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低价供应电波钟信号发生器RCC
低价供应电波钟信号发生器RCC
电波钟信号发生器用于生产测试，产品演示，参展。
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经营模式|生产加工
注册资本|50万人民币
企业类型|私营股份有限公司
公司地址|广东 深圳 龙岗区 深圳市龙岗区爱联村台中工业区
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低价供应电波钟信号发生器RCC
深圳市科业电子有限公司专业从事研发、生产和销售(RADIO&CONTROLLED&CLOCK&&&WATCH)电波钟、表配件，收音机电波钟配件,车载电波钟配件，室内外温湿度无线传输模块433MHz.产品适应美国（），德国（），英国（），日本（），瑞士（），中国等多个国家。电波钟生产测试仪器四台，标准时钟信号发生器三台，高精度的频谱仪，调幅，调频信号源，及屏蔽网房、示波器等各种测试仪器，配套的精密绕线机多台。电波钟、表(RCC)接收模组:用于接收卫星发射的完整时钟信号，可校正钟、表的年、月、日、分、秒与标准时区时间，是继石英钟之后一次突破性的进步，可自动校时并且时间十分准确。接收模块(RCC)灵敏度高，抗杂信能力强，用户只需从时钟信号输出端口引线到MCU解码，体积小,使用灵活简单。接收模块分有单频，双频，三频。电波钟天线:品种多样，尺寸有10X100mm&，&10X80mm，10X60mm，10X50mm，8X60mm&，7X8X50mm&，6X60mm,&5x6X50mm,&6X30mm,&6X20mm，5*8*50mm电波表天线：3.7X23.7mm,&3.2X19.2mm等系列.形状有圆形，方形，梯形.天线高精度，高Q值及好的抗杂信能力。可根据客户的需求订做各种尺寸电波钟、表天线。&&&电波钟晶振：频点包括77.5KHz&、77.503KHz&、60KHz&、60.003KHz&&&40KHz&、40.003KHz,原材料全由日本进口，性能稳定，阻抗小，频率偏差±±等多种。，RFT2，RFR1模块采用了超再生原理接收无线信号，接收灵敏度高，抗干扰效果好，简化设计，使用方便。体积小，功耗低。天线高频调幅信号输入，数字信号输出的单接收模块，无需单片机驱动，用户只需通过单片机的1个I/O口与模块的解调数字输出口连接即可实现解码功能。可为客户提供优质产品，优质服务,售后完善的技术支持。服务从来料检测到成品测试包装。“品质，顾客至上”始终是我们的崇旨和理念，客户的满意是我们的追求。专业生产中国版电波钟接收模组,产品可以接收中国发射电波信号,产品接收灵敏度高,抗杂性能好,可根据客户外型的要求配制不同尺寸的模块,适合客户的不同外型组装轻易,，用户只需从时钟信号输出端口引线到MCU解码，体积小,使用灵活简单，欢迎新老客户
供应商信息
深圳市科业电子有限公司成立于2005年，是一家专注于电波钟模块，电波表模块，电波钟天线，电波表天线和高频收发模块、无线模块等产品研究、开发，生产及销售于一体的高科技企业，公司有专业的技术及雄厚的研发能力，开发出真正适合企业需求的高品质产品。
公司自成立以来，始终坚持“以人为本、诚信经营”的经营原则，以“品质第一、顾客至上、科学创新”为经营理念，将先进的信息技术、科学的管理方法及企业经验与自身相结合，为企业提供全方位的解决方案、提高生产能力和效率。
公司生产的产品接收灵敏度高、精度高、稳定性好、抗杂性能强，非常适用于安防、报警、门控、无线温湿度计、天气预报产品、数码产品、LED广告产品、血压计、跑步计、路灯、电波钟、数码计时器、数码相框、音箱、玩具、钟表、大型建筑钟各类带时间的通讯设备、医疗设备、LED广告设备、应急灯警示灯等一切有时间显示的产品上面。
　公司始终以市场为导向，以人才为根本，坚持科技创新，综合实力不断增强，严把质量关，全方位的服务跟踪，坚持做出高方位的产品，与社会各界同信互助、互惠共赢、共创美好前景。我们坚信，通过我们的不懈努力，加上客户的支持，一定能实现互利共赢。
“ 客户的信赖、专业、诚信、优秀的品牌供货商”是我们企业追求的目标，我们以此来严格要求自己，祈愿与国内外各界朋友真诚合作，共同发展。
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转：STM32库函数翻译，每个函数说明及示例-RCC
15:56:08　　
该文档主要是对STM32F4各个模块的库进行翻译和说明。文档中加入了作者的一些理解，建议和小贴士。并且在文档最后，加入了一些使用该库模块的案例。希望大家通过对该文档的阅读，可以更好的使用STM32的库函数进行学习和项目开发。之所以选用1.4.0版本进行翻译和说明，因为该版本群众基础较好，有大量的使用者和相关资料。后续也会推出新版本库和CubeMX库的翻译和说明，希望大家喜欢和支持。如果大家觉得文档有什么问题，麻烦请提出，如果确认问题存在，作者会及时修改。文档约定：?&&小贴士：蓝色字体?&&宏定义：土红色字体本库模块相关术语说明：RCC：stm32的时钟控制器HSE：外部高速时钟HSI：内部高速时钟LSE：外部低速时钟LSI：内部低速时钟PLL：锁相环，主要用作倍频CSS：系统安全时钟MCO1：微控制器时钟输出1MCO2：微控制器时钟输出2
注意：RCC库因为内容太多，因此分为上中下三篇
1& && &RCC库说明库文件名：stm32f4xx_rcc.c库函数注释部分翻译：RCC的特性TIPS：建议大家在看RCC特性的时候 配合时钟树图进行理解，以下附上时钟树图，完整的时钟树图请参考STM32F4XX英文参考手册7.2章 212页（注意 帖子里面图片显示不出，大家可以下载附件中的PDF文档，里面有图片）
以下为翻译库函数注释部分：（1）& && && && &复位以后，设备使用内部高速时钟（HSI）开始运行，以下单元包括Flash 0 wait state, Flash prefetch buffer, D-Cache被禁用，并且除了内部SRAM，FLSAH和JTAG的所有控制器均被禁用。l&&这个时候，所有的低速和高速总线没有被分频，所有映射在这些总线上的控制器以HIS时钟速度运行。（即16MHZ）l&&除了SRAM和FLASH，所有控制器的时钟选择被关闭l&&除了用作下载和调试目的的JTAG接口外，所有的IO处于浮空状态，
（2）& && && && &一旦设备从复位状态启动，用户需要做以下事情：l&&配置系统时钟使用的时钟源（如果你的应用需要更高的频率或者性能）l&&配置系统时钟频率和设置FLASHl&&配置AHB和APB总线的分频l&&为要使用的控制器使能时钟l&&为不是从系统时钟产生时钟源的控制器配置时钟源（如I2S，RTC，USB OTG FS/SDIO/RNG）
2& && &具体函数说明（1）& &内部和外部时钟，PLL，CSS和MCO配置函数这个部分提供的函数允许去配置内部和外部时钟，PLL，CSS和MCO管脚，以下进行说明l&&HSI（内部高速时钟），芯片自带的16MHZ高精度RC振荡器，该时钟可以直接或者通过PLL作为系统时钟源。l&&LSI（内部低速时钟），芯片自带的32KHZ低功耗的RC振荡器，主要用于IWDG和RTC时钟源l&&HSE（外部高速时钟），4---26MHZ的振荡器，可以直接作为系统时钟源，或者通过PLL用作系统时钟源。也可以作为RTC的时钟源。l&&LSE（外部低速时钟）,用作RTC时钟源的32K振荡器。l&&PLL（由HSI或者HSE提供时钟），提供两种不同的输出时钟?&&第一种时钟是用来产生高速系统时钟的（最高可达168MHZ（不超频））?&&第二种是用于产生USB OTG FS（48MHZ），随机模拟发生器（小于等于48MHZ）,SDIO（小于等于48MHZ）的时钟，Tips：PLL解释PLL(Phase Locked Loop)： 为锁相回路或锁相环， 用来统一整合时脉讯号，使高频器件正常工作，如内存的存取资料等。PLL用于振荡器中的反馈技术。 许多电子设备要正常工作，通常需要外部的输入信号与内部的振荡信号同步。一般的晶振由于工艺与成本原因，做不到很高的频率，而在需要高频应用时，有相应的 器件VCO，实现转成高频，但并不稳定，故利用锁相环路就可以实现稳定且高频的时脉冲讯号。l&&PLLI2S（由HSI或者HSE提供时钟），用于产生精准的时钟，该时钟用于基于I2S接口的高保真音频或者STM32F429x/439x设备的SAI接口。l&&PLLSAI（由HSI或者HSE提供时钟）,用于产生精准的时钟，该时钟用于SAI接口和STM32F429x/439x设备的LCD控制器接口。l&&CSS（系统安全时钟），一旦使能，并且如果一个HSE时钟发生失败（把HSE直接用于产生系统时钟或者通过PLL产生系统时钟），系统时钟会自动切换到HIS并且会产生一个中断。这个中断连接与Cortex-M4的NMI（不可屏蔽中断）异常向量。l&&MCO1（微控制器时钟输出），通过PA8管脚经过一个可配置的分频器输出HSI,LSE,HSE或者PLL时钟。l&&MCO2（微控制器时钟输出），通过PC9管脚经过一个可配置的分频器输出HSE,PLL,系统时钟或者PLLI2S时钟。
1．&&void RCC_DeInit(void)函数解释：RCC的反初始化函数，该函数的作用是把RCC相关的寄存器配置成上电复位后的默认状态，在第一次初始化RCC前可以调用该函数。复位后时钟的默认状态如下（所以大家要注意，如果不配置RCC的话，是有一个默认状态的）：?&&HIS打开并且作为系统时钟源?&&HSE,PLL和PLLI2S关闭?&&AHB,APB1和APB2的分频器设置为1?&&CSS，MCO1和MCO2关闭?&&所有的中断关闭注意，该函数不能修改如下配置：?&&外设控制器的时钟?&&LSI，LSE和RTC的时钟函数参数说明：无
2．&&void RCC_HSEConfig(uint8_t RCC_HSE)函数解释：HSE的配置函数。注意1：在使能HSE以后（RCC_HSE_ON 或者 RCC_HSE_Bypass），软件必须等待HSERDY标志置位，以确保HSE时钟稳定并且可以被用于PLL或者系统时钟。（这一点请大家尤其注意，尤其是没有硬件编程的同学，因为HSE时钟使能后，需要一定的时间才能稳定下来）。注意2：当HSE直接的或者通过PLL间接的用于系统时钟时，HSE是不能被改变的。因此，在你改变HSE之前，你必须选择使用另一个时钟源，然后改变HSE的状态（比如，禁止使用HSE）。注意3：当进入停止或者待机模式时，HSE停止。注意4：这个函数会复位CSSON位，因此如果之前使能了时钟安全系统（CSS），你就必须在调用这个函数后重新使能CSS。函数参数说明：RCC_HSE：指定HSE的新状态，这个参数可以选择使用如下三个宏定义之一RCC_HSE_OFF：关闭HSE振荡器，在6个HSE振荡器时钟周期后，HSERDY标志位会变低。RCC_HSE_ON：打开HSE振荡器RCC_HSE_Bypass：使用外部时钟旁路HSE振荡器（就是直接使用外部时钟源作为HSE时钟）
3．&&ErrorStatus RCC_WaitForHSEStartUp(void)函数解释：等待HSE稳定。注意：该函数等待HSERDY标志位置位，当该标志位置位后会返回SUCCESS。如果时间超时并且标志位没有置位，则会返回ERROR。超时时间的值由一个定义在stm32f4xx.h头文件中的常量HSE_STARTUP_TIMEOUT来进行配置，你可以根据你系统中的HSE振荡器来调整这个值。该函数配合RCC_HSEConfig函数使用。函数参数说明：无函数返回值说明：SUCCESS：HSE启动成功，状态稳定。ERROR：HSE启动失败。
4．&&void RCC_AdjustHSICalibrationValue(uint8_t HSICalibrationValue)函数解释：调整内部高速时钟的校准值。注意：该校准值主要用于补偿不同的电压和温度对内部HSIRC频率的影响。函数参数说明：HSICalibrationValue：需要调整的校准值函数返回值说明：无5．&&void RCC_HSICmd(FunctionalState NewState)函数解释：使能或者禁止内部高速时钟HSI。注意1：当进入停止（STOP）或者待机（STANDBY）模式，HSI会停止。在从复位启动，从STOP和STANDBY模块唤醒或者使用HSE直接或者间接作为系统时钟失败后（如果使能安全系统时钟），使用HSI时钟（由硬件使能）。注意2：当HSI作为系统时钟源，HSI是不能被停止的。因此，你必须选择另外一个时钟源，然后停止HSI。注意3：使能HSI以后，软件必须等待HSIRDY标志位置位，以确保HSI时钟稳定，并且可以作为系统时钟源使用。函数参数说明：NewState：HSI新的状态，这个参数有以下两个宏定义ENABLE：使能HSIDISABLE：禁止使用HSI注意：当HSI停止，在6个HSI振荡器周期后，HSIRDY变低。函数返回值说明：无6．&&void RCC_LSEConfig(uint8_t RCC_LSE)函数解释：配置外部低速振荡器。注意1：由于LSE在备份区域，并且在复位以后的写访问依赖于这个区域，因此在配置LSE前，你必须使用函数PWR_BackupAccessCmd(ENABLE)（复位后即操作一次）来使能写访问。注意2：使能LSE后（RCC_LSE_ON或者RCC_LSE_Bypass）,软件必须等待LSERDY标志位置位，来表明LSE时钟稳定并且可以用于RTC时钟。函数参数说明：RCC_LSE：指定LSE的新状态这个参数可以是以下三个值之一：RCC_LSE_OFF：关闭LSE振荡器，在6个振荡器周期后，LSERDY标志会变成0RCC_LSE_ON：打开LSE振荡器RCC_LSE_Bypass：使用外部时钟旁路LSE振荡器函数返回值说明：无7．&&void RCC_LSICmd(FunctionalState NewState)函数解释：使能或者禁止内部低速时钟振荡器。注意1：使能LSI以后，软件必须等待LSIRDY标志位置位，确保LSI稳定，并且可以用于IWDG或者RTC时钟.注意2：如果IWDG（独立看门狗）运行，LSI是不能被禁用的。函数参数说明：NewState：LSI新的状态这个参数可以是ENABLE 或者 DISABLE 注意：LSI停止后，在6个LSI的振荡器周期后，LSIRDY标志位变成0函数返回值说明：无8．&&void RCC_PLLConfig(uint32_t RCC_PLLSource, uint32_t PLLM, uint32_tPLLN, uint32_t PLLP, uint32_t PLLQ)字数超限&&请大家下载PDF文档观看该函数详细解释
9．&&void RCC_PLLI2SConfig(uint32_t PLLI2SN, uint32_t PLLI2SR)
16:25:00　　
继续补充，静候。。。。
07:20:35　　
会的，，，，，，，，，，，，，，，，，
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好谢谢分享，订报新手的工具
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版权所有 (C) 深圳华强聚丰电子科技有限公司这个用Vmos管的RCC电路的控制是如何工作的？
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yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 16:58:07
|WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 17:21:34&600V9A的MOSFET配EE22变压器？有￥ ||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 17:29:00&&li id=&r_416498&&WANGYUREN大侠你好，由于原板上元件被打磨，就找了个型号放上做替代，这个电源输出12v2.4A，您看应该用什么型号？谢谢 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 17:34:57&这不好讲：散热情况咋样？EE22做将近30W？工作频率肯定低不了 ||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 17:45:46&1A左右时在100KHz的样子。发热不太大，没有用散热片 ||後會絠萋离线LV7版主积分：8401|主题：195|帖子：2514积分:8401版主 17:52:21&看线路等情况楼主的公司像是潮山那边的 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 18:19:14&我是苏南的，业余学习电子，最近烧了个电源，想动手修修，结果发现完全不了解RCC的工作原理，所以来向诸大侠求教 ||ta7698离线LV8副总工程师积分：3080|主题：5|帖子：340积分:3080LV8副总工程师 09:51:53&RCC电路要正常工作有两个反馈少不了：一是正反馈（包括起动电路），一是负反馈，正反馈让电路起振开始工作，负反馈让电路稳定、电压电流合适。把这两个东东搞懂了，RCC就好弄了。 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 10:00:20&嗯，谢谢你的提点，还想麻烦你具体指点下我在下面12楼的问题，谢谢 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 11:47:53&这个板子是示波器的板子么，前些时候公司的TEK示波器坏了，上电没反应，被我拆开修好了，RCC真难修，参数有一点不对就不行，整整花了四天，参考了很多RCC的资料，最终才搞定的，而且是把示波器整个电源线路都给抄下来的，累啊！
不过你这个线路和TEK3052B很像，很多参数都一样，几千块的示波器，用个RCC的电路做电源，真抠门啊！ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 07:59:28&不是示波器里的，是单独用的 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:12:29&估计110V输入满载会烧 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 09:34:30&就简单低地加常见的TO-220散热片，或换导通更小的vmos管会解决问题吗？
另外也想请您也帮着指点下我在下面的提问，谢谢 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 09:43:33&不是那回事：用低内阻MOSFET推小变压器出大力，工作频率不高变压器会饱和，用啥MOSFET都会烧；栅极对源极或热地没有电阻，输入电压建立缓慢振荡失控，容易烧管 ||magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 11:50:27&这个地方肯定要放置稳压管，而且稳压管稳压值大的话，启动可能会有问题，个人深切体会！ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 15:13:20&放稳压管主要是为了满足安规要求
放电阻才可以避免启动烧机 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 18:10:52&维修的时候是个9V的稳压管，但是手头没有9V的，上了个13V的，死活不启动，电压时振荡着往下掉！
放电阻才可以避免启动烧机，这倒是铁律啊！完全赞同！ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 04:10:45&不好意思，你说的是加在哪的“9V的稳压管”？是光耦原边的哪个？
另外你维修的哪个电源vmos和整流管是什么型号的？ ||magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 16:33:51&IR830
TO220封装 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 10:12:13&谢谢 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 16:36:00&稳压管是放在MOS栅极的！ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:03:07&您说的电阻是不是跟常规Vmos驱动电路里的一样，那个电阻一般在10k左右，在大功率驱动里的确有加速关闭降vmos温升的作用 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 10:15:26&启动低压保护 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:31:59&我把Q3的照片放上了，辛苦你过目 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 09:43:57&变压器好像比E22大 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:07:52&我又仔细量了量，实际磁芯E高度是20.35，厚6.2，应该算是比较小了，不过这个电路工作频率应该比一个介绍的RCC高 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 10:15:51&宽度？
上波形？ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 04:03:48&单片E芯的宽度约12.7的样子。
上哪个波形？
Q1、Q2、R5和C3 一起构成的功能 可以理解成 可控恒流源？ ||
hu离线LV2本网技师积分：135|主题：0|帖子：14积分:135LV2本网技师 10:51:55&*****广告已经删除***** ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 05:04:11&刚才我查了下K2645在4A时的Rds=1Ω，最大1.5 ，2N60在1A时的Rds=3.8Ω，最大5，在我的测试中，2A的发热也不很厉害，感觉好像k2645更像些，反正用的是拆机品，价格应该也不会太高 ||jiame2006离线LV6高级工程师积分：850|主题：6|帖子：393积分:850LV6高级工程师 20:24:29&普通RCC结构哦，要从各方面辩证分析，环环相扣 ||
後會絠萋离线LV7版主积分：8401|主题：195|帖子：2514积分:8401版主 20:30:50&跟我以前做的一模一样 ||yedaochang离线LV6高级工程师积分：1683|主题：63|帖子：626积分:1683LV6高级工程师 08:15:55&很经典RCC电路。 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:20:24&输入电压建立缓慢很容易烧 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:30:07&那太巧了，不好意思，求教了。
1. Vmos的合理型号是什么？还有整流管型号？
2. R9、R10是必须的吗？我看许多RCC电路都不用
3. 这个电路在ON 和OFF时的工作环路是咋样的？
4. 它的稳压环是如何工作的？
5. R6好像是过流保护（或称恒流源）的取样电阻，那么这个环又是如何工作的？
不好意思先谢过了 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 12:06:52&我先抛砖了：
1.RCC很挑MOS参数，有些参数稍有不同，电路启动就成问题，之前修TEK示波器的板子的时候，最终也是替换MOS的参数有问题，花了好长时间，而且是门槛电压VTH这个参数，之前从来没考虑过的参数！整流管？跟普通的电源一样的选！
2.R10和R9虽不是必须的，如果你想获得一个稳压的话，肯定是必须的！
3.这个电流由很多个暂态阶段，分析的让人头大，个人能力限制，无法回答！
4.它的稳压环工作是类似于电流模式的，IF*R7+Ipri*R6=VQ1BE,IF是光耦反馈回来的电流，通过它来实现稳压！
4.R6不只是过流保护（当然功率大的话肯定会有保护），而且是电流控制模式的SENCE电流波形采样，工作类似于4中的等式！
对于RCC我知道的也不清楚！还望大家讨论指正我的错误！ ||magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 12:10:14&2.R10和R9虽不是必须的，如果你想获得一个稳压的话，肯定是必须的！
这个说的有问题，R10和R9不是必须的，他们的阻值都很小，对电路功能不会有什么影响，R10好像是给C6充电限流的，R9可能是抑制RF，或者就是单层板的跳线！
个人愚见，望指正！ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 15:17:31&R10可有可无，V6烧￥用大容量的话R9同样可有可无。 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 15:20:36&VGS(th)参数和R2、GS并联电阻决定启动时的母线电压，避免启动失败烧机 ||
报道离线LV6高级工程师积分：988|主题：15|帖子：375积分:988LV6高级工程师 15:51:52&推存，你去参考一下 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 16:47:42&楼主讲的是MOSFET做RCC，你咋整个BJT的RCC？ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 16:48:10&BJT谈不上VGS(th)参数 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 17:24:24&这个论坛的结构有时会疏漏回复的内容，我把上面回复的文字再拷到下面来。
1.单片E芯的宽度约12.7的样子。另 实际磁芯E高度是20.35，厚6.2
2. 请问WANGYUREN上哪个波形？（板子已修好，就1虚焊）测试条件是什么？我来试着测测
3. Q1、Q2、R5和C3 一起构成的功能 可以理解成 可控恒流源？
4.我查了下K2645在4A时的Rds=1Ω，最大1.5 ，2N60在1A时的Rds=3.8Ω，最大5，在我的测试中，2A的发热也不很厉害，感觉好像k2645更像些，反正用的是拆机品，价格应该也不会太高，大电流的管子Rds小，工作发热低。淘宝上我看了下，拆机K2645估计0.75元就能搞定。整流管好想也是同样思路，2个大电路的再并联，性能好发热低 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 19:44:23&Q1、Q2、R5和C3 其实他们可以理解成一个BJT，因为一个BJT的hFE不够，用两个BJT电流放大倍数比较大，然后管子可以速度关断！ ||WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 09:08:02&1.磁芯型号是按宽度来算的
2.满载测VDS ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 11:07:22&哦，请推荐个选型的计算过程，先谢。
我来测试 ||WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 09:09:22&42楼解释了Q1、Q2，不过不是复合管而是SCR ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 19:58:39&谢谢楼上指正我的错误。肯定不是复合管，跟SCR拓扑PNPN很像，回头查查资料去！ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 09:11:48&俩二极管并联均流不好，估计一个二极管是另一个的散热器 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 11:08:27&这到是第一次知道这样用法。受教 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 13:49:36&这种用法常见于生产管理水平不佳的工厂出货 ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 22:45:58&很精典的电流控制型RCC电路
Q1Q2组成一高速可控硅，当Q1基极电压超过导通临界点，2个管子连续导通，释放MOS管栅极电荷，直到MOS管关断，2管子均退出导通，等待下一个导通周期。
而R6是电流三角波采样电阻，采样电阻上的三角波和光耦流过R7产生的直流电压叠加，用来控制Q1在mos管什么电流下导通，叠加的直流电压高，电流采样电阻上面的三角波就小，MOS管导通时间就短。从而实现输出电压调整。 ||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 11:19:44&谢谢，介绍的挺详细。那C1、R8的作用是？ ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 13:02:17&C1是关键的正反馈耦合电容，没了这个电容，系统就没法实现正反馈自激振荡了。
R8分析后感觉理论上没这个电阻线路也应该能正常工作，如果考虑到和下面几个电阻组成的分压回路施加到Q1基极，根据线路相位，作用的方波是正的输入电压幅值，那么应该可以起到类似前馈功能，当输入电压升高时候，可以直接提高Q1的栅极电压，从而直接减少MOS管导通时间，提高输入电压调整率和相应速率。想证明我这个分析，方法挺简单，如果这个电路你已经修复，能正常工作，你可以试着带一个标准负载，并试着减小R8的值，并观察高低输入电压时候输出电压情况，在R8小于某个值后，输入电压上升，输出电压出现下降的情况，那么毫无疑问这个就是前馈电阻了，减小R8的值，其实就是调整前馈量，到低于某个值，就会发生前馈过补偿，输入升高输出降低。 ||WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 13:51:50&厉害：确实是最大输入功率的线路调整电阻 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 20:08:50&R8一般直接从母线上引下来，这个直接从辅助绕组上引过来倒真是很少见呢！ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:48:28&更能反映变压器的电动势 ||
gaohq离线LV8副总工程师积分：8184|主题：213|帖子：2939积分:8184LV8副总工程师 21:00:07&设计时如何计算R8的值？ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 05:43:01&厉害，似乎天行健也是第一次看这个电路，能分析的这样仔细，的确有水平。
我昨天测了一下各点的波形，先在这里放上，方便几位大侠的分析指教，都是在220vAC输入+大功率可变电阻串负载下测的。如果大侠们对哪点的波形有疑问，或要增加测试内容，请留言告知，我会努力重新测过
关于R8的测试我今天弄好车的年审后再测，不过最好能给个试验条件的建议。 ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:54:38&波形用手工描到原理图里还画恁像！楼主用心良苦可钦可佩！没发现啥不对劲的 ||天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 09:41:16&波形描绘的是真不错，赞一个。
是的，这个线路，是第一次看见。对普通三极管构成的RCC还算熟悉，对mos管做的RCC基本上没看过具体线路。
过去在NPN管的RCC里面，电压控制的占绝大多数，电流控制唯一记得一个最精典也是最成功的线路当属于三洋80P 彩电开关电源，线路简单，可靠性好，效率高，瞬态响应非常出色。
MOS由于其电压驱动的特性，导致和一般NPN管的RCC控制有很大不同，不过正是由于驱动的电压性，一般来说，MOS管RCC控制方式也大多为电压反馈模式比较方便容易实现。
这个线路采用器件很少，只是通过双管复合构成的高速可控硅，以直流叠加电流锯齿波方式触发，实现了电流控制模式，并同时实现了MOS管高速关断的需求，设计手法相当出彩，且貌似还带输入电压前馈，前馈接入点也非常巧妙，不是采用高压的母线端，而是通过耦合的正向导通方波获取比例的输入直流方波值，减少电阻耐压减小功耗，感觉这个线路设计是非常巧妙的。
这种线路，如果输出变压器工艺做的考究点，输出电压应该是12V的吧，根据波形所示占空比和测量结果可以计算出整流管反压应该是60V左右，采用100V左右的肖特基成本绝对可以承受，同时进一步合理的设置mos管基极参数以获得合适的开关速度，这样一来甚至可以不需要吸收回路来控制管子尖峰，进一步精简线路并提高效率。 ||magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 18:20:46&天行健果然对于RCC不是一般的了解，菜鸟膜拜了！
过去RCC里有很多电压控制的么？我见到的好像都是电流控制模式的呢！
另，最近我手头一个NPN做的RCC机种部分产品不良，短路功率很高，机种是电流模式的，变压器开了很大的气息，但是在短路时，第四个电流脉冲变压器就饱和了，更换变压器就OK了，变压器参数无问题，变压器对调磁芯问题依旧！差异应该就体现在变压器的绕组上。但目前还没找出不良变压器不良参数！请“天行健”给点思路吧！ ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 20:13:26&RCC设计合理的，具有天然对抗短路能力，短路了，环路自激条件直接被破坏，瞬间就停止震荡，如果产品不良，一般原因有2：
1、被短路的输出绕组漏感太大，造成短路后主线圈和自激反馈线圈条件未被严重破坏，继续减幅震荡甚至连续震荡工作从而损坏。对于此原因，解决的方法就是改变线圈工艺。最大程度增加主线圈和输出线圈之间的耦合度。并适当减轻主线圈和反馈线圈之间的耦合度。
2、反馈能量过大，同样也会造成短路后不是直接停震而是产生减幅震荡，时间稍久，就会损坏。解决办法更简单，调整反馈绕组的匝比。
很明显，上面的情况都是线圈本身决定的，和磁芯基本上无关，因此对换磁芯应该不能解决问题。
又：这里所谓的电流控制，是指由主开关电流锯齿波作为主作用信号的控制模式，也就是检测主开关管电流峰值进行控制的模式，才叫电流控制模式。你看见很多吗？在我印象中，RCC绝大多数都是电压控制模式啊。 ||
magic-young离线LV4初级工程师积分：335|主题：0|帖子：117积分:335LV4初级工程师 21:35:11&谢谢分析，你的分析让我对RCC的认识有很大提高，听君一席话，胜读十年书。
因为最开始怀疑变压器接近饱和，因为总是在变压器的振荡的第四个周期开始饱和，之后初级电流就开始在饱和的变压器的作用下剧烈的振荡（振幅衰减的连续振荡，在此不得不钦佩楼主的分析），一段时间后又开始四个周期的波形，但今天加气息等方法试过后确认磁芯远没有饱和。
我也是认为RCC有天然的抗短路能力，我的这个机种只有10%的变压器是不良的，看到天行健的分析，发现我遗漏了很多东西，明天回去验证您的三点意见！
今天才在论坛里看到电压模式的RCC，可能被自己手头的两个电流模式的RCC机种迷惑了吧！ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:37:35&是这个三洋电路
||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:11:37&奇怪，今天像是发不了回复,这会少字测试可以，可真要回复就不行，晕。等等再来试 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:17:44&我是做机械设计的，就只会瞎画几笔，对电完全靠自学，身边再没有一个学电的朋友，这次能遇上你们几位来指导，很是高兴，几人行皆我师。
对“天行健”我的感觉不静仅仅是熟悉RCC，更看的出有深厚的理论功底。｛天行健｝是自律或清华出? ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:16:45&真是不好意思，本来想对“天行健”提出的“电压前馈”作试验验证，但无奈几年前用过的一个自耦变压器怎么也找不到了，或许搬家时被LP当垃圾给卖了，或许跟其他一般不太用的“垃圾”弄老妈的房子里堆着了，抽空去找找。 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:17:19&我在网上看到2篇文章，跟这个RCC没什么直接关系，但感觉对理解电压、电流反馈有用，想请大侠点评下是否透彻
开关型DC／DC变换器电压、电流控制的基本原理
电压、电流的反馈控制模式 ||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:19:11&从前面的讨论，我得到的感觉是这个电路是一个比较优秀的RCC电源（12v/2.4A），所以我很想试试 通过对这个电路作不太大的调整 看看还有没有进一步拓展输出能力的可能：
1. 光耦的原边电路就1个电阻串一个稳压管再与光耦串， 稳压管参数不可能都正好高度一致、合适，那么这个RCC的输出电压微调靠哪个元件最合理？ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:19:38&2. 从已经做过的测试看，目前这个板上的Q1、V8（V9）应该还有电流裕度，如果我稍微减小R6，给Q1、V8（V9）加上散热器，有没有可能使输出电流提高到3A左右？（这时功率在36w还是小于一般认为的RCC推荐功率上限）
3. 如果提高电流到3A，频率估计还会往下掉，变压器可能会有问题，那么我瞎想，能不能先在不更换磁芯（不然要改PCB了）的情况下减少15%~20%的初级匝数，次级、反馈也相应减少，提高些工作频率，是否可行？如果还有哪个元件要变化也请指示？
纯粹瞎想，见笑了
另目前电路的占空比是不是已经偏大？ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:23:52&很艰难地用分割法发完回复，这个坛回复有字数限制？ ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 09:02:10&能不能提高，提高多少，取决于管子，更取决于线圈、磁芯。
如果加上散热器，增加MOS管耗散功率，同样磁芯，通过提高频率来提高输出功率肯定可行，不过到底能到多少，还得根据实际情况测试下来看。实际做起来，线圈匝比不建议动，因为这样一来，占空比发生变化，反射电压也发生变化，随之需要更改的参数就非常多了。这个线路前面分析了，导通是由R6的锯齿波决定，关闭是由输出电感量折算的放电斜率到断流时间决定。因此，减少初次级匝数，就可以提高频率。
具体方法上，给管子加上散热，按比率减小R6，按比例的平方根减少变压器初次级匝数（维持匝比不变），就可以了。其他的参数不用改变。可以看看到底能做的多少功率。 ||yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 09:19:16&这几天看奥运耽搁了下。
为了能逐步了解改动的变化，我先在没有动变压器的情况下先围绕R6进行调整试验，先给Q3和输出整流二极管加了散热片，并根据输出纹波的情况加大了C5至1000u。试验结果如下：
可见减小R6能加大输出电流，但也发现给R6并联的电阻从1.5R起增加电流的效果就开始变差，或许由于做负载的大功率电阻我无法用更细的档进行切换，所以这个R6的并联电阻阻值在1~1.2R时我无法测量出输出电流的变化。看来如果想进一步提高输出电流，继续调R6或许不再是最敏感的因素？也不知何故？
但在调整R6的试验里，随电路的加大，Vd的过冲尖峰越来越大，RCD电路好像应该重新调整参数，（虽然目前我尚未调整），不知对否？
另：加大电流后，Q3温升不明显，但输出整流二极管温升明显，也难怪，毕竟3W的热量要散发仅靠一个比TO-220散热器大2倍的散热器应该是不够的。
从目前的试验看占空比好像变化不大，Q3导通时间还是在20~23%的样子，只是频率在2.6A左右时降到47kHz左右。不知这种情况正常吗？下一步准备动变压器，仍然按“天行健”的方法做？ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:43:05&∵RCC负载越重开关频率越低，带载输入电压越低开关频率越低
∴用EE22做30多W在110Vac输入条件下满载可能会烧 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 10:16:53&改EE25有希望能过85~264v？
EE22有没有可能过160~264v？ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 11:11:33&主要看选用的磁材和工作频率 ||WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 16:33:17倒数10&RCC在最低输入电压满载工作变压器处于最大磁损和铜损状态 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 06:44:10倒数9&因为我不是做电源设计工作的，所以我不知道满载工作时变压器处于最大磁损和铜损状态的具体表现是如何的？或者说，我如何通过测试能够（提前）知道“变压器处于最大磁损和铜损状态”？谢谢 ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 09:04:16倒数8&测试？这个倒是没有什么特别方法去做的
所谓最大磁损，就是指输出功率最大状态下，磁芯当然处于最大磁损状态，铜损就根据线圈电流来确定了，由于最下输入电压时候，其初级线圈输入电压最低，因此同等输出功率时候，其激磁电流就是最大，所以，该时刻的铜损也当然是最大。所谓最大磁损铜损状态，最容易观察到的就是变压器温度最高。一般的来说，这样的变压器内部温度做到100℃以下就可以算是正常的。
提升频率，无疑可以让同一体积的变压器获得更大的功率，而减小的电感量，意味着匝数减少线径增大，当然就可以降低线圈铜损，不过同时，因为转换次数的增加，会直接导致主开关管和整流管消耗增加。
又：同一个线圈，由于输出功率增加，激磁电流也会增加，正常情况该电流是正比增加的，但是如果到了临近饱和的那地方，会由于电流非线性上翘，造成初级切换的开关电流大大增加，如果你观察到反峰尖刺大大增加，而不是睡着功率的增加基本上正比的增加，那么很直观的就说明了该线圈已经到了临界保护的区域了。这个时候不改变线圈电感，你就不能进一步提升输出功率了。 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:25:31倒数7&正在着手准备调整变压器。因为购买的磁芯骨架未到，暂先不拆解变压器。不过
已把变压器从板上拆下，用自制电感仪测试了下，Lp=1.25mH / 89kHz，用双踪示波器直接测匝比
初：次：馈 = 14.28：2.28：1
。后用网上找到的几个RCC设计计算工具反算，结果Lp明显过高，初次匝比 明显偏低。疑惑中。请指点 ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 10:42:39倒数6&根据输出12V和220V输入时候你画的主开关波形输入方波为400V， 可算得220V输入时候的反射电压为400-310=90V，可获得初次匝比为90:12.8（12V+二极管正向压降）≈7。初次级匝比，取决于设计之初，确定的反射电压值，而该电压同时决定了开关mos管的耐压功率参数，这个可以有高低，一般来说，设计比较高的反射电压，开关管就需要更高的耐压参数，而过低的反射电压又会造成正常工作的占空比太小，切换电流过大，造成效率降低，这是一个设计之初就需要折中考虑的问题，一般情况大多数建议反射电压定为80-150V，反射电压和输出电压确定后，初次级匝比就被确定，无所谓匝比高或者低啊。
反馈圈数的确定和最低工作电压有关，关键参数是最低工作电压时候，主mos管应该能获得至少10V的栅极电压，这样，算工作到100VAC时候，整流输出为135V，也就是主方波的导通方向电压幅度为135V，按最低10V栅极驱动电压计算，就可以获得初级和反馈的匝比为135:10=13.5:1
而你测量的为14.28:1，实际上验算在AC100V时候mos管大概可以获得9.5V的驱动电压，属于正常范围呢。
经过初级计算，你测得的初：次：馈 = 14.28：2.28：1，各绕组匝比都挺合适的啊，不知道你找的什么参考资料，估计不是你计算有误，又或者该资料计算的参数并不针对这个类型的线路。 ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 06:35:53倒数4&受教了，谢谢
我在上贴中关于“匝比”，有层意思没表达清楚，实际上我是从对这个电源的前期测试后，挺认同这个电源的，对于测量的匝比，我的观点是：现实性能好就是合理，只是我的疑惑是：我用在网上找到的（现成的）计算RCC变压器的至少4个不同Excel计算表【如等】
来对这个电源参数下进行计算得到的匝比，与实际电源有较大出入，而且差别还挺大，就无法判断究竟是“实际的”还是“计算的”更合理？或者说以后自己设计类似RCC电源是应该更多的参考谁？虽然我内心更接收实物的，但程序又要如何改呢？ ||
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 15:57:56倒数3&研读并改编了一些RCC变压器计算程序，终于能算出基本接近实物测试的结果，再由此测算加大输出电流需要调整的结构参数，结果：
1.保持正常电压满功率工作时频率不变（50kHz），发现电路从2A提高到3A，变压器似乎匝比和匝数都不用变，线径应加大，磁芯功率裕度用尽（还超了些，估计发热会加大些），变压器气隙要加大，（Lp减小）；
2.保持正常电压满功率工作时，频率提高到65kHz，发现变压器似乎匝比仍不用变，但匝数降低，线径加大，磁芯功率够用了，变压器气隙要略加大，（Lp变得更小）；
3.之前 WANGYUREN 多次指出变压器在110Vac输入条件下满载会饱可能会烧，在现在的计算里也可以看到在采用coreEE25.4的磁芯，在100v时占空比接近0.5，磁感应强度将大于330mT.
折腾了几天，得到了上面三个结果，但我不敢认为是否恰当，还是请几位大侠点评。谢谢
购买的磁芯、骨架还没到，我打算明天先按上面1的结果，加大气隙试试，看看能不能增加电流、变压器会不会变的比较热，铁损热？铜损热？ ||
s离线LV2本网技师积分：136|主题：0|帖子：18积分:136LV2本网技师 15:15:45倒数5&兄弟需要变压器找我呀。 。我们公司可以做的。QQ
yyj679离线LV3助理工程师积分：284|主题：4|帖子：83积分:284LV3助理工程师 08:04:11&也在看奥运？&& ⌒∮⌒ ||
WANGYUREN离线LV10总工程师积分：16197|主题：94|帖子：7375积分:16197LV10总工程师 08:46:03&没看奥运●︿● ||
天行健离线LV4初级工程师积分：333|主题：1|帖子：75积分:333LV4初级工程师 09:15:05&这几个模型，分别对应电压、电流控制模式，没错。
电压反馈特点：占空比范围大，抗干扰能力强，缺点：动态响应差，电压调整率、负载调整率相对都低，过流保护复杂，环路补偿比较复杂。
电流反馈特点：优点是动态响应好，电压调整率、负载调整率明显优于电压模式，有天然过流保护特性，过流保护处理简单，比较器反馈补偿环路简单。缺点是占空比变化范围相对比较小，由于引入了电流锯齿波，因此对板子脉冲干扰比较敏感。有时必须引入斜波补偿来解决次谐波震荡。 ||
oldzhangzcm离线LV2本网技师积分：150|主题：1|帖子：18积分:150LV2本网技师 09:51:13倒数2&我用了开环的，最简单的单个高压功率三极管的RCC产生高压（35kv），给电容充电，高压电容两端并联着放电球隙，球隙的作用是限压。这个电路很可靠稳定，放电声音很大，能满足放电需要。
在高压电容充电-球隙放电的循环中，随着高压电容的电压逐渐升高，用示波器看三极管集电极波形，波形的频率变低外，导通、截止占空比也在变化，随着高压电容电压的升高，占空比逐渐增大，集电极的反压也逐渐增高，符合反激式升压的波形。波形是很好的方波。
我的问题是
1 。这个电路能不能像别的RCC电路那样在反馈电容上并联二极管？
2 。三极管饱和为什么会维持那么长时间，而且随着高压电容的电压升高，维持时间越长？也就是这种RCC的自动调节原理？
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3121离线LV6高级工程师积分：896|主题：8|帖子：102积分:896LV6高级工程师最新回复 11:04:26倒数1&你这三极管是什么型号的？
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