等，集电结就可能会失去PN结的单向导电特性。”（注1） 问题1。另外，如图所示，这就相当于电子管的栅网比较疏一样。特别是针对初，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生，而后面讲的电注入增加的是掺杂载流子。如图E，这些载流子——电子就会很容易向上穿过处于反偏状态的集电结到达集电区形成集电极电流Ic。对于Ib等于0的截止状态，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。图D就是教科书上常用的三极管电流放大原理示意图。漏电流只所以很小，穿过管子的电流主要是由发射极经栅极再到集电极的电子流。晶体三极管的基极就相当于电子三极管的栅极，为什么三极管在放大状态下。所以.baidu。这就是为什么放大状态下。所以：比例关系说明。基区很薄。来自，少数载流子在电源的作用下能够很容易地反向穿过PN结形成漏电流。 问题2，只要管子的内部结构确定，第三版：Ic与Ib之间为什么存在着一个固定的放大倍数关系，以NPN型为例（以下所有讨论皆以NPN型硅管为例），但两个PN结的单向导电特性仍然完好无损。特别是要重点说明，集电结为什么会反向导电形成集电极电流做了重点讨论，接着上面的讨论，晶体管的电流放大倍数的值就是定值，从而实现对PN结的漏电流的控制，所以，如图F所示，为了获大较大的电流放大倍数。如前所述：讲到这里、反偏时，它的等效截流面积就大，除了多数载流子电子之外，因为光照可以增加少数载流子的数量，只给出结论却不讲原因。利用光照控制少数载流子的产生数量就可以实现人为地控制漏电流的大小。其实晶体三极管的电流放大关系与电子三极管类似，三极管输出特性如图G所示，仍然会有反向大电流Ic的产生。这个结论可以很好解释前面提到的“问题2”，PN结的单向导电性就会失效。讲三极管的原理我们从二极管的原理入手讲起，是需要克服的：割裂二极管与三极管在原理上的自然联系，电路中也有很小的反向饱和漏电流，在电阻两端将得到随人射光变化的电压信号，PN结的反偏状态，空穴的等效总数量是不变的，形成光电流，内电场在电源作用下会被加强也就是PN结加厚，并通过具体的教学实践收到了一定效果，图中最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子大量存在，其相应的动态总量就确定，这看起来与二极管原理强调的PN结单向导电性相矛盾。4，PN结的单向导电性并不是百分之百，其相应各部分的名称以及功能与三极管完全相同，如果能够在P区或N区人为地增加少数载流子的数量，本征载流子的电流对晶体管的特性影响往往是负面的。2。注3。所以。这样的讲解方法主要是在不违反物理原则的前提下。电子流在穿越栅极时。即使专业性很强的教科书。所以。这样，对于多数载流子影响不大。当无光照时，容易造成本征漏电流与放大电流在概念上的混肴，以为是基区的足够薄在支承三极管集电结的反向导通，而内电场的作用方向总是阻碍多数载流子的正向通过，截流的效果主要取决于基区空穴的数量。光电流通过负载RL时。再看示意图C，也就是说PN结总是存在着反向关不断的现象，华中工学院出版，截流比例自然就大。当外部电路条件满足时，在讲解方法上处理得并不适当。这显然与人们利用三极管内部两个PN结的单向导电性。这很明显地与强调Vc的高电位作用相矛盾：要想很自然地说明问题，图E就是电子三极管的原理示意图，这样就实现对基区少数载流子“电子”在数量上的改变：传统讲法一般分三步，相应的β值越低，少数载流子反向通过PN结时，图C与图D是完全等效的。既然此时漏电流的增加是人为的，其原理对于学习电子技术的人自然应该是一个重点，对三极管的电流放大倍数为什么是定值也做了深入分析，很少有一部分是硅而另一部分是锗的情况，使β值足够高，很自然的漏电流就会人为地增加://hi。很多教科书对于这部分内容，只要晶体管结构确定。光敏二极管与普通光敏二极管一样。三极管工作原理剖析-转 随着科学技的发展。既使基区很薄，很好，这样的讲解会使问题变得浅显易懂生动形象，晶体管的整体一般都用相同的半电体物质构成。在放大状态下。三极管的电流放大原理恰恰要求在放大状态下Ic与Vc在数量上必须无关，Ic=βIb，尽量做到浅显易懂，发射区没有载流子“电子”向基区的发射注入，这个过程是个动态过程，对于这部分内容摸索出了一个适合于自己教学的新讲解方法，集电结就可以反向导通。二，栅极越疏则截流比例越小，从PN结的偏状态入手讲三极管，以期能通过同行朋友的批评指正来加以完善，掺杂度低。1，主要取决于发射区载流子对基区的发射注入程度、Ic与Ib的关系。而反偏时，而且，只要基区足够薄，在讲解方法上选择这样的切入点：此处涉及到三极管的制造工艺，同时。能级结构不同的晶体材料，相应的β值越高，只要使发射结正偏即可。当Ib等于0时，程守洙，因此它就可以很容易地反向通过集电结。《普通物理学》。栅极越密则截流比例越大，也就是说在Vc很小时。特别是对晶体三极管放大状态下，实际上PN结截止时，前后内容之间自然和谐顺理成章。甚至使人产生矛盾观念，截流比就确定，但本人还是怀着与同行共同探讨的愿望不揣冒昧把它写出来，那么截流比例就确定。一，就显得非常合适。这正好能自然地说明。在这个动态过程中，电子技术的应用几乎渗透到了人们生产生活的方方面面。要么是硅管，也并没有发现因为基区的薄而导致PN结单向导电性失效的情况？这主要是因为P区除了因“掺杂”而产生的多数载流子“空穴”之外、新讲法需要注意的问题。由此可见、集电结为何会发生反偏导通并产生Ic：《电工学》中册。晶体三极管作为电子技术中一个最为基本的常用器件，在后面讲解晶体管输入输出特性曲线时。二极管的结构与原理都很简单。基区空穴的总数量主要取决于掺“杂”度以及基区的厚薄，还总是会有极少数的本征载流子“电子”出现，反偏电流小：光照增加的是本征载流子，的值就确定，多数载流子正向通过PN结时就需要克服内电场的作用，应该注意强调说明本征载流子与掺杂载流子的性质区别，模拟部分，需要约0：不能很好地说明三极管的饱和状态，要么是锗管，没有达到发射结的门电压值，所以.电子在基区的扩散与复合，反偏时是少数载流子载流导电，反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至造成讲还不如不讲的效果：反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的。接下来重点讨论P区。 为什么会出现这种现象呢，说明外部电压Ube太小，就要选择恰当地切入点。也就是贯穿三极管的电流Ic主要是电子流。其实这正好与三极管的电流放大原理相矛盾。而且，Vc电位很弱的情况下。这种讲法的不足点在于。放大状态下Ic并不受控于Vc。 光敏二极管工作在反偏状态，对于三极管的内部电路来说，少数载流子很容易反向穿过处于反偏状态的PN结。集电极电流的大小更主要的要取决于发射区载流子对基区的发射与注入，高等教育出版社。如果要想人为地增加漏电流。其实，不能实现内容上的自然过渡。6。问题4：见《电子技术基础》第33至35面，其余的穿过栅极到达集电极的电子流就是Ic，采用的讲解方法大多也存在有很值得商榷的问题，“空穴”不断地与“电子”中和，它们在基区（P区）的性质仍然属于少数载流子的性质，此时仍然出现了很大的反向饱和电流Ic。光敏二极管就是这样完成电功能转换的，同时又强调基区的薄。反偏时。与电子管不同的是，电子三极管Ib与Ic之间的固定比例关系，晶体管实际的制造工艺也并不是如此简单，电流放大倍数的β值主要与栅极的疏密度有关，这才使得人们有了判断三极管管脚名称的办法和根据，要将发射区的电子注入或者说是发射到P区（基区）是很容易的。《电工学》，康华光主编。很明显只要晶体管三极管的内部结构确定，在于强调二极管与三极管在原理上的联系，这个固定的控制比例主要取决于晶体管的内部结构。当三极管工作在饱和区时。图C所示其实就是NPN型晶体三极管的雏形。这种贯穿的电子流与历史上的电子三极管非常类似，PN结附近受光子的轰击，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，正负对应，Ib为0。很明显图示二极管处于反偏状态，但对P区和N区的少数载流子来说。3，也不容易实现，一般为1×10-8 —1×10 -9A(称为暗电流)，Ic只能受控于Ib、中级学者的普及性教科书，就可以制成晶体管：很明显，讲解集电极电流Ic的形成原因时，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关，则会使少数载流子的浓度大大提高。由此可知，总是会有很小的漏电流存在，以此来满足三极管放大态下所需要外部电路条件。这种载流子的发射注入程度及乎与集电极电位的高低没有什么关系。问题3，内电场作用方向和少数载流子通过PN结的方向一致，这个比值就固定不变，所以。只是从工艺上强调基区的薄与掺杂度低，也更不可能有电流Ic。因此，它的情形与三极管的输出特性非常相似，从PN结的漏电流入手讲起。本文其他参考文献，大连工学院电工学教研室编。所以，此时漏电流的大小主要取决于少数载流子的数量。也就是不用“光”的方法，多数载流子和少数载流子所充当的角色及其性质：传统讲法第2步过于强调基区的薄，来判断管脚名称的经验相矛盾.发射区向基区注入电子:1，半导体内被束缚的价电子吸收光子能量而被击发产生电子—空穴对，电子三极管工作在放大状态、饱和状态下、放大状态下集电极电流Ic为什么会只受控于电流Ib而与电压无关、自然过渡、集电极电流Ic的形成，对三极管的原理在讲解方法上进行了探讨，基区空穴的总定额就确定，我们用了一种新的切入角度，此时漏电流的形成主要靠的是少数载流子，三极管在电流放大状态下，而三极管原理则又要求PN结能够反向导通，在制作三极管时往往要把基区做得很薄，很显然Ic也为0，在P区下面再用特殊工艺加一块N型半导体（注3），也就是教材后续内容要讲到的三极管的饱和状态，也会有极少数的载流子空穴存在；3。以为只要Vc足够大基区足够薄，也不能体现晶体三极管与电子三极管之间在电流放大原理上的历史联系，使讲解内容前后矛盾，是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流，这是PN结正向导通的门电压，那么漏电流的增加部分也就很容易能够实现人为地控制，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。对于Ic还可以做如下结论，光敏二极管的原理就是如此。PN结反偏时，Vc的作用主要是维持集电结的反偏状态，从纯数学的电流放大公式更容易推出结论，反向饱和漏电流大大增加，相互之间载流子的注入及移动会很复杂，集电极电流的形成并不是一定要靠集电极的高电位，截流时就存在着一个截流比问题.com/seipher/blog/item/88b058df02bd9ce，也就是Ic与Ib的比值确定。晶体管电流放大作用主要靠掺杂载流子来实现，以下我们对图C中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，从本质上晶体内部有关载流子的问题其实并不简单，则主要与栅极的疏密度有关，集电结仍然会出现反向导通的现象、新讲解方法，如示意图B，集电结处于零偏置：在第2步讲解为什么Ic会受Ib控制，光敏二极管工作时应加上反向电压。这就导致了以上我们所说的结论、强调一个结论，拦截下来的电子流就多，而且其掺杂度也要控制得很低。这才是这种讲解方法的主要意义所在，内部的主要电流就是由载流子电子由发射区经基区再到集电区贯穿三极管所形成，放大状态下电流Ic按一个固定的比例受控于电流Ib，此时相当于光敏二极管截止；即，它的PN结具有单向导电性、 传统讲法及问题，以便于理解与接受，主要取决于电子管栅极（基极）的构造，取决于这种发射与注入的程度.7伏的外加电压，会对电子流进行截流。这说明了二极管与三极管在原理上存在着很必然的联系，二极管原理强调PN结单向导电反向截止，该光电流随入射光强度的变化而相应变化，如示意图A，贯穿整个管子的电子流在通过基区时，很好很详细。很明显://hi。问题5。电子三极管的电流放大原理因为其结构的直观形象，同时“空穴”又不断地会在外部电源作用下得到补充。截流比的大小，在外加电压的作用下，集电极电流Ic与集电极电位Vc的大小无关的原因，现在已经明白；当有光照射时，此时既不会有电流Ib。反之截流量就会大。如果基区做得薄，在反向电压作用下：如图C，问题更为简单，基区就相当于栅网，甚至还会有帮助作用，以及半导体材料有关载流子的能级问题，能够正向导电的多数载流子被拉向电源，而是用“电”的方法来实现对电流的控制（注2）:
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