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什么是三极管的倒置状态及其作用？
1、什么是三极管的倒置状态?
集电结正偏，发射结反偏，为倒置状态;集电结正偏，发射结正偏，为饱和状态;集电结反偏，发射结反偏，为倒截止态;集电结反偏，发射结正偏，为放大状态;
2、对三极管倒置状态的分析
实际上，当NPN型三极管的三个电极电位关系为UE&UB&UC 时，三极管内两个PN结的状态为be结反偏，bc结正偏。这时三极管工作在&倒置&状态。倒置状态的三极管其工作原理与放大状态相似，bc结正偏时，集电区发射电子，一部分自由电子在基区和空穴复合形成基极电流，另一部分电子被反偏的发射结&收集&形成发射极电流。倒置时由于三极管集电区掺杂浓度不高，发射的电子少，同时由于发射区面积小，最终收集的电子也少，形成的电流很小，因此三极管没有放大能力。倒置状态的三极管&是小于1的。当增大&倒置&三极管的基极电流时，倒置的三极管也可以进入饱和状态，但这时基极电流较大，同时管子的导通压降比正接时要小得多。
3、对三极管倒置放大的理解
①三极管工作于倒置状态时相当于把发射极与集电极对调使用(即集电极当作发射极使用，发射极当作集电极使用)，倒置时的三极管同样具有三种工作状态。但是等效集电极电流(IE)与基极电流的比值即&要比正接时小得多，所以要使倒置的三极管进入饱和区，所需的基极驱动电流要比正接时大得多，但是倒置时的管压降要比正接时的小。
4、三极管倒置状态的应用
①TTL 数字集成电路中作为信号输入用的多发射极三极管， 当输入为高电平1 时，就是一个倒置使用的三极管。三极管在倒置使用时，它的两个PN 结的偏置情况与工作在放大状态时是相反的：发射结反向偏置，集电结正向偏置。因此，集电结可能烧毁，而发射结可能击穿。但是，由于工作于倒置状态的三极管的电压放大倍数&通常很小， 如平面三极管倒置使用时的&值约为0.1～0.5，因此一般不会出现烧坏的情况。目前已经很少使用三极管作倒置状态。
②在使用万用表检测判断三极管的三个电极时，可以通过&三颠倒&方法找到基极和并判断三极管的管型，而集电极和发射极的判断就需使用三极管的倒置状态。以NPN型三极管为例，万用表选择欧姆档的R&100 或R&1K量程，按照图1所示，用手指捏住三极管的基极和未知电极，将万用表黑表笔接未知电极Y，红表笔接X极，观察表针偏转角度。再按照图2所示连接，观察表针偏转角度。比较两次指针偏转角度，偏转大的那一次黑表笔接的是集电极。这种判断方法的两种接线方式对应了三极管的两种状态：放大状态和倒置状态。其中指针偏转小的那次，黑表笔(万用表内直流电源正极)接三极管的发射极。此时，三极管三个电极的电位关系为UE&UB&UC ，三极管工作在倒置状态，万用表表针偏转所通过的电流为发射极电流，因为这个电流较小，所以指针偏转较小。另一种接线方式对应为三极管的放大状态，通过指针的电流为集电极电流这个电流较大，对应万用表的指针偏转也较大。
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请问怎样判断三极管是处于放大状态?
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你是理论计算还是实验论证?理论计算的话,先假设一下三极管处于放大状态.然后计算出三极管的静态工作点(Q点).如果计算结果是集电结反偏,发射结正偏,就是集电结的PN结的压降>0.7v(一般是几伏）如果发射结的压降是0.7v.那么证明三极管工作在放大状态.三极管处于什么状态和外接的电阻,三极管本身的特点,电源电压（VCC）有关系.主要是三极管的静态.和三极管的动态输入无关（主要指小信号输入的情况下.）如果处于放大状态的三极管,基极有输入信号的话,集电极的电流自然会放大的.如果实验论证的话更简单了.你可以测量一下集电结和发射结的压降就知道了.
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晶体管处于放大状态,测得集电极电压为12V,基极电压为11.7V,发射极接地,则该三极管是锗吗?
先问问你有没有打错字?如果没错的话就不能判断是不是锗管.d而且还是坏的哦.如果是晶体管处于放大状态..测得集电极电压为12V,基极电压为0.3V-0.4C因为差0.3V而且在放大区.已经有前提了.该三极管就是锗
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与《晶体管处于放大状态,测得集电极电压为12V,基极电压为11.7V,发射极接地,则该三极管是锗吗?》相关的作业问题
第一个三极管是锗材料PNP型三极管,三个脚分别是E,B,C.第二个管子是硅材料NPN型三极管,三个脚分别是E,B,C.
npn型的,型号谁也不知道.参数不够
晶体管各极的电压：NPN管Vc>Vb>Ve时晶体管就处于放大状态；晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.
晶体管处于饱和状态时：发射结正偏（加正电压）集电极正偏（正电压）或零偏（零电压）
反向电压!N沟道结型场效应管工作时,需要在栅-源极间加一负电压(vGS＜0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右).在漏-源极间加一正电压(vDS＞0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD.iD的大小主要受栅-源电压vG
可以减小.PN结导通电压具有负温度系数,也就是温度越高,导通电压越小.规律是每摄氏度降低2.5mV,这在模电书里说的很清楚,在PN结或者二极管导通电压一节.你的前面推导中,当集电极电流增加后会导致三极管升温,这样发射结导通电压VBEQ就减小,由于基极偏置电压不变,而导通电压减小,则会伴随基极电流增大,而基极电流增加,又
PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中E极电位最高.C极电位最低. 再问： 能在线问您几个问题吗，分数可以追加。很急，下午要考试了。 再答： 说吧. 不用加分.再问： 用万用表测处于正常工作晶体管的类型，怎么样最方便，有三个选项 A各极间电阻B各极对位电位C各极电流 再答： 用万用表测处于正常工作晶体管的类型，怎
U1为集电极电压,U2为发射极电压,U3为基极电压；此三极管为pnp形管. 再问： 能解释一下怎么来的吗，谢谢 再答： 一般pnp三级管发射极接电源正极，集电极接电源负端，基极偏压对集电极也是负端，也就是说，正常工作的pnp三极管，基极电压较发射极低，集电极电压对发射极更低，这与npn三极管所加工作电压正好是相反的，题
多子就是多数载流子,也就是自由电子.集电极电流是由于自由电子形成的.
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有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1到0.3伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.3伏及以上时,为饱和导通状态.
有四种原因会出现短路 一是在绘制layout时,PCB线路上短接了； 二是外围的其它电路元件引起造成； 三是在焊接中将基极、集电极焊接在一起； 四是基极、集电极击穿,三极管烧坏.解决办法,用万用表测PCB线路,看看基极、集电极两个线是否连接,或采用断路法将PCB可能短路的地方划破.第二是查看其它元器件是否烧坏,主要看周
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第一个三极管（Q1）的基极应该是1.2~1.4V左右,是Q1和Q2两只三极管的基极导通电压之和；由于R1作为集电极电阻其阻值相对较大,而R2作为基极电阻其阻值相对较小,因此两只三极管可能都会进入饱和状态（尤其是Q2进入饱和状态的可能性很大）；5V电源的电流走向是经R2到Q1的基极,然后分两路,一路经R4到Q2的基极,另
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三极管npn和pnp放大等状态判断条件
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