&&[&& 原创&&]&& 作者：
&&& 金士顿4GB
1600超频中规中矩，大概在2000MHz左右。不过单条8GB 超频能力就远不如4GB DDR3内存，这几乎成了单条的通病。
金士顿8GB DDR3 1600内存
&&& 金士顿8GB DDR3 1600内存作为一款普条，它采用公版的板型设计，性能表现稳定。这款内存论超频能力，大家玩一下可以，超与不超的意义不大。我们作为测试人员，对一款内存要进行相应的超频极限测试。
金士顿8GB DDR3 1600内存默认频率
&&& 菠菜君使用的Z77X主板比较的极品，设置1600MHz，会自动小超到1614MHz。金士顿8GB DDR3 1600内存的默认时序为11-11-11-28-1T，工作电压为1.5V。
&&& 金士顿8GB DDR3 1600内存的极限频率为1696MHz，时序要调整到12-12-12-32-2T，电压1.65V。总的来说，金士顿8GB DDR3 1600内存的颗粒体质和其他品牌旗鼓相当，难分胜负。因此我们不难看出，单条8GB DDR3内存的做工大家不分伯仲，超频潜力难于鹤立鸡群，最后众厂家只有拼价格和拼售后。
&&& 注：本次测试仅有一根金士顿单条8GB DDR3 1600内存，因此我们在后面的测试基于单通道模式。
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4￥1105￥9096￥6997￥3398￥5999￥86910￥219内存升级免费午餐！DDR3超频终极解析
日 00:46&&&出处：&& 作者:张伟（编辑）&&
　　泡泡网内存频道11月16日&前不久我们在《》一文中详细介绍了内存频率和内存时序对内存性能、以及牵涉到的应用性能和游戏性能的影响，而由于要面对如此庞大的频率和时序配置，编辑本人自然选择了超频方式来满足一一的需求。
　　 目前来说内存超频已经简化了不少，在一些高端主板BIOS里面都已经集成了内存频率和内存时序的调节，而即使是中低端的产品也都支持频率的调节，只不过缺少了内存时序和内存超频的支持，也可以满足普通用户的需求了。
　　 而本文就从主板BIOS调节来为大家介绍一些简要的内存超频技巧，另外由于内存频率、时序规格植根于SPD，所以我们还将加入内存SPD的参数实战修改来超频，起到一劳永逸的作用。
内存SPD基本参数介绍
　　 由于BIOS内存超频相对简单，本文将在后续作简要介绍，而本文的重点讲集中在内存SPD参数的修改，在《》一文中我们曾经概览的介绍了下SPD的参数信息，而为了达成内存硬超频，我们有必要详细介绍下SPD的具体规格参数。
　　 SPD（Serial Presence Detect）也就是内存的BIOS，它是一颗8针的EEPROM芯片，容量只有256Byte，其中128Byte用于存储JEDEC规定的标准信息，其余部分留给厂商自定义数据和保留位置，包括产品厂商产品型号、序列号、生产日期以及一些特殊的内存说明信息等，而在保留位置还预留了Intel X.M.P信息存储空间。
　　 SPD通过SMBus总线与PCH（或南桥）芯片通讯，系统启动过程中BIOS要访问SMBus设备需要通过PCH芯片的寄存器实现。然后内存控制器根据这些信息初始化内存状态，这样内存就可以正常工作，自然要刷新SPD数据也需要经由SMBus总线。
　　 图示是一根三星的标准 1600（俗称“金条”）内存的SPD信息，这些数据是以2进制存储在SPD芯片当中的，为了简化阅读，图示信息都是以16进制展示，我们知道4个2进制位就可以代表1个16进制位，而一个字节8bit则可以存储2个16进制数据，也就是说256Byte包含了512个16进制数据。
关于内存的十六进制对照表
　　 根据SPD规范，这些数据基本是以2个16进制成对的形式来表达一项定义，而下文的介绍我们也以成对的数据来介绍。
内存SPD JEDEC官方定义解析
　　 知道了SPD是由这512个16进制数据表示后，下面我们就来一一看看它们代表的具体含义。
　　 在详细介绍这些信息前我们还是习惯性的把这些数据分为三组，JEDEC标准信息、内存厂商标识信息和Intel X.M.P信息。
　　 首先介绍的是JEDEC标准信息，而这一部分信息已经锁死，无法修改，我们看看就好。这部分数据起始位置为0-117，也就是118个数据对。00-09（十六进制，后面数据段都使用相同的方式表达）数据段描述了内存SPD、版本、颗粒、行列地址、位宽、支持电压等信息。
Thaiphoon Burner下内存的完整信息
　　 接下来的一部分为内存JEDEC官方标准内存频率和时序信息，数据范围为0A-26，这部分信息注重描述了内存基准时钟和延迟时间的定义，另外还由少部分字节来描述内存热传感器和设备类型信息。
　　 27-3B这个区间则为保留区域，为以后添加类似延迟、内存基本信息做准备。随后的3C-3F这一小段则用来描述内存模组的物理规格信息（高度、厚度等信息）以及产品使用公版方案和内存地址映射等。
　　 40-74同样是一片保留区域，不过这部分空白的主要原因是留给Registered、Clocked、Load Reduction等内存准备的，目前对于桌面的UDIMM内存还未有开发。
　　 75-91这个区域主要描述内存厂商关于这款内存的信息，这包括厂商代码、DRAM生产商代码、内存生产日期、内存序列号、内存产品号等信息，值得注意的是CRC循环冗余代码也在这其中。
Intel XMP内存技术配置解析
　　 在用户定义区域之前是一片留给厂商的自定义信息空间（96-AF），主要用于厂商对内存的补充信息说明和定义。接下来就是本次讨论的重点--用户定义区域（Open for Customer Use），这部分范围为B0-FF，在这个区域最常见的就是Intel X.M.P信息存储区域，最多可以存储两组X.M.P参数配置。
　　 在开头部分自然少不了X.M.P的标识信息OC 4A（16进制），接着是X.M.P启用类型，这包括每通道单条、每通道两条六种配置信息。紧接着的B4则用来标识X.M.P的版本，目前Intel最新的X.M.P版本为1.3。
　　 接下来的B4-B7为配置1和配置2的基准时钟定义。通过基准始终分子除以基准时钟分母（Medium Timebase Dividend/Medium Timebase Divisor）来代表来表示最小周期时间，也就是一个周期。
　　 紧接着的B8位置为保留区域（最新的1.3版定义规范下已经启用），接下来一长串B9-D1为X.M.P内存基准时钟和延迟时间的定义，基本和前文中介绍的JEDEC区域相似，只是参数位置、配置略有不同。
　　 D2-DA又是一片保留区域，而在这段的结尾，DB处留给了供应商个性化定义。自此Profile 1 X.M.P配置信息结束，接下来的一段延展（-FE）为Profile 2 X.M.P的配置信息，和Profile 1规则完全一致。
　　 不过在Intel的官方文档里面，Profile 1 X.M.P配置为通过认证的频率时序设置，而Profile 2 X.M.P则旨在达到更高更快的速度，可能会出现不稳定或无法启动的情况。
测试平台和测试方法介绍
　　 简要看完内存的时序和SPD信息后，接下来就开始正式的测试，为最大限度发挥内存的性能，测试使用了Intel新一代22nm Ivy Bridge处理器Core
3570K，Intel官方指导内存支持频率为 1600。搭配的华硕P8Z68-V主板，内存超频最高可以支持双通道DDR3 2800MHz规格，最大容量为32GB，当然主板支持Intel的X.M.P技术。
　　 内存方面自然是本次测试的重点，选用了一对俗称三星“金条”的DDR3 1600内存，产品DDR3 1600频率这一档内存时序为11-11-11，而根据以前的经验产品可以轻松超越DDR3 2133MHz，并且保持在较好的时序下，而市面上就有一些内存就完全基于三星金条，只不过套了一个散热马甲，频率预设这在DDR3 2133MHz，当然无可厚非三星金条确实有不错超频潜能。
　　 三星新款内存模组编号为M378B5273DH0-CK0，生产日期为2012年第38周，产品使用的内存颗粒编号为K4B2G0446D-BCK0，不过在官方查询到的资料上面并没有这样一个产品，官方有的编号为K4B2G0446D-HCK0以及我们熟知的K4B2G0446D-HCH9。
内存颗粒编号K4B2G0446D-BCK0
　　 我们猜测K4B2G0446D-BCK0为K4B2G0446D-HCK0的演化版本，但从6D的后缀基本可以判断产品还是使用了30nm工艺，超频值得期待。
　　 值得注意的是再三星的官方文档上我们还看到了一款编号为K4B2G0446D-HCMA的内存颗粒，产品用于制作DDR3 1866内存，同样采用了78pin FBGA封装，虽然内存时序为13-13-13，但是我们依然可以感觉到超频新秀的气息。&
标准BIOS超频解析
　　 标准BIOS超频只需通过简单的频率和时序设置就可以完成，但是不具备平台移植性，另外对于入门级用户很难把握超频的内存频率和时序设置，所以并不是最优的内存超频解决方案。
　　 而本文就简要的通过华硕的UEFI来为大家介绍内存的超频过程，首先我们拿到的是一款三星新款DDR3 1600内存（金条升级版本），继续采用了30nm工艺，不过设置相对保守，默认时序为11-11-11-36，无论是频率还是时序都有很大的超频空间。
　　 根据三星金条的通例表现，我就直接给大家演示超频到DDR3 2133MHz，内存时序为11-11-11的超频过程，首先进入到主板BIOS界面，进入AI Tweaker超频菜单，选中Memory Frequency，在下拉菜单中选中2133MHz，回车确定后进入DRAM Timing Control（内存时序）的设置。
　　 在内存时序菜单下包含了第一时序、第二时序、第三时序的丰富调节选项，而本文仅调节第一时序，其余Auto。依次将时序设置为11-11-11-36，Command Rate设置为1T。这样就设置完成了保存BIOS后重启就生效了。
实战内存SPD信息修改
　　 回到本文的重点--SPD修改，前面我们已经介绍了JEDEC信息已经锁死无法修改，我能只能寄希望于X.M.P修改（前提是你主要也要支持X.M.P），而我们使用了一款名叫Thaiphoon Burner的工具来修改和刷新SPD。Thaiphoon Burner提供了丰富的读取、编辑、写入等功能，可以实现一条龙的内存刷新服务。
　　 首先我们使用Read选项读取内存SPD信息，根据前文的介绍我们可以看到这条三星内存是没有X.M.P配置信息的，于是我们就从这里开始做文章，当然为了安全起见你还是得备份你的SPD，存储文件格式随意选择bin或是Thaiphoon Burner专用的thp文件。
　　 备份完SPD信息后，就开始着手修改了，打开工具--&XMP Enhancer Professional选项，当然由于内存没有X.M.P标识信息，我们需要先手动将B0-B1位置写入0C 4A的Intel X.M.P表示信息，点击写入后选择所有的内存。
　　 由于X.M.P涉及的频率、延迟信息规则定义非常多，就没法为大家一一描述了，在此给出一张JEDEC官方规格表供参考，而对于数据规则定义大家去参考JEDEC官方DDR3内存标准的详细定义。另外大家也可以参考一些高端发烧内存的X.M.P内存信息。
　　 添加完一组Profile配置文件后，用户还可以继续添加一组。然后就可以使用Write写入到内存SPD中了。写入完成后使用CPU-Z就已经可以显示内存的X.M.P信息了，只不过此时内存依然运行在启动时的频率上。
　　 于是我们需要重新启动电脑，进入BIOS就可以看到X.M.P了，我们只需将内存选项X.M.P打开就可以了，保存重启进入系统后就可以看到新的X.M.P配置生效了。
性能验证和注意事项
　　 刷新完内存后，现在用户还有更重要的事情要做，就是稳定性验证，在这里推荐Memtest，为了安全起见，建议跑到400%以上。
　　 测试完成后，我们还是来检验下内存的性能提升吧，对比的成绩为默认DDR3 1600MHz的成绩。
　　 首先进行的AIDA64内存带宽测试，内存超频后的读写成绩分别为21252MB/s和20010MB/s，对比默认的成绩有了明显的提升，另外内存延迟也从46.1ns降至38.2ns。
　　 接下来的3DMark 11物理测试得分也同样提升很明显。
　　 ● 注意事项：
　　& 1.由于涉及到BIOS修改，用户务必备份原始BIOS，以防修改失败刷回原始BIOS，实际失败了也可以以低频率和时序启动，当然最重要的是原始BIOS用于售后维修，如果内存被人为刷新估计质保就此没有了。
　　& 2.修改BIOS一定要阅读JEDEC官方的4_01_02_11R21A、JESD79-3F以及Intel的Intel Extreme Memory Profile(XMP) Specification文档，并最好参考一些高端内存的频率、延迟设置，因为这些设置都比较保守，出问题的可能性不大。
　　& 3.对于参数的修改，切记不要盲目求大，这样很容易导致内存出错率提升甚至无法启动，相反的我们应该选择降一档的规格来设置内存频率和延迟，以确保配置稳定。
　　& 4.如果内存刷新失败，可以尝试使用一根好的内存启动，等系统启动完成后迅速将刷新失败的内存插入，先尝试倒入原始的备份BIOS。
　　& 5.由于诸多原因，文中用到的软件和资料不便公开分享，如有需要可留言探讨内存超频技巧。■
适用机型：台式机 容量：4 速度：1333
扯扯车精品文章推荐● G.Skill
CAS 8芝奇4GB DDR3-1333这款G.Skill内存套装的编号为F3-1GBHK DDR3-1333套装，可在1.60V下，时序达到8-8-8-21。cpu-z在其SPD中我们可以发现，这款内存包含一个XMP档，可支持Intel的XMP技术，但其tRAS值为23，而不是额定的21。● OCZ Gold Series DDR3-1066 CAS 7OCZ 4GB DDR3-1066内存套装这款编号为OCZ3G10664GK的OCZ DDR3-1066内存套装的时序为7-7-7-16，额定工作电压为1.60V，不过在此电压下，这款内存同样可以达到DDR3--9-24。CPU-Z虽然其SPD中显示内存额定工作电压为1.50V，但实际上在这个电压下并不稳定，需要用户去手动调整。
第1页:寻找低价超频内存
第2页:威刚/Crucial DDR3内存介绍
第3页:芝奇/OCZ DDR3内存介绍
第4页:博帝/PNY DDR3内存介绍
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热门手机应用&&|&&责编：孙玉亮
&&& 30nm内存来势汹涌，基于新工艺的一线和二线品牌 -1600普条悉数登场，涵盖、4GB、8GB三个版本，其中数新版4GB DDR3-1600普条为重头戏，成为各大内存厂商争夺市场的焦点，不但价格便宜，并且超频的幅度令人叹为观止。
谁是超频王 5款4GB/DDR3-1600内存横评
&&& 30nm 4GB DDR3-1600内存和以往前辈一样，得到英特尔的支持和推广，同时大部分内存厂家低价铺货有利于普及，并且新版内存的特性深受消费者欢迎。新版4GB DDR3-1600内存可谓具备天时地利人和，注定要火一把。
第一、英特尔7系平台推动新内存普及
Ivybridge将默认支持DDR3-1600内存（图片来源于网络）
&&& 4月23日，英特尔发布22nm IVB平台，默认支持DDR3-1600内存，正是这一主要前提，内存厂家不约而同开启DDR3-1600内存的普及之门。面向主流消费群体的IVB平台，如同湖中泛波，推动DDR3-1600内存普及。
第二、新内存的起始频率更高 超频潜力巨大&&& 新版4GB DDR3-1600普条和老版相比，电压维持1.5V不变，默认频率提高一个档次，内存带宽速度显著提升。
&&& 同时新内存的芯片采用更先进的30nm制造工艺，超前潜力巨大，大家几乎可以忘记超频内存。同时新内存的发热更小、功耗更低。
第三、新内存的制造成本比老内存低30%
&&&& 新版4GB DDR3-1600普条的制造成本比老版4GB DDR3-1333降低至少30%，如果不是厂家顾忌老内存的积压库存，4GB DDR3-1333内存几乎没有生存的余地。
&&&&同时新内存威胁超频内存市场，包括金士顿、威刚等厂家将目标投向单条8GB DDR3高频内存市场，避开4GB DDR3-1600普条的锋芒。新版在Z77主板随便一拉内存倍频都是2000MHz以上，它挤压超频内存的生存空间，使得DDR3-1600超频内存的市场更小。
&&& 心语：新内存如此突出的性价比，4GB DDR3-1333内存如果不拉开20元的差价，是很难存活的。
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4￥1105￥9096￥6997￥3398￥5999￥86910￥219&&&&我们在Computex2014&宇瞻展台领略了2根4GB&超频3450MHz的强悍，令人匪夷所思的是，宇瞻动用的是雷鸟系列超频，并非ARES（阿瑞斯）顶级旗舰型号。今天宇瞻用上4根4GB&当中的ARES型号，4根4GB&DDR3内存频率同时超频到3300MHz，对内存体质有极高的要求！
顶级超频内存&4根4GB&DDR3狂飙3300MHz
&&&&这款顶级内存被命名为“ARES”，“ARES”即古希腊神话中那位尚武好斗的战神阿瑞斯，这也是宇瞻继前一代顶级超频内存风神Aeolus后，又一款以希腊诸神命名的内存产品，意为这款内存具备向高频发起无休止冲击的战神意志。
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&&&&宇瞻PT910&512GB&SSD此前并未露面，我们对于它知之甚少，以至于它的主控、闪存都成为谜底，不过我们还是能从它的性能看出它一些端倪。
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