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通用电子元器件知识
常用元器件的识别字体大小：大 中 小icicic发表于09 12 28 16：55阅读 2077 评论 1 分类：常用元器件的识别电阻电阻在电路中用
加数字表示 如：R1表示编号为1的电阻 电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置等 1、参数识别：电阻的单位为欧姆 Ω
倍率单位有：千欧 KΩ
兆欧 MΩ 等 换算方法是：1兆欧 1000千欧 1000000欧电阻的参数标注方法有3种 即直标法、色标法和数标法 a、数标法主要用..
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常用元器件的识别
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三极管基础知识及测量方法
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三极管基础知识及测量方法
三极管基础知识及测量方法
一、晶体管基础
　　 双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
　　如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。
　　金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS&VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。
二、晶体管的命名方法
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。
按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。
　　常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
三、 常用中小功率三极管参数表
? 材料与极性
? Pcm(W) Icm(mA)
? BVcbo(V)
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电路设计常识必备的知识
电阻 电阻在电路中用&R&加数字表示,如:R1表示编号为1的电阻.电阻在电路中的主要作用为 分流、限流、分压、偏置等. 1、参数识别:电阻的单位为欧姆(&O),倍率单位有:千欧(K&O),兆欧(M&O)等.换算 方法是:1兆欧=1000千欧=1000000欧 电阻的参数标注方法有3种,即直标法、色标法和数标法. a、数标法主要用于贴片等小体积的电路,如: 472 表示 47&100&O(即4.7K); 104则表示100K b、色环标注法使用最多,现举例如下: 四色环电阻 五色环电阻(精密电阻) 2、电阻的色标位置和倍率关系如下表所示: 颜色 有效数字 倍率 允许偏差(%) 银色 / x0.01 &10 金色 / x0.1 &5 黑色 0 0 / 棕色 1 x10 &1 红色 2 x100 &2 橙色 3 x1000 / 黄色 4 x10000 / 绿色 5 x.5 蓝色 6 x.2 紫色 7 x.1 灰色 8 x / 白色 9 x / 电容 1、电容在电路中一般用&C&加数字表示(如C13表示编号为13的电容).电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件.电容的特性 主要是隔直流通交流.电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关.容抗XC= 1/2&f c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等. 2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种.电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法 (mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF).其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直 接标明,如10 uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率.如:102表示10&102PF=1000PF 224表示22&104PF=0.22 uF 3、电容容量误差 如:一瓷片电容为104J表示容量为0. 1 uF、误差为&5%. 晶体二极管 晶体二极管在电路中常用&D&加数字表示,如: D5表示编号为5的二极管. 1、 作用:二极管的主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大.正因为二极管具有上述特性,无 绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中.电话机里使用的晶体二极管按作用可分为:整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等. 2、识别方法:二极管的识别很简单,小功率二极管的N极(负极),在二极管外表大多采用一种色圈标出来,有些二极管也用二极管专用符号来表示P极 (正极)或N极(负极),也有采用符号标志为&P&、&N&来确定二极管极性的.发光二极管的正负极可从引脚长短来识别,长脚为正,短脚为负. 3、测试注意事项:用数字式万用表去测二极管时,红表笔接二极管的正极,黑表笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用表的表笔接法刚好相反. 稳压二极管 稳压二极管在电路中常用&ZD&加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管. 1、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变.这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变. 2、故障特点:稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定.在这3种故障中,前一种故障表现出电源电压升高;后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定. 常用稳压二极管的型号及稳压值如下表: 型号 1N9 1N2 1N4 1N4 1N1 1N4761 稳压值 3.3V 3.6V 3.9V 4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V 电感 电感在电路中常用&L&加数字表示,如:L6表示编号为6的 电感.电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成.直流可通过线圈,直流电阻就是导线本身的电阻,压降很小;当交流信号通过线圈时,线圈两端 将会产生自感电动势,自感电动势的方向与外加电压的方向相反,阻碍交流的通过,所以电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大.电感在电路中可与 电容组成振荡电路. 电感一般有直标法和色标法,色标法与电阻类似.如:棕、黑、金、金表示1uH(误差5%)的电感. 电感的基本单位为:亨(H) 换算单位有:1H=103mH=106uH. 变容二极管 变容二极管是根据普通二极管内部 &PN结& 的结电容能随外加反向电压的变化而变化这一 原理专门设计出来的一种特殊二极管. 变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高 频信号上,并发射出去.在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管 的内部结电容容量随调制电压的变化而变化. 变容二极管发生故障,主要表现为漏电或性能变差: (1)发生漏电现象时,高频调制电路将不工作或调制性能变差. (2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对 方接收后产生失真. 出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管. 晶体三极管 晶体三极管在电路中常用&Q&加数字表示,如:Q17表示编号为17的三极管. 1、特点:晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的特殊器件.它分NPN型和PNP型两种类型,这两种类型的三极管从工 作特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用.电话机中常用的PNP型三极管有:A92、等型号; NPN型三极管有:A42、、9013等型号. 2、晶体三极管主要用于放大电路中起放大作用,在常见电路中有三种接法.为了便于比较,将晶体管三种接法电路所具有的特点列于下表,供大家参考. 名称 输入阻抗 输出阻抗 电压放大倍数 电流放大倍数 共发射极电路中(几百欧~几千欧)中(几千欧~几十千欧)大大(几十) 共集电极电路(射极输出器)大(几十千欧以上)小(几欧~几十欧)小(小于1并接近于1)大(几十) 共基极电路小(几欧~几十欧)大(几十千欧~几百千欧)大小(小于1并接近于1) 功率放大倍数 频率特性 应用 大(约30~40分贝) 高频差 多级放大器中间级,低频放大 小(约10分贝)好 输入级、输出级或作阻抗匹配用 中(约15~20分贝)好 高频或宽频带电路及恒流源电路 场效应晶体管放大器 1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中.尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能. 2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的.如图1-1-1是两种型号的表示符号: 3、场效应管与晶体管的比较: (1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管. (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电.被称之为双极型器件. (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用. 最常用的电子元件型号 整流二极管: 1N7 50V~A 1N9 50V~A 1N8 50V~A 开关二极管: 1N0 1N4448 肖特基二极管: 1N9 20V~40V/1.0A 1N2 20V~40V/3.0A 1N60 1N60P小电流低压降 光电耦合器: 4N35 4N36 4N37 晶体三极管: PNP: A92 NPN:14
D/A转换器: AD7520 AD7521 AF7530 AD7521 8位:DAC0830 DAC0832 (D/A )12位:AD7541 (D/A) 8位:ADC0802 ADC0803 ADC0804 ADC0831 ADC0832 ADC0834 ADC0838(A/D) 跨导运算变压器: CA3080 CA3080A OTA BiMOS运算变压器: CA3140 CA3140A DB3 双向触发二极管 快恢复二极管: FR101~FR107 50V~A 三位半A/D转换器: ICL7106 ICL7107 ICL7116 ICL7117 载波稳零运算放大器: ICL7650 CMOS电源电压变换器: ICL7660/MAX1044 单片函数发生器: ICL8038 通用计数器: ICM7216 ICM7216B ICM7216D 10MHz 带BCD输出10MZ通用计数器: ICM7226A ICM7226B 单/双通用定时器: ICM7555 ICM7555 DTMF 收发器: ISO2-CMOS MT8880C JFET输入运算放大器: LF351 FJET输入宽带高速双运算放大器: LF353 三端可调电源: LM117 LM317A LM317 低功耗四运算放大器: LM124 LM124 LM324 LM2920 三端可调负电压调整器: LM137 LM337 低功耗四电压比较器: LM139 LM239 LM339 LM2901 LM3302 可关断开关电源: LM、LM、LM2575HV-3.3、LM、LM、LM2575HV-5.0、LM1575-12、LM2575-12、 LM2575HV-12、LM1575-15, LM2575-15、LM2575HV-15、LM1575- ADJ、LM2575-ADJ LM、LM2576HV-3.3、LM、LM2576HV- 5.0、LM2576-12、LM2576HV-12、LM2576-15、LM2576HV-15、 LM2576-ADJ 低功耗双运算放大器: LM158 LM258 LM358 LM2904 低功耗双电压比较器: LM193 LM293 LM393 LM2903 通用运算放大器: LM201 LM301 LM741 精密电压 频率转换器: LM231A LM231 LM331A LM331 微功耗基准电压二极管: LM285 LM358 精密运算放大器: LM308A 低压音频小功率放大器: LM386 带温度稳定器精密电压基准电路: LM299 LM399 LM3999 可调电压基准电路: LM431 锁相环音频译码器: LM657 LM657C 双低噪声音频功率放大器: LM831 LM833 双定时LED电子钟电路: LM8365 单片函数发生器; MAX038 0.1~20MZ 5V电源多通道RS232驱动器/接收器: MAX232 七路达林顿驱动器: MC1413 MC1416 编码器/译码器: MC145026 MC145027 MC145028 MC/8 RS232驱动器: MC145403 MC145404 MC145405 MC145408 RS232驱动器/接收器: MC145406 MC145407 四施密特可控线路驱动器: MC1489 MC1489A SN55189 SN55189A SN75189 SN75189A 低功率调频发射系统: MC2833 低功率调频窄频带接收器: MC3362 双运算放大器: MC4558 MC7800系列 1.0A三端正电压稳压器: MCV)、LM340-5(5.0V)、MCV)、MCV)、MCV)、MC7812(12V)、LM340-12(12V)、 MC7815(15V)、LM340-15(15V)、MC7818(18V)、MC7824 (24V) MC78L00系列 0.5A三端正电压稳压器: MC78M05(5.0V)、MC78M06(6.0V)、MC78M08(8.0V)、MC78M09 (9.0V)、MC78M12(12V)、MC78M15(15V)、MC78M18(18V)、 MC78M20(20V)、MC78M24(24V) MC78T00系列 3.0A正电压稳压器: MC78T05(5.0V)、MC78T08(8.0V)、MC78T12(12V)、MC78T15 (15V) MC7900系列 1.0三端负电压稳压器: MCV)、MC.2V)、MCV)、MCV)、MC7912(12V)、MC7915(15V)、MC7918(18V)、 MC7924(24V) MC79L00系列 0.1A 三端负电压稳压器: MC79L05(5.0V)、MC79L12(12V)、MC79L15(15V)、MC79L18 (18V)、MC79L24(24V) MC79M00系列 0.5A 三端负电压稳压器: MC79M05(5.0V)、MC79M08(8.0V)、MC79M12(12V)、MC79M15 (15V) Microchip PIC 系列单片机RS232通讯应用: 3.579545MHZ&60HZ 17级分频振荡器: MM5369 双向可控硅输出光电耦合器: MOC3009 MOCV) MOC3020 MOCV) DTMF双音频接收器: MT8870C MT8870C-1 DTMF 收发器: MT8888C 单时基电路: NE555 NE555Y SA555 SE555 双时基电路: NE556 SA556 SE556 音频压缩扩展器: NE570 NE571 SA571 低电压飘移运算放大器: OP07 OP77 低噪音精密运算放大器: OP27 低噪音高精密运算放大器: OP37 精密低电压微功耗运算放大器: OP90 高效光电耦合器: PC817 PC827 PC837 PC847 无线遥控发射编码器芯片: PT2262 无线遥控接收解码器芯片: PT2272 脉宽市制PWM: SG2524 SG3524 电力线调制解诘器电路: ST7537 音频功率放大器: TDA1521/TDAW Hi-Fi TDA2030 14W Hi-fi TDA2616/TDAW Hi-Fi FM 单片调频接收电路: TDA7000T TDA7010T FM MTS 单片调节器频接收电路: TDA7021T 低电压锁相环立体解码器: TDA7040T 低电压单/双声道功率放大器: TDA7050 低功耗JFET输入运算放大器: TL062 TL064 低噪声JFET输入运算放大器: TL071 TL072 TL074 JFET输入宽带高速运算放大器: TL081 TL082 TL084 脉宽调制PWM: TL494 精密开关模式脉宽调制控制: TL594 光电耦合器: TLP521-1/TLP521-2/TLP521-4 PWM Switch: TOP100/TOP101/TOP102/TOP103/TOP104 TOP200/TOP201/TOP202/TOP203/TOP204/TOP214 TOP209/TOP210 线性八外围驱动器阵列: ULN2803 ULN2804 (八路NPN达林顿连接晶体管阵系列特别适用于低逻辑电平数字电路(诸如TTL, CMOS或PMOS/NMOS)和较高的电流/电压要求之间的接口,广泛应用于计算机,工业用和消费类产品中的灯、继电器、打印锤或其它类似负载中.所有器件具有集电极开路输出和续流箝位二极管,用于抑制跃变.ULN2803的设计与标准TTL系列兼容,而ULN2804 最适于6至15伏高电平CMOS或PMOS. ============================================== 二级管的分类及特性 一、根据构造分类 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的.与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内.包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下: 1、点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的.因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路.但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流.因为构造简单,所以价格便宜.对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型. 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的.其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间.与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良.多作开关用,有时也被应用于检波和电源整流(不大于50mA).在键型二极管中,熔接金丝的二极管有时被称金键型,熔接银丝的二极管有时被称为银键型. 3、合金型二极管 在N型锗或硅的单晶片上,通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的.正向电压降小,适于大电流整流.因其PN结反向时静电容量大,所以不适于高频检波和高频整流. 4、扩散型二极管 在高温的P型杂质气体中,加热N型锗或硅的单晶片,使单晶片表面的一部变成P型,以此法PN结.因PN结正向电压降小,适用于大电流整流.最近,使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型. 5、台面型二极管 PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分用药品腐蚀掉.其剩余的部分便呈现出台面形,因而得名.初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的.因此,又把这种台面型称为扩散台面型.对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多. 6、平面型二极管 在半导体单晶片(主要地是N型硅单晶片)上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结.因此,不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用.由于半导体表面被制作得平整,故而得名.并且,PN结合的表面,因被氧化膜覆盖,所以公认为是稳定性好和寿命长的类型.最初,对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的,故又把平面型称为外延平面型.对平面型二极管而言,似乎使用于大电流整流用的型号很少,而作小电流开关用的型号则很多. 7、合金扩散型二极管 它是合金型的一种.合金材料是容易被扩散的材料.把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布.此法适用于制造高灵敏度的变容二极管. 8、外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管.制造时需要非常高超的技术.因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管. 9、肖特基二极管 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压.肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异.其耐压程度只有40V左右.其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短.因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管. 二、根据用途分类 1、检波用二极管 就原理而言,从输入信号中取出调制信号是检波,以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波.锗材料点接触型、工作频率可达400MHz,正向压降小,结电容小,检波效率高,频率特性好,为2AP型.类似点触型那样检波用的二极管,除用于检波外,还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路.也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件. 2、整流用二极管 就原理而言,从输入交流中得到输出的直流是整流.以整流电流的大小(100mA)作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流.面结型,工作频率小于KHz,最高反向电压从25伏至3000伏分A~X共22档.分类如下:①硅半导体整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型. 3、限幅用二极管 大多数二极管能作为限幅使用.也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管.为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用,通常使用硅材料制造的二极管.也有这样的组件出售:依据限制电压需要,把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体. 4、调制用二极管 通常指的是环形调制专用的二极管.就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件.即使其它变容二极管也有调制用途,但它们通常是直接作为调频用. 5、混频用二极管 使用二极管混频方式时,在500~10,000Hz的频率范围内,多采用肖特基型和点接触型二极管. 6、放大用二极管 用二极管放大,大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大,以及用变容二极管的参量放大.因此,放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管. 7、开关用二极管 有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管.小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管.开关二极管的特长是开关速度快.而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管.2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高. 8、变容二极管 用于自动频率控制(AFC)和调谐用的小功率二极管称变容二极管.日本厂商方面也有其它许多叫法.通过施加反向电压, 使其PN结的静电容量发生变化.因此,被使用于自动频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途.通常,虽然是采用硅的扩散型二极管,但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管,因为这些二极管对于电压而言,其静电容量的变化率特别大.结电容随反向电压VR变化,取代可变电容,用作调谐回路、振荡电路、锁相环路,常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路,多以硅材料制作. 9、频率倍增用二极管 对二极管的频率倍增作用而言,有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃(即急变)二极管的频率倍增.频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率.阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短.如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt(转移时间)短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波. 10、稳压二极管 是代替稳压电子二极管的产品.被制作成为硅的扩散型或合金型.是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管.作为控制电压和标准电压使用而制作的.二极管工作时的端电压(又称齐纳电压)从3V左右到150V,按每隔10%,能划分成许多等级.在功率方面,也有从200mW至100W以上的产品.工作在反向击穿状态,硅材料制作,动态电阻RZ很小,一般为2CW型;将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型. 11、PIN型二极管(PIN Diode) 这是在P区和N区之间夹一层本征半导体(或低浓度杂质的半导体)构造的晶体二极管.PIN中的I是&本征&意义的英文略语.当其工作频率超过100MHz时,由于少数载流子的存贮效应和&本征&层中的渡越时间效应,其二极管失去整流作用而变成阻抗元件,并且,其阻抗值随偏置电压而改变.在零偏置或直流反向偏置时,&本征&区的阻抗很高;在直流正向偏置时,由于载流子注入&本征&区,而使&本征&区呈现出低阻抗状态.因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用.它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中. 12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode) 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管.产生高频振荡的工作原理是栾的:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡.它常被应用于微波领域的振荡电路中. 13、江崎二极管 (Tunnel Diode) 它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管.其基底材料是砷化镓和锗.其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的).隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生.发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性.江崎二极管为双端子有源器件.其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标&P&代表&峰&;而下标&V&代表&谷&.江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中. 14、快速关断(阶跃恢复)二极管 (Step Recovary Diode) 它也是一种具有PN结的二极管.其结构上的特点是:在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区,从而形成&自助电场&.由于PN结在正向偏压下,以少数载流子导电,并在PN结附近具有电荷存贮效应,使其反向电流需要经历一个&存贮时间&后才能降至最小值(反向饱和电流值).阶跃恢复二极管的&自助电场&缩短了存贮时间,使反向电流快速截止,并产生丰富的谐波分量.利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路.快速关断(阶跃恢复)二极管用于脉冲和高次谐波电路中. 15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode) 它是具有肖特基特性的&金属半导体结&的二极管.其正向起始电压较低.其金属层除材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料.其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体.这种器件是由多数载流子导电的,所以,其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多.由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响仅为RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件.其工作频率可达100GHz.并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管. 16、阻尼二极管 具有较高的反向工作电压和峰值电流,正向压降小,高频高压整流二极管,用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用. 17、瞬变电压抑制二极管 TVP管,对电路进行快速过压保护,分双极型和单极型两种,按峰值功率(500W-5000W)和电压(8.2V~200V)分类. 18、双基极二极管(单结晶体管) 两个基极,一个发射极的三端负阻器件,用于张驰振荡电路,定时电压读出电路中,它具有频率易调、温度稳定性好等优点. 19、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光.工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光. 三、根据特性分类 点接触型二极管,按正向和反向特性分类如下. 1、一般用点接触型二极管 这种二极管正如标题所说的那样,通常被使用于检波和整流电路中,是正向和反向特性既不特别好,也不特别坏的中间产品.如:SD34、SD46、1N34A等等属于这一类. 2、高反向耐压点接触型二极管 是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品.使用于高压电路的检波和整流.这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般.在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81等等.这种锗材料二极管,其耐压受到限制.要求更高时有硅合金和扩散型. 3、高反向电阻点接触型二极管 正向电压特性和一般用二极管相同.虽然其反方向耐压也是特别地高,但反向电流小,因此其特长是反向电阻高.使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中,就锗材料高反向电阻型二极管而言,SD54、1N54A等等属于这类二极管. 4、高传导点接触型二极管 它与高反向电阻型相反.其反向特性尽管很差,但使正向电阻变得足够小.对高传导点接触型二极管而言,有SD56、1N56A等等.对高传导键型二极管而言,能够得到更优良的特性.这类二极管,在负荷电阻特别低的情况下,整流效率较高.
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