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CMOS传输门
&&数字IC集成电路设计―基本逻辑门器件
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clock 透^ TX gate的Cgs/Cgd 把output 起砹
DFF 那D通常是driving 能力的}
看起硎postive edger, 中g的TX 啥嗽值
把第一latche的值改掉了
解法是{整NAND的size, TX size(Ron vs. Cgd/Cgs)
clock 的slew rate{慢一c
或者把TX gate 用 clocked inverter取代也行
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& &试过调整了一下尺寸，可是效果不大啊
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您可以让我看看您cmos传输门的电路吗？我最近也在做仿真可是我出不来您的仿真的图，我是直线。
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您可以让我看看您cmos传输门的电路吗？我最近也在做仿真可是我出不来您的仿真的图，我是直线。我也不知道哪里又出错了。
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PPT|阻变存储器可靠性与表征(下载奖励信元和资料）（清华微纳电子）　>　cmos传输门
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cmos传输门电子说
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请问关于CMOS传输门的一些问题
为什么传输门的栅极和衬底要加上两个不同电压？为什么CMOS传输门的传输电压要受到直流偏置电压的限制？
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传输门的栅极接的是控制信号，需要根据用途接高电平或低电平。而衬底的电位应当固定的。传输门所传输的信号电压大小是有限制的，这是因为传输门是由管构成的。CMOS管导通则信号能够传输过去；CMOS管截止则传输门关闭。CMOS管的导通与截止是与栅、源之间电压有关系的，CMOS管正常工作与衬底电压也有关。所以传输门的传输电压不应超过偏置电压。
好像有个限制是传输电压不能超过减去门阀电压，也就是只能工作在可变电阻区，不能工作再饱和区，为什么呀？
传输门是当开关用的啰，开关导通时就是在可变电阻区呀。你的第一句话不知所云，来自何方？
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