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如何用pmos管实现电源开关
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需要一个MOS管开关电路，实现对输入电压为4V，电流为2A。要求利用4V的电源为下级模块供电，能够利用TTL电平实现电源的打开和关断（高电平打开）。选用的mos管为IRF7416，是FET型Pmos管。平时主要做数字电路，对这一块不是很熟悉，请各位高手指点。
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再加个小功率三极管就行了
上图是王道，自己看吧，
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应该怎么加啊，用三极管驱动mos管的G极吗？
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:D谢谢jjjyufan和lyjian，这个电路应该是经典的CMOS开关驱动电路了。模电做的太少了，惭愧。
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如果对开关速度要求不高的话，可以直接IO驱动，接一个10K的上拉电阻即可
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我正想问下jjjyufan，这个电路的速度能够达到多少。IRF7416的速度如图所示，这样算下来的话电源启动时间应该算是多少呢。我找不到PTDC143EU的时间的参数。
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请问这个开关的速度应该怎么算啊，如果能够用上面的电路的话开关速度应该是多少呢？
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好啊，学习学习
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jjjyufan 发表于
上图是王道，自己看吧，
版主，小弟问一句mos管上后面的电阻作用好是？？？？
若只做开关使用，完全没有必要呀！！！还是为加快MOS管开关的速度呀？？？？？
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热门推荐 /5我想用PMOS+三极管做一个开关电路，高电平时输出5V，低电平时关闭5V 有谁知知道这个应该怎么做啊_百度知道
我想用PMOS+三极管做一个开关电路，高电平时输出5V，低电平时关闭5V 有谁知知道这个应该怎么做啊
电路中只有两路5V一路是一直都有的，另一路是受控制，我是小白请高手指点，谢谢！
我有更好的答案
这里有现成的图，不过是别人发的贴，你可以参考。用P沟道MOS管构成的电源开关电路，高电平开启，低电平关闭。注意图中Q1的D、S极标错了，需要对换过来。《这种情况下三极管输入高电平，MOS导通吗？？三极管连接MOS管的那段输出是高电平还是低电平》
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只要一支MOS管就可以了，无需三极管；或者是只用一支三极管不用MOS管也行。所谓“关闭5V”是指输出0V吧？
是的，怎么做能个图吗？一定要高电平时输出5V，低电平时关闭5V，以前听别人说过，用一个N-MOS但是电路中用5V无法驱动5V，没有一个高于5V的电压N-MOS不能工作。所以最后还是要用P-MOS.
给你一个实现上述功能的电路图——
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一个PMOS管的常用开关电路
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本帖最后由 heqiangbb 于
08:27 编辑
1.选用的IRF9392参数&&Vgs（th）=-2.5V,Vgs(max)=±25V，Vds（max）=-30V，其他参数应该和本问题没有关系。
2.问题描述：a。无输入时启动，Vout无输出,没有问题，符合电路设计。
& && && && && && &&&b。启动后输入高电频（24V）信号，PMOS管直接烧掉，DS两端烧短路
3.实验内容补充，以以下两个电路进行测试，PMOS管安全。。。
a。下电路Vout=24V
b.下电路无输出
4.输入信号部分电路分解
上电路所示，实际测量得，Vin=0V时Vout=24V；Vin=24V时Vout=8.2V
上面是我的问题描述以及自己分解电路做的实验结果，结果显示电路分拆进行测试并无问题，为什么合在一起就会烧掉mos管，哎烧掉好几只了。。。。
望高手指引。。。。。拜谢
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lf123456 发表于
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很常见的一个电路，一般用在单片机IO口控制电源的时序上，我用的电压要高一些，不过mos管的选择也满足我设计的电压啊
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本帖最后由 lf123456 于
11:07 编辑
heqiangbb 发表于
很常见的一个电路，一般用在单片机IO口控制电源的时序上，我用的电压要高一些，不过mos管的选择也满足我 ...
MOS管烧毁的原因一般是漏极电流过大，或VGS电压过高，这个电路中应该不是VGS过高的原因，要不要把电阻R1，R2换大点试试，或者换小点，反正应该是两个极端。
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MOS管DS级容值偏大，如果24V频率太高，应该不能正常工作。不行就换个频率高点的管子。
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Vout后面有什么？那个负载是怎么个东东？
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最好加驱动IC
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本帖最后由 Siderlee 于
17:56 编辑
Vgs、&&max +-25
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上完整图吧,感觉是MOS的问题,是不是负载电流太大了
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是我不好，请大家移步这里
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哥们儿，你的问题解决了吗？我这边也是很容易烧P-MOS管。
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PMOS管控制电源开关发生掉电现象
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图中蓝色是栅极电压黄色是VBAT。
图1是TPS61220这颗升压芯片使能脚拉高的按原理图所接
图2是TPS61220这颗升压芯片使能脚拉低接到地上。
现在是EN_MCU只要管脚一拉高就会出现如图所示，VBAT电压都被拉低到2.6V，导致系统掉电主控芯片不工作。
问题是出在TPS61220这颗芯片，摘掉就不会有问题。而且R6839这颗电阻贴上，EN_MCU管脚拉高也不会拉低。问题就是只要MOS管一打开瞬间就被拉低了，如图所示。现在没找到原因和解决办法。
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附件是TPS61220的规格书
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先断开负载回路检查开关电源的输出是否正常，电源被拉低只有一个可能：负载过重。
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纯净的硅（初级）, 积分 618, 距离下一级还需 182 积分
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从现象看可能是电源的功率不够，同意版主的意见。可以评估一下，你的负载所需工作电流是多少，你的电源可以输出的电流是多少，留有多大的冗余量。
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我断开TPS61220量电源输出是正常的。问题就是出在DC-DC上。
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图显示我掉电和电流表现
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我断开TPS61220量电源输出是正常的。问题就是出在DC-DC上。
TPS61220也是电源啊，就是要你测该部分的电路，先断开其负载测。
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问题已经定位，打开MOS管瞬间电源电压被拉低是因为大电流给输入输出端电容充电。因为电容电压不能突变原 ...
除非容量非常大，否则说明电源设计还是有问题，输出能力不足使充电过慢。
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除非容量非常大，否则说明电源设计还是有问题，输出能力不足使充电过慢。
已经解决了，我的VIN输入是10UF电容，这个容值已经足够大了可以改变波形。输出端也并了2颗10UF电容。所以我将这两颗电容改小，输入端改成4.7UF，输出端改成2.2UF电容。在改P-MOS管选IDS小点的导通电流在2.5A rds稍微大些。波形很好。
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已经解决了，我的VIN输入是10UF电容，这个容值已经足够大了可以改变波形。输出端也并了2颗10UF电容。所以 ...
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10uF滤波电容的容量可实在不算大，这点充电电流都会引起问题，说明电源或者电源回路的设计存在问题。所以 ...
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这路VBAT是直流电源供电的，我将P-MOS管后面的负载电路全都去掉只留下10UF电容，当打开MOS的瞬间就会出现 ...
那说明你用的直流电源功率不够，或者保护门限过低。你就是拿个正规厂家出的手机电源适配器都不该出现这种情况，那才多大的功率，而手机电源适配器内置的滤波电容也不止10uF。
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那说明你用的直流电源功率不够，或者保护门限过低。你就是拿个正规厂家出的手机电源适配器都不该出现这种 ...
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注意，很多直流电源具有输出保护功能，门限可自设，而且还有个功能完好的问题，带数十微法的电容就会导致输出明显下跌，这无论如何都不正常。当然，不排除电源正常，问题源自你没有注意到的电路错误。
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纯净的硅（初级）, 积分 618, 距离下一级还需 182 积分
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