半导体在一定条件下都可以产生激光的三个条件光生空穴,为什么不同

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【讨论】关于光生电子和光生空穴的问题
作者 shanjian8208
问个弱智的问题
各种光催化半导体中产生的光生电子和光生空穴,其氧化还原的强弱有何区别?怎么来判断?
引用回帖:Originally posted by shanjian8208 at
问个弱智的问题
各种光催化半导体中产生的光生电子和光生空穴,其氧化还原的强弱有何区别?怎么来判断? 这简单啊,用光催化剂来降解有机物,相同时间情况下,有机物浓度下降快的自然所对应的的光催化半导体的氧化还原性就越强。
不知道LZ我的回答满意么,
看看半导体氧化还原电势 可以判断氧化还原能力
半导体在光的照射下,光生电子被激发到导带上,价带上留下一个光生空穴。半导体的价带电位比水的氧化电位高即具有较强的氧化能力,导带电位比水的还原电位负的多即具有较强的还原能力。
[ Last edited by jintao5202 on
at 22:24 ]
引用回帖:Originally posted by jintao5202 at
半导体在光的照射下,光生电子被激发到导带上,价带上留下一个光生空穴。半导体的价带电位比水的氧化电位高即具有较强的氧化能力,导带电位比水的还原电位负的多即具有较强的还原能力。
[ Last edited by jin ... 同意楼上的说法
谢谢各位。
四楼说的有道理,在谈谈自己的认识吧:a 氧化还原强弱取决于能带宽度,即导带电位越负,还原能力越强;导带越正,氧化能力越强。b 氧化还原的快慢取决于空穴与电子的转移速率
光生空穴和电子的氧化还原能力与半导体催化剂本身的价带和导带的位置有关,而催化效率的高低与光生空穴和电子的迁移及复合有关。
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