在春暖花开的季节里，内存市场也迎来了新春，这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。
如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和小编一起来看看吧！
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积—堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。
人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。
支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光
威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R、AD4R、AD4R。
不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。
这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。
2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工
威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。
美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。
新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。
目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。
美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。
窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存
DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。
Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。
Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。
DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默？韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。
和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。
三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。小马浏览器 V58.4.0.0版已经上线，请各位多多吐槽！！！
在内存的关键指标中，容量、速度和时序是常被提及的参数，速度普遍意义上被认为是内存带宽。
Intel第六代酷睿Skylake处理器发布后，带来了对DDR4的全面支持。虽然DDR4内存正在降价的曲线上，但相信不少消费者仍有疑虑，究竟DDR4有了多大的提升呢？
对此，TechSpot收集了四代Intel处理器，和多个频率的DDR3、DDR4内存进行了实测，结果还是相当具有代表性的。
参测的处理器分别是Intel Ivy Bridge-E（四通道DDR3）、Haswell（双通道DDR3）、Haswell-E（四通道DDR4）以及Skylake（双通道DDR4），使用的软件是大名鼎鼎的AIDA64。
首先来看看这些不同频率的参数，这里列出了频率和时序。
大家有没有发现DDR4内存在频率超过3333MHz时，时序竟然不是线性增长了，而是出现了跳跃，这点倒存在继续改善的空间。
蓝色线条代表DDR3，红色代表DDR4（下同）
结果还是很明显的，时序问题并没有给DDR4带来很多困扰，读取速度非常优秀，随频率提升明显。早期DDR3之于DDR2的悲剧没有重演。
有三点值得注意，一是Haswell在DDR3内存频率超过2400MHz时，速度骤减，成为“性能黑洞”。
二是Skylake双通道DDR4-3000的读取速度已和Ivy Bridge-E默认四通道DDR3-1600持平。
最后是Skylake下，DDR4内存带宽随频率稳定地增长，至少在3600MHz时还远看不到“天花板”。
比较诡异的是Haswell-E，任凭怎么加频率，内存速度总稳定保持在48000MB/s，Skylake下的DDR4依旧保持着一流水准。
和读取的曲线如出一辙，Haswell“性能黑洞”再次出现。
不少人批评或者担忧DDR4就是考虑延迟增加，但究竟有多大的影响呢？
从双通道的两个曲线，也就是主流用户接触的这两个平台来看，DDR3在1600MHz的入门频率上的延迟和DDR4的入门频率2133MHz几乎一致。DDR4确实带来了时序问题，但绝非“灾难性”。
DDR4并没有重现DDR2进入DDR3早期时的延迟“事故”，反而因为Intel和厂商的优化，速度完爆DDR3。
同时我们还不要忘了，DDR4功耗更低、发热更小、容量更大，随着价格继续下探，绝对是一个合格的继任者。
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内存DDR4与DDR3哪个好 ddr3和ddr4性能差多少
时间： 14:35
编辑：组装电脑网
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& 在PC领域中，DDR3内存已经占据了市场多年，大约2014年底，DDR4内存慢慢走入用户的视野，网络上到处有关于DDR4内存文章，不过那时还没有实现普及，直到2016年才逐渐成为主流。而intel六代平台就处于DDR3至DDR4过渡阶段，为了顾及广大用户，六代Skylake架构处理器集成了双控制器，也就是能够兼容DDR3和DDR4两种内存。那么内存DDR4与DDR3哪个好？ddr3和ddr4性能差多少？对于这两个问题，下面装机之家给大家详细解析。
Skylake平台上线
& 更加高效的平台需要性能更加强大的内存支持，早在2014年Intel的Haswell-E处理器及X99平台，已经率先为桌面平台带来了原生DDR4内存支持，2015下半年Intel推出的六代Skylake处理器全面支持DDR4，如今DDR4内存在新的Skylake电脑中普及很高了。
Skylake处理器
& Intel Skylake是Intel Haswell微架构及其制程改进版Intel Broadwell微架构的继任者。采用14纳米制程。主要特性就有同时支持DDR3L和DDR4-SDRAM两种内存规格。
DDR4和DDR3对比：
1.金手指弯了 DDR4与DDR3不再兼容
DDR4内存外观的改变
& 外观是普通消费者鉴别一个事物最主要的标准。可以看到DDR4的金手指部分相比原来DDR3时直直的一排，变成了首尾两边有一定程度的收紧，这意味着DDR4与DDR3不再兼容。
2.DDR4内存主频2133MHz起跳 DDR3则为1333
& 我们知道内存性能最重要的就是容量、频率和带宽。传输速度是衡量内存优劣的重要指标之一，在DDR3时代传输速度最高到2133MHz不等；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。
& 在目前DIY电脑中，DDR3 1600内存是最常见的，而DDR4 2133最为常见，这意味着DDR4内存主频普遍比DDR3高，性能自然更为出色一些。
3.DDR4容量可以更大 能耗更低
& 容量方面同一单位的的DDR4芯片拥有比DDR3多一倍的储存空间，同时DDR4能够搭载最多8个模块。比DDR3多一倍。这样算下来同样的空间DDR4模块的最大容量比DDR3多4倍。
& 此外，DDR4所需的标准电源供由DDR3的1.5V降至1.2V，移动设备设计的低功耗DDR4更降至1.1V，这意味着DDR4内存功耗更低，更省电。
对比总结：
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状；
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz；
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB；
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低。
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