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多晶硅电阻率的N型和P型有什么区别?
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多晶硅;polycrystalline silicon 性质：灰色金属光泽.密度2.32~2.34.熔点1410℃.沸点2355℃.溶于氢氟酸和硝酸的混酸中,不溶于水、硝酸和盐酸.硬度介于锗和石英之间,室温下质脆,切割时易碎裂.加热至800℃以上即有延性,1300℃时显出明显变形.常温下不活泼,高温下与氧、氮、硫等反应.高温熔融状态下,具有较大的化学活泼性,能与几乎任何材料作用.具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,但微量的杂质即可大大影响其导电性.电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料.由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化,再经冷凝、精馏、还原而得.多晶硅是单质硅的一种形态.熔融的单质硅在过冷条件下凝固时,硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核,如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒,则这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅.多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面.例如,在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面,远不如单晶硅明显；在电学性质方面,多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著,甚至于几乎没有导电性.在化学活性方面,两者的差异极小.多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别,但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等.一、国际多晶硅产业概况当前,晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料,其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料.多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中,形成技术封锁、市场垄断的状况.多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池.按纯度要求不同,分为电子级和太阳能级.其中,用于电子级多晶硅占55％左右,太阳能级多晶硅占45％,随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展,预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅.1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW,而2004年就接近1200MW,在短短的10年里就增长了17倍.专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一.据悉,美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW,日本计划2010年达到5000MW,欧盟计划达到6900MW,预计2010年世界累计安装量至少18000MW.从上述的推测分析,至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上,表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测.据国外资料分析报道,世界多晶硅的产量2005年为28750吨,其中半导体级为20250吨,太阳能级为8500吨,半导体级需求量约为19000吨,略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨,供不应求,从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口,其中太阳能级产能缺口更大.据日本稀有金属杂质日报道,世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张,主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大,预计2006年,2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈,多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除,2005年世界太阳能电池产量约1GW,如果以1MW用多晶硅12吨计算,共需多晶硅是1.2万吨,年世界太阳能电池平均年增长率在25％,到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨.世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司,德国的Wacker公司等,其年产能绝大部分在1000吨以上,其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大,年生产能力均在吨.国际多晶硅主要技术特征有以下两点：（1）多种生产工艺路线并存,产业化技术封锁、垄断局面不会改变.由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同,因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异,各有技术特点和技术秘密,总的来说,目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法.其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％,短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变.（2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃.除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外,还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术,主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid depos
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简单地说N型就是在硅电极中加了硼原子，P型就是在硅电极中加入了磷原子。
N型的电阻率较大P型的较小。
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你了解N型高效单晶光伏电池技术吗？
与传统的P型晶硅电池相比，N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和潜力，是高效电池技术路线的必然选择，而且随着电池新技术的引入，N型晶硅电池的效率优势会越来越明显。
　　OFweek网讯：目前P型晶硅电池占据晶硅电池市场的绝对份额。然而，不断追求效率提升和成本降低是行业永恒的主题。N型单晶硅较常规的P型单晶硅具有少子寿命高、光致衰减小等优点，具有更大的效率提升空间，同时，N型单晶组件具有弱光响应好、温度系数低等优点。因此，N型单晶系统具有发电量高和可靠性高的双重优势。　　根据国际路线图（ITRPV2015）预测：随着电池新技术和工艺的引入，N型单晶电池的效率优势会越来越明显，且N型单晶电池市场份额将从2014年的5%左右提高到2025年的35%左右。本文论述了N型单晶硅及的优势，并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点，及相关技术发展现状和产业化前景。　　1.引言　　由于晶硅太阳电池成熟的工艺和技术、高的电池转换效率及高达25年以上的使用寿命，使其占据全球约90%份额。理论上讲，不管是掺硼的P型还是掺磷的N型都可以用来制备。但由于电池是基于空间航天器应用发展而来的，较好的抗宇宙射线辐照能力使得P型晶硅电池得到了充分的研究和空间应用。　　技术的延续性使目前地面用90%是掺硼P型晶硅电池。而且，研究还发现N型晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷扩散相比，为了获得相同的方块电阻需要更长的时间和更高的温度，导致材料性能变差。所以与在N型硅片上形成掺硼p+发射结在工业生产中比较困难。　　然而，地面应用并不存在宇宙射线辐照的问题，而且随着技术的发展，原来困扰N型晶硅电池的发射结浓度分布、均匀性、表面钝化等技术难题已经解决。随着市场对电池效率的要求越来越高，P型电池的效率瓶颈已越发明显。N型晶硅电池由于其高少子寿命和无光致衰减等天然优势，具有更大的效率提升空间和稳定性，成为行业关注和研究的热点。　　根据图1和2国际路线图ITRPV2015的预测，随着背接触（BC）、异质结（HIT）等电池新结构，及激光、离子注入等新技术的引入，N型单晶电池的效率优势会越来越明显，且单晶硅在今后几年的市场份额会逐步增加，到2025年将超过，占据份额首位，其中80%以上为N型单晶。表1列举了Panasonic，SunPower，Sharp不同电池结构实验室的电池转化效率记录，大面积HBC电池最高效率已达到25.6%，展现了强大的发展潜力。　　图1 ITRPV2015晶硅电池效率预测　　图2 ITRPV2015不同类型硅片市场份额预测　　表1 部分机构N型单晶电池的最高转换效率　　本文论述了n型单晶硅及的优势，并介绍了各种N型单晶高效电池结构和特点，相关技术发展现状及产业化前景。
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太阳能电池片, 积分 462, 距离下一级还需 338 积分
各位大神，请教一下：
& && && && &&&单晶P型电池片与N型电池片的生产工艺有何不同？特别是有实际生产经历的朋友，请教教我，在线等候您的回答！谢谢！
太阳能电池片, 积分 462, 距离下一级还需 338 积分
本帖最后由 huangchengxiu61 于
20:18 编辑
( J1 P4 v% j( W. x
路过的朋友留个脚印咯？交流交流···········说不定还能赚个金币、威望什么的
光伏离网系统, 积分 4299, 距离下一级还需 701 积分
我也等。。
高手来解答啊
太阳能电池片, 积分 462, 距离下一级还需 338 积分
。。。。。。。大神出山指点迷津下啊··················
太阳能电池片, 积分 462, 距离下一级还需 338 积分
继续坐等！
太阳能组件, 积分 1486, 距离下一级还需 514 积分
应该差不多吧，个人愚见
太阳能电池片, 积分 581, 距离下一级还需 219 积分
扩散差异最大，P型扩磷，N型扩硼，扩硼时间较长，且难控制
太阳能电池片, 积分 654, 距离下一级还需 146 积分
太阳能电池片, 积分 462, 距离下一级还需 338 积分
回复 9 o' m. D3 P) _( z# l! z- n* u
1 D) }. ]- L/ [
设备方面是不是不一样？扩硼的温度大概是多少？
硅片, 积分 221, 距离下一级还需 79 积分
先买个tempress管子做两管，再来谈这个问题，不然是空谈了君，已阅读到文档的结尾了呢~~
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