ddr2和ddr3的区别？ddr2和ddr3兼容吗？_生活常识_行业资讯-第一枪
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[导读]ddr2和ddr3的区别是什么？它们分别是内存的第二代和第三代，从字面上看ddr3是ddr2的升级版，但是事实上它们有很多的相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式等。接下来大家就来了解下它们的区别是什么，可以不可以兼容呢。
& & & &ddr2和ddr3的区别是什么？它们分别是内存的第二代和第三代，从字面上看ddr3是ddr2的升级版，但是事实上它们有很多的相同之处，例如采用1.8V标准电压、主要采用144Pin球形针脚的FBGA封装方式等。接下来大家就来了解下它们的区别是什么，可以不可以兼容呢。
ddr2和ddr3的区别
& & & &1、DDR3比DDR2内存，规格上有提高，DDR3接触针脚数目同DDR2皆为240pin。但是缺口位置不同，所以不能兼容。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限，当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时DDR3内存就是很好的选择。
& & & &2、DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；DDR2的4bit预读升级为8bit预读，DDR3目前最高能够可以达到1600Mhz的速度，由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，因而首批DDR3内存模组将会从1333Mhz的起跳。
& & & &3、DDR3显存采用0.11微米生产工艺，耗电量较DDR2明显降低。此外，DDR3显存采用了&Pseudo Open Drain&接口技术，只要电压合适，显示芯片可直接支持DDR3显存。
& & & &4、DDR2显存颗粒规格多为4M X 32bit，搭配中高端显卡常用的128MB显存便需8颗。而DDR3显存规格多为8M X 32bit，单颗颗粒容量较大，4颗即可构成128MB显存。如此一来，显卡PCB面积可减小，成本得以有效控制，此外，颗粒数减少后，显存功耗也能进一步降低。&
& & & &5、相对于DDR变更到DDR2，DDR3对DDR2的兼容性更好。由于针脚、封装等关键特性不变，搭配DDR2的显示核心和公版设计的显卡稍加修改便能采用DDR3显存。&
& & & &6、DDR3的CL周期比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数：&写入延迟&，这一参数将根据具体的工作频率而定。
& & & &7、重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。这一引脚使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
& & & &8、ZQ是DDR3新增的引脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。
& & & &9、在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级，提高了系统性能。DDR3显存在新出的大多数中高端显卡上得到了广泛的应用。
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　　其实很早以前就想做这个测试了，但是无奈手里没有合适的内存。虽然通过超频，降频之类的方式，可以达到类似的效果，但是对于普通用户而言，毕竟还是有些麻烦，说服力有限。还好最近终于把二套同频率，不同代的内存凑齐了。下面就测试一下DDR3&2400MHz内存与DDR4&2400MHz内存之间，它们的性能差距到底有多大。新的一定比旧的强吗？评论　　内存测试是比较无聊的，目前在各大硬件中，内存的频率往往也是最容易被忽略的，反倒是内存的容量，要比内存的频率受关注度要更高一些。当然内存容量多大为最佳，是16G还是8G，亦或是4G，还是看用户的使用习惯了，现在有人还在拿1G，2G内存在用，也不是什么稀奇事。言归正传，先展示一下测试使用的二款内存，一款是芝奇的DDR3内存，型号为芝奇TridentX&8GB&DDR3&2400（F3-GTX），另一款是宇瞻的DDR4内存，型号为宇瞻突击队Commando&DDR4&2400。&一：DDR4&2400MHz评论　　首先测试DDR4内存。&评论评论　　宇瞻突击队Commando&DDR4&2400内存外观比较个性，有种军事的风格，至于像什么，我就不多说了，那字太容易成为违禁字了。&评论　　内存的规格为4GB&UNB&PC4-19200&CL&16-16-16-36，其中PC4代表台式机DDR4。19200是用带宽来命名，=19200（内存带宽的计算公式：带宽=频率*位宽/8），2400是DDR等效频率，16-16-16-36是内存的时序。&评论　　再晒下此内存条的重量，约为34g。&评论评论　　选取套装中的二根内存（此套装内存一共是四根），组成8G双通道平台。&评论评论　　开启XMP选项，频率直接为2400MHz。不要问我怎么开，为什么要开？这是很难回答的问题。前者主板的说明书里都有详细的介绍，不少主板都略有不同。后者花钱买的是2400MHz内存，难不成非要在2133频率下使用？那还不如干脆买个2133MHz的内存呢，还更省钱。当然也有人买了2400Mhz内存，就喜欢不开XMP，在2133MHz下使用，这也很正常。评论　　测试平台的硬件情况展示。&评论　　内存的信息展示。&评论　　看一下内存的性能得分，为11226。&评论　　CPU-Z的信息，内存频率为2400MHz，时序为16-16-16-36。&评论　　AIDA64软件中，内存在2400MHz频率下的得分展示。在Memory&Benchmark测试中，Read、Write、Copy的速度（单位MB/S）分别是3、30117。&二：DDR3&2400MHz评论　　之前已经介绍过此内存的型号了，为芝奇TridentX&8GB&DDR3&2400（F3-GTX），在DDR3内存中，此内存的频率还是比较高的。这个是不能跟DDR4内存频率相比的，本来DDR4内存频率起歩就比较高。&评论评论　　此内存的做工不错，尤其是散热片，非常的厚实。&评论　　内存的规格为PC3-19200&CL&10-12-12-31，其中PC3代表台式机DDR3。19200是用带宽来命名，=19200（内存带宽的计算公式：带宽=频率*位宽/8），2400是DDR等效频率，10-12-12-31是内存的时序。评论　　这款内存重约83g，非常有份量，硕大的散热片，提升了内存的散热效果，也提升内存的稳定性。评论评论　　组装完成的测试平台，也是二根内存，组成8G双通道平台。&评论评论　　依旧在主板BIOS中开启XMP模式，此时内存的频率为2400MHz。&评论　　测试平台的硬件情况展示。&评论　　内存的信息展示。&评论　　内存性能得分为10296。&评论　　CPU-Z的信息，内存频率为2400MHz，时序为10-12-12-32。&评论　　AIDA64软件中，内存在2400MHz频率下的得分展示。在Memory&Benchmark测试中，Read、Write、Copy的速度（单位MB/S）分别是3、34713。&评论小结：对于测试结果，我个人感觉还是比较意外的，二款内存的频率相同，都为2400MHz，在鲁大师测试中，DDR4&2400MHzm内存的性能得分要高一些。而在AIDA64测试中，DDR3&2400MHzm内存的性能得分要高一些。但二者之间的得分差距并不是很大。也就是说如果内存的频率相同，不论是DDR3内存，还是DDR4内存，它们的性能还是很相近的。
今朝有酒今朝醉，管它明天愁与悲。人生在世如一梦，刹那芳华已成
更趋向于&DDR&3的&低时序&的分数高。
现在&ddr4&3000的&内存&基本都是&15时序的。
这就是DDR4的优势，频率可以更高，但是DDR3&至3000就算是顶天了。
芝奇的14的，海贼好像也有。
芝奇的14的，海贼好像也有。
cpu&超下&还是&提升不少的。
01:15:14 修改
期待高频DDR4内存。感觉现在DDR4&3000也就相当于DDR3&1333的代内发展(就像DDR2&800发展到DDR3&1600一样)
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其他登录方式：1.防呆缺口 DDR内存单面金手指针脚数量为92个（双面184个），缺口左边为52个针脚，制品右边为40个针脚；
DDR2内存单面金手指120个（双面240个），缺口左边为64个针脚，缺口右边为56个针脚；
DDR3内存单面金手指也是120个（双面240个），缺口左边为72个针脚，缺口右边为48个针脚.
2、DDR内存的颗粒为长方形
DDR2和DDR3内存的颗粒为正方形,而且体积大约只有DDR内存颗粒的三分之一
3、使用电压不同
DDR2的电压1.8V
DDR3的电压1.5V
参数不同之处
电压 VDD/VDDQ
1.8V/1.8V(±0.1)
1.5V/1.5V(±0.075)
数据传输率(Mbps)
Memory Latency(ns)
1.5/2/2.5/3
预取设计(Bit)
逻辑Bank数量现在的位置:
内存DDR扫盲——DDR与DDR2、DDR3具体区别，你知道多少？
DDR2与DDR的区别
1、速率与预取量
DDR2的实际工作频率是DDR的两倍，DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4bit预期能力。
2、封装与电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA；
DDR的标准电压为2.5V，DDR2的标准电压为1.8V。
3、bit pre-fetch
DDR为2bit pre-fetch，DDR2为4bit pre-fetch。
4、新技术的引进
DDR2引入了OCD、ODT和POST
（1）ODT：ODT是内建核心的终结电阻，它的功能是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终结电阻处消耗完，防止这些信号在电路上形成反射；
（2）Post CAS：它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的；
在没有前置CAS功能时，对其他L-Bank的寻址操作可能会因当前行的CAS命令占用地址线而延后，并使数据I/O总线出现空闲，当使用前置CAS后，消除了命令冲突并使数据I/O总线的利率提高。
（3）OCD（Off-Chip Driver）：离线驱动调整，DDR2通过OCD可以提高信号的完整性
OCD的作用在于调整DQS与DQ之间的同步，以确保信号的完整与可靠性，OCD的主要用意在于调整I/O接口端的电压，来补偿上拉与下拉电阻值，目的是让DQS与DQ数据信号间的偏差降低到最小。调校期间，分别测试DQS高电平和DQ高电平，与DQS低电平和DQ高电平时的同步情况，如果不满足要求，则通过设定突发长度的地址线来传送上拉/下拉电阻等级，直到测试合格才退出OCD操作。
DDR3与DDR2的区别
1、DDR2为1.8V，DDR3为1.5V；
2、DDR3采用CSP和FBGA封装，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格；
3、逻辑Bank数量，DDR2有4Bank和8Bank，而DDR3的起始Bank8个；
4、突发长度，由于DDR3的预期为8bit,所以突发传输周期（BL，Burst Length）也固定位8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A112位地址线来控制这一突发模式；
5、寻址时序（Timing），DDR2的AL为0~4，DDR3为0、CL-1和CL-2，另外DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）；
6、bit pre-fetch：DDR2为4bit pre-fetch,DDR3为8bit pre-fetch；
7、新增功能，ZQ是一个新增的引脚，在这个引脚上接有240欧姆的低公差参考电阻，新增裸露SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制存储器时钟频率功能，新增PASR（PartialArray Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个存储器Bank做更有效的数据读写以达到省电功效；
8、DDR3的参考电压分成两个，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效低提高系统数据总线的信噪等级；
9、点对点连接（point-to-point,p2p），这是为了提高系统性能而进行的重要改动。
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