三二极管口诀怎么使用?

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PNP与NPN三极管的使用及连接方法详解
来源:电源网
作者:兔子
三极管的使用一直是我们在设计电路的时候经常会用到的。今天小编来为大家总结下关于NPN和PNP两种型号三极管的使用和连接方法,这里所说的是分别用于开关状态的电路。
首先来说一下NPN型,这种型号的三极管在用于开关状态时,大都是按图一的接法:发射极接地,集电极接高电平,基极接控制信号。在图一里,当信号Green为高电平时,三极管导通,电流从集电极流向发射极,也就是说从Vcc到地构成一回路,这个时候发光二极管导通发光。其次对于PNP型的三极管,用于开关状态时,一般都是按图二的接法:发射极接高电平,当基极收到低电平信号时,三极管导通,也即电流从发射极流向集电极。
电路示意图
由上图可见,若三极管三端加的电压不正确会损坏三极管,在三极管的Datasheet里都有标出击穿电压的参数:
PNP型三极管8550的击穿电压参数
三极管的反向工作电压应小于击穿电压的(1/2~1/3),以保证管子安全可靠地工作。
关于三极管的击穿电压讨论示意
当然,有得初学者会提出对Vcbo&Vceo有所疑问:因为有资料介绍三极管的击穿电压,BVceo怎么会小于BVcbo,应该BVceo约=BVcbo+0.6v才对啊!解答是:BE是正偏,BC是反偏,关系当然不是加,而是
VCE=VCB-0.7中E所以VBO&VCEO。
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blogTitle:'【转】简单三极管开关电路',
blogAbstract:'\r\n下面主要通过使用NPN三极管进行开关电路设计,PNP三极管的开关电路与NPN的类似。一、三极管开关电路设计的可行性及必要性可行性:用过三极管的人都清楚,三极管有一个特性,就是有饱和状态与截止状态,正是因为有了这两种状态,使其应用于开关电路成为可能。必要性:假设我们在设计一个系统电路中,有些电压、信号等等需要在系统运行过程中进行切断,但是又不能通过机械式的方式切断,此时就只能通过软件方式处理,这就需要有三极管开关电路作为基础了。二、三极管基本开关电路概述如下(图.1)就是一个最基本的三极管开关电路,NPN的基极需连接一个基极电阻(R2)、集电极上连接一个负载电阻(R1)首先我们要清楚当三极管的基极没有电流时候集电极也没有电流,三极管处于截止状态,即断开;当基极有电流时',
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{list wl as x}{/list}为什么放电仪都用的是mos管,而不用三极管?|创意DIY - 数码之家
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最近看了好多放电仪,突然发现都是用的mos管,貌似没见到有用三极管来做的?按理说大部分放电仪的电流都在0.5~1A,个别的可能到2A,应该很容易能够负载这个电流的三极管才是。而且三极管也那个加散热片的。 这事为什么内?
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很简单啊MOS管是压控,基本不需要大的驱动电流三极管是流控,大功率三极管的放大倍数基本是几十,基极电流要多大?控制起来电路也复杂多了其实也有三极管做的电子负载,不过少见而已
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三极管热稳定性貌似也没有MOS 高
学习了基础知识快忘完了
很简单,看看这两种器件的工作方式就很容易明白
三极管的电流放大倍数只是其中一个问题,还有个是三极管饱和压降太高,而场管则几乎可以做到0压降饱和,在负载电压很低时,场管还在线性区而三极管已经在截止区。用三极管的假负载最低工作电压一般都大于1.4v(要算上检流电阻压降),而场管假负载最低可工作在0.5v以内
这里很多行家啊,坛子里需要这些热心肠
主要是驱动方式不同,MOS是电压控制,需要的驱动电流非常微小,三极管是电流控制,需要大电流驱动,
跟着学习一下。。。。。。。。。。
这个问题就在看放电仪的结构了,&&&&如果用电阻作为负载,MOS管或晶体管作为开关元件,那么由于电路上MOS管的导通电阻很小(毫欧)级,接近理想开关,实现就很容易了,而晶体管的饱和压降较大,离散性也较大,而且所需要的驱动电流也较大,所以在电阻负载结构的放电仪中用MOS管的较多。&&&&如果是直接用输出管恒流放电,那么用大功率晶体管三极实现起来就简单得多了。&&&&因此,用什么管子主要还是看电路结构而定。
跟着学习一下。。。。。。。。。
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为什么精密恒流源都用MOS管驱动,其实一般恒流源取样电阻都是接发射级的,mos管接源级,如果用三极管,那基级驱动电流会通过三极管基级到发射级再经过取样电阻,这样的话影响了取样电阻上的电压,特别是三极管放大倍数小的很明显,而mos管是压控,电流几乎是0,所以取样电阻上的电压不会随驱动电压而改变,所以当负载变化时,电流不会随驱动电压而变化
一个比一个厉害啊,我也一直有点想不明白是不是用三极管直接就是负载,这样比较简单.而用MOS管,是带小阻值电阻做负载,MOS只是负责开关?不知道可不可以这样理解
mos是工作在线性区,G极电压变化0.01可以引起DS的电流大变化,由于是工作在线性区,可以把mos看成等效可变电阻,所有负载能量都通过这个管子的热能散发出去。不可能工作在开关模式PWM控制,在特定频率会与电源产生震荡。0~10A的DS电流,G极电压大概在4-6V。
用mos管,驱动电流为0,取样方便,如果是晶体管,还要考虑一个基极电流,大电流状态下,这个基极电流还是可观的。另外,mos管稳定性好,功率大,更适合做负载用。
上面说的真棒,学习了
学习了 非常有用
我就不在重复了,都说的有理。
坐下听课.avi
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Time 0.062853 second(s),query:5 Gzip enabled开关三极管的使用误区
数字电路设计中,常常需要把数字信号经过开关扩流器件来驱动蜂鸣器、LED、继电器等需要交大电流的器件,用得最多的就是三极管。然而在使用过程中,如果设计不当,三极管就无法工作在正常开关状态,无法达到预期效果。
如图(a)所示,用NPN三极管,蜂鸣器连接到三极管的集电极,驱动信号是常见的3.3V或者5V
TTL电平,高电平导通,电阻按照经验值取4.7KΩ,三极管导通时假设高电平为5v,基极电流为:
Ib=(5-0.7)V ÷4.7KΩ = 0.9mA
它可以使 三极管完全饱和。
如图(b)所示,用NPN三极管,同样把蜂鸣器连接到三极管集电极,不同的是 是还用的驱动信号是5V的TTL电平。
以上两个电路都可以正常工作,只要PWM驱动信号工作在合适的频率下,蜂鸣器(有源)就会发出最大的声音。
图2和图1对比,最大的区别就是被驱动器件连接到了三极管的发射机。
如图(c)所示,三极管导通时假设高电平是5V,基极电流为
Ib=(5-0.7-UL)V ÷4.7KΩ
其中,UL为被驱动器件上的压降。可以看出,同样取积极电阻为4.7KΩ ,流过基极的电流会比图1中的(a)电路电流要小,小多少需要看UL为多少:如果UL较大,那么相应的Ib也就会很小,很有可能导致三极管无法工作在饱和状态,使得驱动器件无法动作 。有人认为把基极电阻调小就好了,可是被驱动器件的压降是很难获知的,有些被驱动器件的压降是变动的,这样一来 ,基极电阻就很难选择合适:阻值选的太大,会导致驱动失败 ; 阻值选择太小,损耗又变大。所以,不在万不得已的情况下,不建议用图2的两种电路。
如图3,驱动信号为3.3V电平,而被驱动器件导通电压需要5V。在3.3V单片机电路中,若不小心,就容易设计出这两种电路。
如图(e)所示,这是典型的“发射极正偏,集电极反偏”的放大电路,或者叫做射极输出器。当PWM信号为3.3V时,三极管发射极电压为3.3V-0.7V=2.6V,无法达到期望的5V。
如图(f)所示,这是一个失败的电路。首先,这个电路无法断开,当驱动信号PWM为3.3V高电平是,Ube=5V-3.3V = 1.7V 仍然可以使三极管导通,于是电路无法断开。在这里,有人会说用过这个电路,他没有问题,而且单片机的电压也是3.3V。笔者个人认为这个人用的是OD(开漏)驱动方式,而且是真正的OD或者是5V可以容忍的OD,比如STM32的很多IO都可以设置为OD门驱动方式,输出高电平,信号就变成了高阻态,流过基极电流为0,三极管可以有效截止,这时候图(f)依然有效。
综上几种电路,得到上图两种最优电路。与图(1)不同,图(4)在基极和发射机之间增加了一个100KΩ的电阻,这个电阻有一定的作用,可以让三极管有一个已知的默认状态。当输入信号被除去的时候,三极管还处于截止状态。从安全性方面考虑,多加这个电阻还是很有必要的,或者说可以让三极管工作在更好的开关状态。
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&前几天在弄一个抢答器,要求按键灯亮,后面采用单片机作为主控的方案,单片机型号为STC89C52,灯亮首先想到用三极管作为开关由单片机控制灯的亮灭,为了让灯有足够的亮度就想用高点的电压,采用12V供电,我们的单片机是5V供电,绘制原理图如下:分析可知选择合适的参数这个三极管还是可以工作在饱和状态,但是由于51单片机的I/O口输出电流能力很差即为基极提供的电流很小,及时三极管工作在饱和状态下集电极的电流还是很小,所以这个图不合理。改进方法,在I/O端口接上拉电阻提高输出能力,因为Q1是高电平导通所以平时I/O口处于低电平状态,所以上拉电阻的大小取决于I/O端口的灌电流能力,查阅手册可知为8MA,考虑到流进单片机的总电流,这种方案还是不能使用过多,很显然如果负载加在上图三极管的发射极,则只有当负载很小的时候才可能进入饱和状态,却由Ib电流回路可知会减小Ib的大小输出电流能力变差,下面我们再来讨论我使用的另一种方案采用PNP型三极管低电平导通原理图如下:由于这次第一次使用NPN型三极管所以中招了,由图由边的PNP型三极管内部等效电路可知为两个正对着的二极管,所以左边的原理图的基极电压将会被抬高到接近12V加到了单片机的I/O端口很显然片子会被悲剧的,我在实验过程这个电压通过I/O端口窜进了单片机的5V供电系统并抬高了电压,单片机微烫,不管是加大基极电阻还是把负载拿到发射极都没有解决这个问题,所以在使用PNP三极管是要注意控制电压的高电平与三极管的供电电压的问题,如果把供电电压改为5V要使三极管更容易进入饱和状态负载还是要接在集电极。
前段时间参加省电子大赛(当时接触的全是NPN型三极管)讨论过这样一个问题,就是用三极管驱动继电器,有两种电路方案,如图:
即继电器线圈是接在三极管集电极好还是发射极好呢,实验发现相同参数下接在集电极三极管更容易进入饱和区得到更大的电流让继电器闭合,假设这两个电路都工作在临界饱和状态,对于两个电路都满足Ibs=Ic/K(假设三极管放大倍数为K)所以对于左边的电路,Ic=(Vcc-Uce)/R(假设线圈电阻为R)得Ibs=(Vcc-Uce)/K*R对于右边的电路Ic=(Vcc-Uce)/R
得Ibs=(Vcc-Uce)/R*(1+K)又因为一般三极管的放大倍数K都很大,所以对于这两个电路处于临界饱和状态时可以认为Ibs=(Vcc-Uce)/K*R即只有当Ib&Ibs时这两个电路才会进入饱和状态再看左边的电路Ib=(Ub-Ube)/Rb对于右边的电路Ib=(Ub-Ube)/(Rb+R)所以在左边电路的Ib要大于右边电路的Ib即更容易达到临界饱和需要的Ibs所以左边的电路要更容易进入饱和状态得到大电流。
关于三极管还可以工作在反接状态下,即发射极和集电极对调过来接,由三极管的等效电路可知把基极放中间,看着上下是对称的,所以是不是可以把发射极和集电极反着来用呢,这样电路还是可以导通的,在三极管的内部是不对称的,对于NPN型三极管发射极N区小自由电子浓度大,集电极N区大自由电子浓度低,高手说这样接只是放大倍数小了,怎么分析我也不太清楚,还是采用常规接法把。
所以对于三接管来说不管是NPN还是PNP把负载接在集电极都能获得较大的电流。
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