《GB压电陶瓷材料性能测试方法相对自由介电常数温度特性的测试》 【摘要 书评 试读】图书
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查看产品详情页面完毕后，在此处了解返回您感兴趣的页面的方式。银改性PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能研究
铌锌酸铅-锆钛酸铅(PZN-PZT)体系以其具有性能稳定、机电性能高、价格低廉等优点,可以广泛应用于电子元器件中,是当前压电材料领域的研究热点之一。然而,为满足不同压电器件的具体应用要求,需要对PZN-PZT三元系陶瓷进行改性,以提高体系的性能。对此,本文系统地研究了0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷进行掺Ag改性后微观结构和性能的改变,并探讨了Ag影响PZN-PZT电学性能的微观机制。　　
本文采用了传统的固相烧结方法研究了Ag掺杂对0.2PZN-0.8PZT三元系陶瓷微观结构及电学性能的影响。结果表明;Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1wt％。当低于此溶解限,Ag以离子掺杂...展开
铌锌酸铅-锆钛酸铅(PZN-PZT)体系以其具有性能稳定、机电性能高、价格低廉等优点,可以广泛应用于电子元器件中,是当前压电材料领域的研究热点之一。然而,为满足不同压电器件的具体应用要求,需要对PZN-PZT三元系陶瓷进行改性,以提高体系的性能。对此,本文系统地研究了0.2PZN-0.8PZT压电陶瓷进行掺Ag改性后微观结构和性能的改变,并探讨了Ag影响PZN-PZT电学性能的微观机制。　　
本文采用了传统的固相烧结方法研究了Ag掺杂对0.2PZN-0.8PZT三元系陶瓷微观结构及电学性能的影响。结果表明;Ag在钙钛矿中的溶解限约为0.1wt％。当低于此溶解限,Ag以离子掺杂形式进入钙钛矿晶格置换A位的Pb2+,以受主掺杂机制影响体系电学性能;当高于此溶解限,过量的银以单质形式沉积在晶界,弥散分布在0.2PZN-0.8PZT相中。这时,Ag单质使陶瓷体系形成复相结构,致使陶瓷材料在烧结降温阶段产生内应力,改变了材料的电畴结构,并影响陶瓷的直流电阻率和压电性能。　　
由于Ag在PZN-PZT陶瓷中溶解限较低,仅为0.1wt％,通过将Ag与PZN-PZT进行复合,利用各组分材料的优势可以制备出新型的具有高介电性能的复合材料。试验结果表明,随着陶瓷中Ag含量的增加,材料经历了绝缘体——导体的突变。同时,在渗流阈值(绝缘体—导体突变时导体的体积百分数,称为渗流阈值)附近,材料的介电常数有了大幅度的提高。由试验结果知,当Ag体积百分数含量为16.3％时,即在绝缘体向导体转变的渗流阈值附近,复合材料的介电常数达到了将近6000,约为同条件下制备的PZN-PZT介电常数的4.5倍。另外,当复合材料中金属Ag的体积分数低于渗流阈值时,材料具有明显的Maxwell-Wagner效应特征。　　
最后,由于实验室建设的需要,自行改进了陶瓷材料在高温环境下直流电导测试的设备。主要工作;首先自行设计了中温炉自动控温线路→委托工厂进行加工制作→中温炉电路系统调试→外围线路接口搭建→软件编写→虚拟测试系统调试。通过使用此系统对样品的测量,并与直接测量值进行对比,得出此系统测量误差率低于0.5％。收起
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多孔低介电常数陶瓷材料的制备
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浙江大学硕士学位论文
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关键词：低介电常数；氧化硅空心球；陶瓷；低温烧结
浙江大学硕十学位论文
countrieshave
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themissiles．whichneedstheattennahasthebandwithwide
range．The
materialis
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