手机双通道DDR3与单通道DDR3有啥区别_手机吧_百度贴吧
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双车道和单车道有什么区别
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为兴趣而生，贴吧更懂你。或单通道和双通道的区别
单通道和双通道的区别
范文一：1双通道存内术技理 原双通道存技术其内就是实通双道存控内技制，术能有它地提高效内总存宽带从，适而新应微处的器理数的传输据处理、需的。要双道D通RD有个6两b4i内t控制器，双存64bi内存体t系所供提带的等宽同一个于12bi8t存内系体所提供的带宽 。双通道体系包含了个两立的独、备互具补的性智内能控制器存两个内，存控器制都能并行运够。例作如当控制器，准B备进行下次存一内存取时候的，控制器A在就/写主内读存，反亦之然。个内两存控制器这种的互“天性”可以让补效等待时间有减50缩%因此，双通道技术使存内带宽翻的了翻一。的技术它核在心于：芯片（组北）桥可以两在个同的数不通据上道分别址、读寻取数，据AM可以达到1R8b2it带的宽。2双通道内技存术的展 发通道内双技术存初最从R是MAUSB出推的RRDAM存内开始的。R条MABS的内存U度非常快，但速总线宽度却比是DRSM内存还A要小因，此它不不得合Inte结的双l通道内存制技术提高带宽控达到高，数据传输速率的速的目不过。ARMUSB于生由产成过本高原因，的步逐市场淘汰被，但双是通内存道制技控术得了发扬光大。如到今enPtum i4采用N的eBtrst架u构对存带宽内要非常高求如，果内无存法提相应供的数传据率，输么快的处这理总线速度也是器无的。 用此只有通过双通因内道控存制技术才够能解这个决问。题最近金推出邦了DDR500存条，内单的数条据宽带到达4B，如G使果用双道技术通带，宽达到将GB8 。双通道3内技存的应术用通双内存主道要依是主靠北板桥的控技术制，与存内本无关。身前目支持双通道内技术的主存板有Itnle的i65和8i85系7列SIS，S的IS65、655系列，n8IDVIAD的FnOCER系2列等Intel。最推出先支的双持通内道技存的术片芯组E7为20和E75500列。系 双通道存的安内装一定有要求。的主板的内存插的槽色和颜局布一都般有分区。如是In果tlei的85和i678系5，主列一般有板个DI4MM插，每两根槽组一每组，色一颜不一般，每一样个组代表一内个存道，通只有两当通组道都上时安同装了存内条时才能使，存工内在作双道模式通下另。要外意对称注安，装第一个即通道1个第插搭配槽二个通第第1道插槽个依，此推。用类户只按不同的要颜搭配，色对入座号地安即可装如果在相。同颜色插槽的上装安存内，则只条工能作在通单模式道而。FnOCER系列主2板样有同个两4b6it的内控存器制，其A控中制只支器持根一内插存槽B通道，支则两根持。A、B槽插间之有一段离距以方，便户识用别A。道通的内存插槽颜在色也可上能与B道两个通内存插不同槽，户用要将只根一存内插独入立的内存槽而插将另外根一插到外另个彼此两靠的内近插槽存能就组建双通成模式。此外道如，全部插满内果存也能建，双立通模道，式且n而Frco2e主在板建双通组道式时对模内容量存至型号都乃有严没的格要，求用方使。如便果安方法正装确，在主板开机检自，屏时显示内存的工幕模式作(如DR3D33 DaluC hanenloMe Ednaledb激、活通道模式等），则双内已存工作在双经道模通。式4双通道内存术存在技的题问双通内存控制道技术的现出使用对4P用的户能有性一了定的提，升是未也来展的趋势发。组双通道内存系统装时要注意存条内搭的，In配el的t要比求其主他板要高最好，用使相同品牌相、型号的内同存，以确保条稳定性。任一何技术都项有优点也有其缺其，点通双道DD内存R术技也不外。例先，首通双道存内都要需对成地用使这样，大大降就低了内配置存的活性。灵重更的要点是在采购一内存的时候至要少选择×624M、2B1×28B……，M会这使户在内用方面的预算成倍存地增。加次其，通道内存技双术的论理虽值非然诱人常，但由是于各因种，素实其应际的用能并不性能比单通D道D内存R高1，当然也倍无法PC比13 3DRSM高A4出，因倍为竟毕在有的现统系条件，系统下能性颈瓶仅仅不内是。从存一些测结果可以看试，采到12用8bi内t存通的系统性道能采比64bi用t内存道的系统性能高通出3%5～%，最高的可以获1得5%1～%8性能提的。 升5结语 束双通内存道技术非D并D内存R独所，RD有RM也应A用了种技这，术英特尔的i像58E0芯片组支就持双道通C1P066RDR M。因A确切此说地双，道内存技通是双通术道内存控技制，是在当前内存技术术的基础上发的一开种存管内理和制技控。术的重它在于对点内存控的而不制是内存本身，合在芯片整组北桥中的内存制器承控担了个功能，因此这说是它芯片技组似乎更术适合。解决计算内存机宽带瓶问颈并题非有只条出一，但目前路于由种情况种，双道内通存术似乎技最是好解决方的案而，且将还持一段时续。从间存技内术的展发过程见，无论什可技术，么有性能出只色价格便、宜便、于使才会有光明用前景，的这对计于机算他技术也不其外。 例原文地址：1双通道存内术技理 原双通道存技术其内就是实通双道存控内技制，术能有它地提高效内总存宽带从，适而新应微处的器理数的传输据处理、需的。要双道D通RD有个6两b4i内t控制器，双存64bi内存体t系所供提带的等宽同一个于12bi8t存内系体所提供的带宽 。双通道体系包含了个两立的独、备互具补的性智内能控制器存两个内，存控器制都能并行运够。例作如当控制器，准B备进行下次存一内存取时候的，控制器A在就/写主内读存，反亦之然。个内两存控制器这种的互“天性”可以让补效等待时间有减50缩%因此，双通道技术使存内带宽翻的了翻一。的技术它核在心于：芯片（组北）桥可以两在个同的数不通据上道分别址、读寻取数，据AM可以达到1R8b2it带的宽。2双通道内技存术的展 发通道内双技术存初最从R是MAUSB出推的RRDAM存内开始的。R条MABS的内存U度非常快，但速总线宽度却比是DRSM内存还A要小因，此它不不得合Inte结的双l通道内存制技术提高带宽控达到高，数据传输速率的速的目不过。ARMUSB于生由产成过本高原因，的步逐市场淘汰被，但双是通内存道制技控术得了发扬光大。如到今enPtum i4采用N的eBtrst架u构对存带宽内要非常高求如，果内无存法提相应供的数传据率，输么快的处这理总线速度也是器无的。 用此只有通过双通因内道控存制技术才够能解这个决问。题最近金推出邦了DDR500存条，内单的数条据宽带到达4B，如G使果用双道技术通带，宽达到将GB8 。双通道3内技存的应术用通双内存主道要依是主靠北板桥的控技术制，与存内本无关。身前目支持双通道内技术的主存板有Itnle的i65和8i85系7列SIS，S的IS65、655系列，n8IDVIAD的FnOCER系2列等Intel。最推出先支的双持通内道技存的术片芯组E7为20和E75500列。系 双通道存的安内装一定有要求。的主板的内存插的槽色和颜局布一都般有分区。如是In果tlei的85和i678系5，主列一般有板个DI4MM插，每两根槽组一每组，色一颜不一般，每一样个组代表一内个存道，通只有两当通组道都上时安同装了存内条时才能使，存工内在作双道模式通下另。要外意对称注安，装第一个即通道1个第插搭配槽二个通第第1道插槽个依，此推。用类户只按不同的要颜搭配，色对入座号地安即可装如果在相。同颜色插槽的上装安存内，则只条工能作在通单模式道而。FnOCER系列主2板样有同个两4b6it的内控存器制，其A控中制只支器持根一内插存槽B通道，支则两根持。A、B槽插间之有一段离距以方，便户识用别A。道通的内存插槽颜在色也可上能与B道两个通内存插不同槽，户用要将只根一存内插独入立的内存槽而插将另外根一插到外另个彼此两靠的内近插槽存能就组建双通成模式。此外道如，全部插满内果存也能建，双立通模道，式且n而Frco2e主在板建双通组道式时对模内容量存至型号都乃有严没的格要，求用方使。如便果安方法正装确，在主板开机检自，屏时显示内存的工幕模式作(如DR3D33 DaluC hanenloMe Ednaledb激、活通道模式等），则双内已存工作在双经道模通。式4双通道内存术存在技的题问双通内存控制道技术的现出使用对4P用的户能有性一了定的提，升是未也来展的趋势发。组双通道内存系统装时要注意存条内搭的，In配el的t要比求其主他板要高最好，用使相同品牌相、型号的内同存，以确保条稳定性。任一何技术都项有优点也有其缺其，点通双道DD内存R术技也不外。例先，首通双道存内都要需对成地用使这样，大大降就低了内配置存的活性。灵重更的要点是在采购一内存的时候至要少选择×624M、2B1×28B……，M会这使户在内用方面的预算成倍存地增。加次其，通道内存技双术的论理虽值非然诱人常，但由是于各因种，素实其应际的用能并不性能比单通D道D内存R高1，当然也倍无法PC比13 3DRSM高A4出，因倍为竟毕在有的现统系条件，系统下能性颈瓶仅仅不内是。从存一些测结果可以看试，采到12用8bi内t存通的系统性道能采比64bi用t内存道的系统性能高通出3%5～%，最高的可以获1得5%1～%8性能提的。 升5结语 束双通内存道技术非D并D内存R独所，RD有RM也应A用了种技这，术英特尔的i像58E0芯片组支就持双道通C1P066RDR M。因A确切此说地双，道内存技通是双通术道内存控技制，是在当前内存技术术的基础上发的一开种存管内理和制技控。术的重它在于对点内存控的而不制是内存本身，合在芯片整组北桥中的内存制器承控担了个功能，因此这说是它芯片技组似乎更术适合。解决计算内存机宽带瓶问颈并题非有只条出一，但目前路于由种情况种，双道内通存术似乎技最是好解决方的案而，且将还持一段时续。从间存技内术的展发过程见，无论什可技术，么有性能出只色价格便、宜便、于使才会有光明用前景，的这对计于机算他技术也不其外。 例
范文二：随着高端处理器的推出，处理器对内存系统的带宽要求越来越高，内存带宽成为系统越来越大的瓶颈。内存厂商只要提高内存的运行频率，就可以增加带宽，但是由于受到晶体管本身的特性和制造技术的制约，内存频率不可能无限制地提升，所以在全新蹬内存研发出来之前，双通道内存技术就成了一种可以有效地提高内存带宽的技术。它最大的优势在于只要更改内存的控制方式，就可以在现有内存的基础上带来内存带宽的提升。从理论指标来看，双通道内存技术具有相当的优势。双通道DDR400的理论带宽为6 4GB/s，和英特尔的前端总线为800MHz的P4处理器及i865、i875芯片组完全匹配。前端总线为800MHz的P4平台选用双通道DDR400，与双通道的内存控制和管理机制及高带宽有很大关系。1双通道内存技术原理双通道内存技术其实就是双通道内存控制技术，它能有效地提高内存总带宽，从而适应新的微处理器的数据传输、处理的需要。双通道DDR有两个64bit内存控制器，双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，两个内存控制器都能够并行运作。例如，当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%，因此双通道技术使内存的带宽翻了一翻。它的技术核心在于：芯片组（北桥）可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据，RAM可以达到128bit的带宽。2双通道内存技术的发展双通道内存技术最初是从RAMBUS推出的RDRAM内存条开始的。RAMBUS的内存速度非常快，但是总线宽度却比SDRAM内存还要小，因此它不得不结合Intel的双通道内存控制技术提高带宽，达到高速数据传输速率的目的。不过RAMBUS由于生产成本过高的原因，逐步被市场淘汰，但是双通道内存控制技术得到了发扬光大。如今Pentium 4采用的NetBurst架构对内存带宽要求非常高，如果内存无法提供相应的数据传输率，这么快的处理器总线速度也是无用的。因此只有通过双通道内存控制技术才能够解决这个问题。最近金邦推出了DDR500内存条，单条的数据带宽达到4GB，如果使用双通道技术，带宽将达到8GB。3双通道内存技术的应用双通道内存主要是依靠主板北桥的控制技术，与内存本身无关。目前支持双通道内存技术的主板有Intel的i865和i875系列，SIS的SIS655、658系列，nVIDIAD的nFORCE2系列等。Intel最先推出的支持双通道内存技术的芯片组为E7205和E7500系列。双通道内存的安装有一定的要求。主板的内存插槽的颜色和布局一般都有区分。如果是Intel的i865和i875系列，主板一般有4个DIMM插槽，每两根一组，每组颜色一般不一样，每一个组代表一个内存通道，只有当两组通道上都同时安装了内存条时，才能使内存工作在双通道模式下。另外要注意对称安装，即第一个通道第1个插槽搭配第二个通道第1个插槽，依此类推。用户只要按不同的颜色搭配，对号入座地安装即可。如果在相同颜色的插槽上安装内存条，则只能工作在单通道模式。而nFORCE2系列主板同样有两个64bit的内存控制器，其中A控制器只支持一根内存插槽，B通道则支持两根。A、B插槽之间有一段距离，以方便用户识别。A通道的内存插槽在颜色上也可能与B通道两个内存插槽不同，用户只要将一根内存插入独立的内存插槽而将另外一根插到另外两个彼此靠近的内存插槽就能组建成双通道模式。此外，如果全部插满内存，也能建立双通道模式，而且nForce2主板在组建双通道模式时对内存容量乃至型号都没有严格的要求，使用方便。如果安装方法正确，在主板开机自检时，屏幕显示内存的工作模式(如DDR333 Dual Channel
Mode Enabled、激活双通道模式等），则内存已经工作在双通道模式。4双通道内存技术存在的问题双通道内存控制技术的出现对使用P4的用户性能有了一定的提升，也是未来发展的趋势。组装双通道内存系统时要注意内存条的搭配，Intel的要求比其他主板要高，最好使用相同品牌、相同型号的内存条，以确保稳定性。任何一项技术都有其优点也有其缺点，双通道DDR内存技术也不例外。首先，双通道内存都需要成对地使用，这样就大大降低了内存配置的灵活性。更重要的一点是在采购内存的时候至少要选择2×64MB、2×128MB,,,,，这会使用户在内存方面的预算成倍地增加。其次，双通道内存技术的理论值虽然非常诱人，但是由于各种因素，其实际应用的性能并不能比单通道DDR内存高1倍，当然也无法比PC133 SDRAM高出4倍，因为毕竟在现有的系统条件下，系统性能瓶颈不仅仅是内存。从一些测试结果可以看到，采用128bit内存通道的系统性能比采用64bit内存通道的系统性能高出3%～5%，最高的可以获得15%～18%的性能提升。
5结束语双通道内存技术并非DDR内存所独有，RDRAM也应用了这种技术，像英特尔的i850E芯片组就支持双通道PC1066 RDRAM。因此确切地说，双通道内存技术是双通道内存控制技术，是在当前内存技术的基础上开发的一种内存管理和控制技术。它的重点在于对内存的控制而不是内存本身，整合在芯片组北桥中的内存控制器承担了这个功能，因此说它是芯片组技术似乎更合适。解决计算机内存带宽瓶颈问题并非只有一条出路，但目前由于种种情况，双通道内存技术似乎是最好的解决方案，而且还将持续一段时间。从内存技术的发展过程可见，无论什么技术，只有性能出色、价格便宜、便于使用才会有光明的前景，这对于计算机其他技术也不例外。
范文三：怎样区别DVI-I和DVI-D接口及单通道/双通道DVI?DVI接口和VGA接口不同，DVI接口存在很多标准，使用显示器时一定要搞明白。DVI一共分为5种标准。其中DVI-D和DVI-I分为“双通道”和“单通道”两种类型，我们平时见到的都是单通道版的，双通道版的成本很高，因此只有部分专业设备才具备，普通消费者很难见到。DVI-A是一种模拟传输标准，晚期的大屏幕专业CRT中能看见。不过由于和VGA没有本质区别，性能也不高，因此DVI-A事实上已经被废弃了。至于DFP接口，这是一种已经被废弃的目前市场上的DVI线有18+1和24+1以及18+5和24+5这4种规格。18针属于单通道DVI，传输速率只有24针的一半，为165Mbps。在画面显示上，单通道的DVI支持的分辨率和双通道的完全一样，但刷新率却只有双通道的一半左右，会造成显示质量的下降。一般来讲，单通道的DVI接口，最大的刷新率只能支持到hz或hz，即现有23寸宽屏显示器和20寸普通比例显示器的正常显示，再高的话就会造成显示效果的下降。而使用大屏液晶显示器的话，24针的双通道DVI是必须具备的条件。至于18+5和24+5这种规格都属于DVI-I，多出来得4根线用于兼容传统VGA模拟信号。这种接口在显示卡上用的多，显示器基本不用，除非是970P这样的单接口显示器才会考虑采用。如果显示器低于23寸宽屏或20寸普屏的话，使用18针DVI完全没有问题，用24针的当然可以，但有些浪费了。另外，如果想用大屏幕显示器的话，一款具备双通道输出的显示卡也非常重要。因此现在大多数显卡采用的是DVI-I双通道接口，性能达到要求。实际上现在显示卡在很多情况下，DVI能达到应有的性能指标。DVI-I与DVI-D区别◆DVI接口是1999年由数字显示工作组DDWG(Digital Display Working Group)推出的接口标准，是Digital Visual Interface的缩写，其造型是一个24针的接插件。是专为LCD显示器这样的数字显示设备设计的。DVI接口有多种规格，分为DVI-A、DVI-D和DVI-I。 DVI-A其实就是VGA接口标准，只是换汤不换药而已。所以带有DVI接口的液晶显示器也并不一定就是真正的数字液晶显示器；DVI-D则实现了真正的数字信号传输。而DVI-I通吃上述两个接口，当DVI-I接VGA设备时，就是起到了DVI-A的作用；当DVI-I接DVI-D设备时，便起了DVI-D的作用。为了兼容传统的模拟显示设备，现在的大部分显卡都采用了24只数字信号针脚和5只模拟信号针脚的DVI-I接口。Single link dvi 和 Dual-link dvi[Dual-Link,Dual DVI]Dual link DVI 接口并非双DVI,而是双通道/双链路DVI，即双TMDS（单DVI接口也可是Dual link）。是指单口可以支持到以上分辨率的。显卡或DVI输出设备以2根TMDS方式的信号传输线(TMDS链接)，就能以每秒最高330兆象素的速度传送画像数据。连接器使用24针的DVI-D Dual link或29针的DVI-I Dual link。到UXGA为止()都可以用single link对应,但超过这个分辩率需要使用Dual link.即单通道DVI最大分辨率，但超过这个分辩率需要使用Dual-link DVI，用来支持30寸以上的大屏幕分辨率如：。双通道有两个模式，一个是高色深模式；用一个通道传输象素的低8位数据，另一个通道传输象素的高8位数据；最高分辨率和DVID单通道一样HZ，但是最高色深提升到16位。另一个模式是高分辨率模式，用一个通道传送奇行数据，另一个通道传送偶行数据。最大色深和DVID单通道一样是8位 ，但是目前实现的最高分辨率是HZ关于DVI信号的各种特性，可以参考下表：规格 信号 备注DVI-I双通道数字/模拟 可转换VGADVI-I单通道数字/模拟 可转换VGADVI-D双通道数字 不可转换VGADVI-D单通道数字 不可转换VGADVI-A 模拟 已废弃
范文四：ＮＥ
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造 上 Ｉ成压
。降运放 的等 ，这 些 因Ｒ
在 Ｈ ｓ素
ｎ ｓ 文章 中有　 ａ　 ｇ的ｔｉ低 。在封 装 成
方本 面 也
是 此 如 。最 Ｐ　Ｒ Ｓ
限的 ， 因 此 某
后由 ．于 两个 电 路在 晶
非 常 耦　 合 到其 它
Ｒ Ｐ Ｒ随 频Ｓ率
高升封　装引输脚 出．近它 们 之 ，间 的电 气
在 约 ５Ｈ ｚｌ ｋ 频段 通　ｋ
Ｏ至Ｈｚ）定
非常 匹 。配也 　 可 以看这到现一 。象图１ 的
版 图对单 通
有没 题 ，问但对
道 通 运 来放说
。双 通 了道运 放
的 标 准引点　缺不过
也存 在 一 些 点 。将缺两 个图版计考虑设 了为真 正
理 解 这些
效应 发生 的
　原脚出输图２ 如 示。
所图３ 双 通 道 运
在放晶 体 管 级 的　
是一四个 功或 能
在 放 个 一封装
中 增 会加功 　因
、双 道通道 和四种可
层 划规图 。 这 里
有个问　题 ： 通道 Ｂ输 出 必 须
越过 输 入
线 　的耗。对 于 带低 、宽低 电压 （ 低功 ） 耗运　通
。放 来 说， 这种 功 耗 的 增 加 对
影 很 响小， 仅
。５ 而对驱
动 　 低℃输入级电路才能
前以，双 极　
分 对　 性 模电
拟工 艺 还是 采
层金属 化ＮＰ或双　
使须 穿用 ｃｏ接
ｎ ｅｓ ）ＰＮ 抗阻 载负（ 同轴电缆
如）的 高 运放速而　路 ，
的ＮＰ示 ｒ— ｓ ｄ方ｒ　 ｕ言这 ， 结种
可 以 也是Ｎ
道 或 沟Ｐ 道　 法
因 此 ．对 性能
会有 影 响
。沟 　 有 ３ ℃。 由 于 裸 片 应
原力因 ，四
ＴＦ或 Ｎ．沟道
Ｅ 　沟 Ｆ Ｔ图３ 。一个 很 好的双 通运道 放　版 是运放的最
压 电将 高
双于通 道 或 　
面 临们一 个 同样 的
：如 题果两边
级 非 靠常近 裸 片
因此 　 ，单 通道 运 放
情 况 下些，
， 即 使相 差只
有 １１ ，
机 械 力 应梯 度最 小 。 从一
到　级运道放
失 电 调 会 比 单压 通道 运 放 　
电 也路 会 变得 不 平 衡
种 版 一 　０ 高 ，四 通 道 运
的放 失调电 压
比将双 通　
以 上 ，这时 将对
输 电出 压造成
　影图 。 从出级到 输两输个级的等入温　 道 运线 放高
　 　。响 。
路 存电 在功
等 的距并 行 线
因 ，此 交 叉
　输扰串 也是
个 题 ，问
源它 自两 个
过 越裸 片 传播
四 通 级 道 运 放抑 的制能
强很 。这—一 －５ ?
　 １子誊品崖幂ｔ ２ １　 ．＾、ｅ ｗ．ｏ ．ｎ
　６０＾ ，ｐ ｃ
ｒ ｃ ０　ｎ
、　ｅｎ责编 辑 任：王 　莹眭能
版 图 种的主
要缺 点 是，
出 输Ｂ 须 　跨相 比 ．四
ｌ放指 标 会
必 两 个越输
能 到 达才
输出 焊 盘 。从　 几 年 前
出 指　了双通 道
： ５ ６３占％ ．５７四 通道
： ０３ 占 ２．
％， ３５　 ３出输
到 相 输同
化 的 任何　
道 运 放 通 。秘诀
是使 用这 里包括了大 批 量
用 运 应放
音 、电 都容 将导
。 馈 对这几 年 前
　的了 一 个 特 殊 的 引 脚
，可 接框受
两个 　频 放
大器 高、 速
、 有带 或不 带 有
关断算作两 ） 以及种单位 益　 单增 金属层 化（Ｌ
艺来］ 说问题比较　 双 裸 片 ．
即混 合 器 件 或 多 芯 片 模 块
　引 脚的件器
（ＳＭ Ｅ）麻烦 ，不
过通 过 这 些
运 放的 低 增
带　 （益 ）Ｍ ＣＭ。
这 产种品 需要在 内 部完
器 偿 件在， 精
应 密　 用宽
经 有 已 所 改善。这 种
良 好　 有 配装，或
外 部与 装配 工 厂
紧 密合　领
域 ， 如低失
声噪 ，总 数 　　 的（散热
能 性但 是 ，，在
划 规同 一 产　品
。 最 终作
的 品 良率近 似 等 于
会 向单通 道 和双 通
。 圈 匝 完　未系 列
时 又 会本
遇到 问　片
品 良 的 率乘积 。
，如果 裸 片　
待续 ） 　题
还 另有 外种一 选择 ，如 图４
。良 品　 率是 ９ ％ 那， 最 么终良
　 ９０ ９ 　９ ＝是９． ． 　 Ｏ１ ９ ８ ．％这是
全 可完以接
　 Ｘ ９ ０参．文献考： 　 『 １ｏ ｍｌ ｏ　 　 Ｍｅｏ ｎｌｈＯｃＡｍｐ ｐＳ ｏ ｎ １Ｔｈ 　 Ｊｏｉ ｉ ｔ 　　
：Ａ　 ｔｒ
ｔ ｄ ｛　Ｅ
ｕｏ Ｔ ｉＳ ｕ
ｙ 　 Ｉ ａＥＥ在个一产 品 系 列
规 四通划道　 受 的 。另 一 方 面 ，
片 良 裸品 为　 率０产 品 时可 以 采
这 用种 版图 ，因
％，对 于９规 格
很 严求的 器 件 来
说 版　图可
以 被 复制 ，再
经 直垂翻 转 就
是 很 有可
　将． １ 　 快 速 ． 生 成 通四道
输 入。和 输
９×０９＝８０％
。Ｊ，Ｓ７ ，
Ｓ ４一（） ９ 　 ＿
１Ｌ １ａ　ｓ
ｗ ｗ　 　ｅｒ
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ｙ 【ｏ ，］ ｈｔ：
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２ ５。．【ｔ］ ａｔ ｇ 　 　 ｒ
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ＨＩｓ ｓ ＡＡｔ ｆ
ｎｌ Ｌｇｙ ｕ 　ｄ Ｅ ． 　
ｌ 　 ｎ 　ｎ２
ｒｃ Ｈｌ０　 ａｌ
０ ５ ，当２靠近
确正 的封 装
通 道 运 放四　的 标准 引脚
输出 如图５ 示 。 所２０年１月有人展 曾开一项过　研 ０ ２ ９究 通 ，过五 家
道 和 通四通道
的ｆｈ ｐ ／ ｗ ｎ　
／ｅ ｄｉｉ ｕ ｓ Ｎ １ ２ ｃ ｈ　
ｃ／ ｖ ｒ ｅｒ ｉ／ｃ０ ２
　 ｍＩ／ ｔ］ ／ ｗｏｏ ｎ ｉ
Ｃ ｔｖｔ （
Ｒ　，Ｗｂｅｔ
ｏＣｍｏｍ ｎ８］ａｌ ａ ｓＡ　　 ｓ ｅ　 　 　　Ｍ ｏ　ｊ ｔ 　 ｄｅ
Ｒｅｃｅｉ
ｏｎＲａｉ　 ｌｔ ｏ ｎ Ｄ　 ｉ ｅｅｌ ａ　
ｐｅｌｒ 　ＥＥＥ ｒＴｓ ｃ ｉ ｎＳ Ｏ
ｉＩ 　ｌ ｆｓ
　ａｎａ ｔｏｔｌ ｍｎ ａ ｏｎ　 　 ａｓ ｅｅｔ
９ １０： ４ ９ ６６ｎ ｒ ｅ ｉｔａｄ
ｓ ｔｕｎＭｅ ｕ ｒ
ｍｎ． ９。 （ ）
６ ７　 — １ ４６ ］ ｔ ：［ｗ
ｈｔ ／９ ｗ　 ｎ ｏｗ
　 ｓ ａ ｉ ｉｏｏ
ａｄｈｅ ｔ
／ｐ ａ ａｌｇ／ｃ ／ｍｔｔ ／
ｍｃｐ ｒｅ
ｄｅｆ／ａｔ ｓ ｅ　　ｓｌＤ８ ７１ Ａ ｆ ２ｐ　 ｄ这　种 版
图 存在 几
的问题：０ｈ［ｔ ｗ ｗ ：ａａｏ 　 ｏ ／ ｔｔ／
ｒ ｆｄｅ／ ａ ａ
　 ］１ｔ／
ｇｌ ｃ ｍａｓｉｉ ｏ
ｔ— ｉ ｄ ｔｓ — 　／ｐ ｃ ｒｅｅ ｌｓ
ｅｓＡＤ８ ２ｅ　 ｄ　 ｈ
／ ２ｔ ６ ｐｆｎ １
Ｗ ｏｇＪ Ａ ｃ ｅｉ Ｆ ｅｄ ｃ 　 ｂｍ
ｎ １ 　 　 ｔ　ｅ ａ ｋ
ｍＡｌｐｉ Ｐｒ ｓ ｈ ｖ ｉ 　　ｅａ ｅ
级 不在裸 片
心 ，中而 裸片 中　 数
。量 调 研 果结如 下
：１ 输Ａｃ ｒｃ ／［ ．Ｌ １Ｎ ７１
ｗｗａａｏ ｏ 　　 ｃ ｕ ａｙ
０　 　 Ｒ Ａ
ｗ 　ａｎｌ ｃ ｍ
ｇＨ Ｓ ｌ ２ｎＡ
Ｍ　ｓ ｇ　
ｆＨｇ Ｆｅ
ｎ ｙ ｕ Ａｅｌ ｓＩＥ
ｏ ｉ 　　 ｅ Ｄｎ ｏ　ｉｉ — ｈｒｑ ｅ ｃ
　ｐｍｉ ｒ　Ｅ
　ａ ｆＣｍｉｕ ｔ 　ｎ
ｙ 　 ｒ ｉ ａ ｄｔ ｓ ｅｍｓ ｓ１８３ ｃ
ｓ 　９心是
机械应 力 梯
度点 ，具 有 最
　小的调失 电压
出级输到 入　输 ２ 从级的
距 不 够离远
（ ） ；一
输 个出级 　 ３
到从另外一个 入输的热波级将 等温线使　
成 曲线 ， 因变而 无
被法 交 耦 合叉的 输 　 入 对 完
全 抑制 ，并 造 成
一个从 通道
一 通个 道的
串扰 。这些 问
于 两难单境道 ：通５８
３占．　 ９ ． ％９【７ ｏ ］ ｍ 　 ｎ Ｉ 　ｉｉ 　ｃｏ
ｓｅｔ ｎｏ Ｏ　
Ｓ ａ 　ｌＭ， ａｍ Ａ ｔ 　 ｅｍｐｎ ａｏ
　 ｆｐＡｐ　 ３ ｉ
ＣｖｉＩ 　ＥＥＥＴ ｒｎａ ｉｎｃ 　 ｎＣ ｉｕ　 ｔｎ 　 ｙ ｔ ｍｓ１
　 ７　 ａ ｓ
ｓｔ０　 ｒ
ｉ ａ Ｓｄｓ ｅ
ｏ ｓｃ智能电
表 气◆表 ◆ 水
ＳｏＣ表 化 ，　 　 　Ｆｅ
能ＭＣ Ｕ助阵 　 ｒ
ｅｃ 智ｌ随 智能着 电 网 普的 及，为 相 产关业 Ｍ 　 Ｃ ５Ｅ
３位 ｏＣ ｉｄ
１Ｍ２　ｌ Ｆｒ Ｖ１ｅ 　 带 来巨大 发的机遇展，智
能电 表到受产业上述 三 款
产 品 的 集成
。例地　 对：
放 运 来说最
的 图 对　版 通 四道
的优 。 个 每　 单 道 、双通通 道
　版拉动， 正在
包括中 国 快速
　 如 ，Ｍ 伴ＣＳ
８ ９ ０ ＷＧ 系列是
用的Ｌ 　 ＣＤＵ０ 内 的 一　 核着对 电随表能功和 能性需的求 高提 成，　本Ｍ Ｃ
．是基 于 经 过
Ｓ的８压 力
增 大 为 。满足市
。飞求思　 个低
功耗 ８位ＣＵ系列Ｍ 适用 ，于单相电　 卡 尔 半
体导公 司继
　和表 量流 表 气（表、水 表和 表热 ）的　 煤图可以从头 开
考 虑 上 市到 时和间
，本 准标设
是 要控制（ ＭＣＵ 器）容阵 ，推出高度 集成 的　 应 用
位 １ ＡＳ－ ６
ＡＲＤＣ （
－舍单芯（片ｏ Ｓ
）方Ｃ，案括包 ：程迟 延 块，）以 及对煤可 气水和流量进尽可
地多重 复 利
。 当 某　个 产 品系
列 只 需中要
通 道 单或双
通 　道运放时 ，
双 通道的 版 图
是 优最 　 的
３行水 平翻
进 以可 得到 同样
的四 通 道
版 图， 因
此与? 适用 于
相 电单表 和 流 量
表 应 行传感　
器动自码解 位置的计 器 ，使 数该的 低用功
耗、 经 济高 效 的 ８ Ｍ
ｕｃ 　 —列系适
　Ｄ位 ＣＭ
Ｃ ９ ０Ｗ ６Ｇ；
器制 。更使 它 备具 度 高成集特 性 。面?计量向用的应超功耗低Ｌ Ｄ　ＣＭ Ｃ ９
同 时带 附一 了整套 软 硬
Ｓ　 Ｗ８Ｍ
９０ Ｈ ６Ｌ／
６： ８ Ｓ３ ４件　工 具
加 快 更速和
轻松 。版 图 设计合理 的 双
道 通 单或通
道 运放?大举提 针 对高 智 能计量表市场 的 匮圃 （ 　
九迎）、 ．＾ｅ ．ｗｏｃ
　２ １ 重． 号品痤幂时５
ｐ ｃｍ ．ｎ ００６ｎ
２Ⅳ１＿ １
范文六：单通道和双通道性能提升之评测[]现在大家一般都用的是2G的内存，可能有的人喜欢用双通道，因为这样拥有双倍的带宽，带宽就能从64BIT摇身一变为128BIT，那么到底是将2G内存升级到4G内存这样真的能得到飞跃式的性能提升么，今天由谢风来测试2G内存和4G内存性能上的差异，双通道是否真的管用首先介绍测试的平台此次测试的内存仍然为记忆DDR3 1333内存，带马甲的那条为记忆 紫金诚 DDR3 1333 ，没有带马甲的为记忆
小白龙DDR3 1333 ，如果要购买记忆内存的话建议最好购买带马甲的记忆 紫金诚 DDR3 1333，超频性能更好一些 ● CPU-Z测试：CPU-Z是一款家喻户晓的CPU检测软件，除了使用Intel或AMD自己的检测软件之外，我们平时使用最多的此类软件就数它了。它支持的CPU种类相当全面，软件的启动速度及检测速度都很快。另外，它还能检测主板和内存的相关信息，其中就有我们常用的内存双通道检测功能4G双通道DDR3 1333 CPU-Z截图2G单通道 DDR3 1333 CPU-Z截图在测试的时候两条内存都没有采取超频的方式来进行测试，这样想让大家更加直观的看到内存容量所影响内存的性能而不是频率所影响内存的性能● Everes带宽测试Everest的前身为系统硬件信息识别的AIDA32软件，一直是DIYer识别系统硬件的好帮手，而软件中自带的内存性能测试也不失为一个测试内存读写带宽的好软件单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G
我们可以从Everes带宽测试中发现单通道和双通道在性能上的差异了，我们可以从内存所测试得到的成绩看到，单通道DDR3 1333 2G所得到的成绩为Read为10334 MB/S，Write为10370 MB/S，Copy为14772MB/S，而双通道DDR3 1333 4G内存所得到的成绩Read为13954 MB/S，Write为11494 MB/S，Copy为15422 MB/S，可以从Everes带宽测试测试中发现双通道的成绩大幅度的领先单通道，最高领先幅度达到了百分之35左右，看来双通道对于内存性能的影响还是很大●3D MARK 2006测试测试软件介绍：整体性能测试为一体的３ＤＭＡＲＫ２００６，３ＤＭＡＲＫＥ２００６具有Canyon Flight测试，以及全新Deep Freeze测试单元，严酷考验系统的Shader Model 3.0、HDR渲染能力，能更好更直观的把平台的性能用分数体现出来，让消费者对自己平台的一个估算单通道记忆DDR3 1333 2G双通道DDR3 1333 4G
3D MARK 2006一直为大家测试硬件性能的一个基准的测试软件，我们可以从这款测试软件中看到单通道记忆DDR3 1333 2G所得到的分数为16367，而双通道DDR3 1333 4G所得到的分数为16502，双通道领先单通道得分为200多分，从这款测试软件来看领先幅度并不是很大● SiSoftware Sandra2009测试这是一套功能强大的系统分析评测工具，拥有超过30种以上的测试项目，主要包括有 CPU、Drives、CD-ROM/DVD、Memory、SCSI、APM/ACPI、 鼠标、键盘、网络、主板、打印机等。全面支持当前各种 VIA、ALI 芯片组和 Pentium 4、AMD DDR平台。除了具有强大的功能外，使用也很方便，易于上手单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G经过刚才两款基准测试软件我们已经大概了解了单通道和双通道性能对于内存整体性能的影响，我们继续使用SiSoftware Sandra2009 来测试单通道和双通道内存性能差异，我们可以看到使用单通道记忆DDR3 1333 2G所得到的内存带宽为8.99 GB/S，而使用双通道记忆DDR3 1333 4G内存所得到的内存带宽为16.92 GB/S，在此项测试中双通道内存带宽要领先单通道内存性能一倍之多，可以看出双通道的128BIT带宽在此项测试中得到了充分的证实，那么单通道内存和双通道内存的内存延时相差多少呢，请看下面的测试单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G在内存带宽测试中我们可以很明显的看到双通道内存的性能要比单通道性能要领先一倍之多，我们使用内存延时测试可以看到单通道记忆DDR3 1333内存所得到的内存延时成绩为74.6Nns,而使用双通道记忆DDR3 1333 4G内存所得到的内存延时成绩为74.1ns,看来在内存延时上单通道和双通道并没有差异，这也有可能是因为内存延时的影响之和内存时序的高低有关全文总结：在今天内存单通道和双通道内存测试中我们可以发现，其实双通道对于性能的影响还是有的，其中影响最大的则是内存的带宽，这也有可能是因为内存采用双通道的时候内存的自身带宽从64BIT,迅速变成了128 BIT才导致了双通道得到了高于单通道一倍性能的成绩，而内存延时上并没有发生太大的变化，从3D MAKR 2006测试来看双通道并没有太多的优势，不过整体来说双通道的优势还是有的，但是并没有太多对内存的影响，不过有条件的朋友不妨也尝试一下双通道内存所带来的内存性能提升单通道和双通道性能提升之评测[]现在大家一般都用的是2G的内存，可能有的人喜欢用双通道，因为这样拥有双倍的带宽，带宽就能从64BIT摇身一变为128BIT，那么到底是将2G内存升级到4G内存这样真的能得到飞跃式的性能提升么，今天由谢风来测试2G内存和4G内存性能上的差异，双通道是否真的管用首先介绍测试的平台此次测试的内存仍然为记忆DDR3 1333内存，带马甲的那条为记忆 紫金诚 DDR3 1333 ，没有带马甲的为记忆
小白龙DDR3 1333 ，如果要购买记忆内存的话建议最好购买带马甲的记忆 紫金诚 DDR3 1333，超频性能更好一些 ● CPU-Z测试：CPU-Z是一款家喻户晓的CPU检测软件，除了使用Intel或AMD自己的检测软件之外，我们平时使用最多的此类软件就数它了。它支持的CPU种类相当全面，软件的启动速度及检测速度都很快。另外，它还能检测主板和内存的相关信息，其中就有我们常用的内存双通道检测功能4G双通道DDR3 1333 CPU-Z截图2G单通道 DDR3 1333 CPU-Z截图在测试的时候两条内存都没有采取超频的方式来进行测试，这样想让大家更加直观的看到内存容量所影响内存的性能而不是频率所影响内存的性能● Everes带宽测试Everest的前身为系统硬件信息识别的AIDA32软件，一直是DIYer识别系统硬件的好帮手，而软件中自带的内存性能测试也不失为一个测试内存读写带宽的好软件单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G
我们可以从Everes带宽测试中发现单通道和双通道在性能上的差异了，我们可以从内存所测试得到的成绩看到，单通道DDR3 1333 2G所得到的成绩为Read为10334 MB/S，Write为10370 MB/S，Copy为14772MB/S，而双通道DDR3 1333 4G内存所得到的成绩Read为13954 MB/S，Write为11494 MB/S，Copy为15422 MB/S，可以从Everes带宽测试测试中发现双通道的成绩大幅度的领先单通道，最高领先幅度达到了百分之35左右，看来双通道对于内存性能的影响还是很大●3D MARK 2006测试测试软件介绍：整体性能测试为一体的３ＤＭＡＲＫ２００６，３ＤＭＡＲＫＥ２００６具有Canyon Flight测试，以及全新Deep Freeze测试单元，严酷考验系统的Shader Model 3.0、HDR渲染能力，能更好更直观的把平台的性能用分数体现出来，让消费者对自己平台的一个估算单通道记忆DDR3 1333 2G双通道DDR3 1333 4G
3D MARK 2006一直为大家测试硬件性能的一个基准的测试软件，我们可以从这款测试软件中看到单通道记忆DDR3 1333 2G所得到的分数为16367，而双通道DDR3 1333 4G所得到的分数为16502，双通道领先单通道得分为200多分，从这款测试软件来看领先幅度并不是很大● SiSoftware Sandra2009测试这是一套功能强大的系统分析评测工具，拥有超过30种以上的测试项目，主要包括有 CPU、Drives、CD-ROM/DVD、Memory、SCSI、APM/ACPI、 鼠标、键盘、网络、主板、打印机等。全面支持当前各种 VIA、ALI 芯片组和 Pentium 4、AMD DDR平台。除了具有强大的功能外，使用也很方便，易于上手单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G经过刚才两款基准测试软件我们已经大概了解了单通道和双通道性能对于内存整体性能的影响，我们继续使用SiSoftware Sandra2009 来测试单通道和双通道内存性能差异，我们可以看到使用单通道记忆DDR3 1333 2G所得到的内存带宽为8.99 GB/S，而使用双通道记忆DDR3 1333 4G内存所得到的内存带宽为16.92 GB/S，在此项测试中双通道内存带宽要领先单通道内存性能一倍之多，可以看出双通道的128BIT带宽在此项测试中得到了充分的证实，那么单通道内存和双通道内存的内存延时相差多少呢，请看下面的测试单通道记忆DDR3 1333 2G双通道记忆DDR3 1333 4G在内存带宽测试中我们可以很明显的看到双通道内存的性能要比单通道性能要领先一倍之多，我们使用内存延时测试可以看到单通道记忆DDR3 1333内存所得到的内存延时成绩为74.6Nns,而使用双通道记忆DDR3 1333 4G内存所得到的内存延时成绩为74.1ns,看来在内存延时上单通道和双通道并没有差异，这也有可能是因为内存延时的影响之和内存时序的高低有关全文总结：在今天内存单通道和双通道内存测试中我们可以发现，其实双通道对于性能的影响还是有的，其中影响最大的则是内存的带宽，这也有可能是因为内存采用双通道的时候内存的自身带宽从64BIT,迅速变成了128 BIT才导致了双通道得到了高于单通道一倍性能的成绩，而内存延时上并没有发生太大的变化，从3D MAKR 2006测试来看双通道并没有太多的优势，不过整体来说双通道的优势还是有的，但是并没有太多对内存的影响，不过有条件的朋友不妨也尝试一下双通道内存所带来的内存性能提升
范文七：９６ ９Ｇｇ ａｉ ｃ ｄｌｏ ｒ ａ ，
１３ Ｎｏ ８ ｕ ｎＶｘ 　Ｍ ｅ ｉａ　ｕ ｎ ｌ Ａｇ
２ １ ｏ， ．， ３．　 Ｊ单通 与双道通道经皮肾镜 碎石术治复疗性杂肾结 石比较潘 博文 　陈勇
梁聪 　 　 赖广平
魏 　 波包华
　宇（广西钦州市第二 人民 医院尿外泌科 ，钦 州市５５ ０） ３ ００【 要】 目的摘 比　单较道通双与道通经肾镜碎皮术（ 石Ｃ Ｌ治 复杂疗性 肾石结临床的效疗。法　方复　 　
性 肾结杂 石者患
８机随分 为两
， 照组组４
例 对５ ０例采
用 通单道 Ｐ
疗 ， 察 组 ４治 观５
例 用 采双通道
Ｌ　 疗。治较比两组的一次石取结净和率手时术等间。结　 两组患果者均顺利成完手。术察组一观结次石净率为取 ９ 　％（３４．） 明显 于对高照组 的６ 。６２／
，０ ６ ５４ ５ ／ ，７ ５（％４７） 差 异统计 有学义意（０ ０
）Ｐ ＜５ 。观察组手术时间．住 院　 及间时短对于照（ Ｐ组均＜
５ ．；中 出血量少 对照于组 ，００ ）
但差术异统无计 学义（ ０意０ ） Ｐ＞
． ５结论　 双通道　 Ｐ Ｎ。治疗复杂 性结肾一次结石石取率净高 ，Ｌ Ｃ创伤小且、 全安可 靠，值得临床推 。广
【 　键词】 肾结关石； 　
皮经肾刺穿石取 ；术 碎术石　 【中图 分类号】Ｒ６２ ４　
　．　 【 ９
献标识文】 Ａ码　 　
文章编【号】
　 ２－ ３３ ４２ １）
９ ６ ２８
４００是肾尿系泌成形结石的要部位主， 其他 部位结的 　都可石原发以肾于 脏，输 尿结石管乎来 几自肾，脏 　而且肾 石结其比他位结部更石直易损接伤脏 ，肾 此因为 　保存和了改善肾功 ， 能早期诊和断疗非治重常要经。　皮 镜肾石碎（术Ｃ
Ｌ是 年迅速近展起来的发腔内泌　 Ｐ ） 尿Ｎ科技术外， 有
伤创小、具
和恢效 快 的复　优点
¨２０ ７ １ － 。 ２ ０年 月至２ １
００年１ 月我科 收复杂性　 治结肾 患者 石８ 例５别分 采单通用道 Ｐ Ｎ
Ｌ和Ｃ通道　双Ｐ
治疗 Ｎ， Ｌ Ｃ比上较述两种法方 临床的疗 ，效 现结将果　 报 如告 下。导管和尿管管肾穿刺和操作体位 。 ：者俯卧位患， 将　
部腹垫 ，高 根结石据 和盂肾、肾盏的具体 情况择选穿　刺 位部
，本组选肾中盏。择超声引导在下
从肾，的外脏　侧 缘后位置偏入进肾质 实 沿肾，盏轴线方向入进肾。 　盏 在先 Ｂ引超下确定导穿位刺和方 点向， 穿部位刺肤　 皮一小作口。穿刺针进入切被膜后 ，肾 进人大约再２ ｍ ，　 　
ｃ可 入进盏 肾，拔针 见芯有尿液出溢后插斑马入导，丝 将　 导丝经穿针刺送人盏肾 、肾 盂、输尿管。 用张扩器沿　 丝逐级扩张导至需所 要管径的， 扩 张器的 方向与刺穿　针进 的方 入一致。向用气弹压碎石机道过碎石杆碎　通石，
碎石小冲随液流出，洗 大碎石较异用物钳出夹。无　 一法期净 的取结石
，后术５ 行二期取ｄ石观。组采　察　 用双通道
Ｎ Ｃ ＬＰ疗治： 麻 醉法方 患者、体位同对照 组，１ 资料 方与法１　１ 床临资料 复性 杂肾石结患 者 ８
５．例 ，中男　
５其 ，例 ２ ６ 女９例 ，
７１ ５ 。岁３ —２ ４ ． ± ． ）
脉 尿、 路造影 （ Ｖ、
ｘ 线平片　
静ＩＵ）泌 （Ｕ
ＫＢ 或 Ｔ明 诊确。８断 ５患例按随者机字数表法　 分为组 ，两观
５例， ２ 男
９ ，例１ 女
６ ， 龄　 例年（
； ）结 石肾１ ４ ．
８左 ，例 肾 ２右 １例 ， 肾 ６ 双
　；例肾 、盂 肾盏发性结多 ２ ４例 石， 尿输上管段发多　 结性石
例２ ；１ 鹿全角结状石
１， ７ 部例鹿角分状结石　 和多性结发 ２ 石例
８； 石直结 １２径 ４０ 中度 ｃ肾积 ．　 —． ｍ　；水１ ，
２ 重例度积肾水 ５。例照对 组 ０例４，
２男 例 ７ 　 ，１ 女３例， 龄
７ ９－（ ８ １岁 ；肾
年４．１ ．） 左 － ６例
右 ９例，双肾 ５ ；
例 肾、 盂盏多发性肾石结 ２例
，１ 输尿上管 段　发性结石 多 例； １ ９全鹿角状结石１
６例 ，部分鹿角状一通道建第立方法对同组照；
超Ｂ导引下建第 立 ２ 在 　 Ｆ条６ １ 通取道， 石在对有正结石的肾盏进处 ，针若经 第　 通道进入输尿的管镜够能测到监针的进置位深和一度更好 ， 余其骤步同一第通 的道建。两立条通联合取道 石， 　尽量一次手将结术石完全净取所有。例取病石　后常规放置 造瘘肾 ３管—
　，８ｄ 留置双
６周后拔 除。患者术　后常卧床规２
￣８ｈ ３ｄ４ ４ 　 ４，— 　
查复 Ｋ Ｂ了　Ｕ 解 石是否残结留是和需否二要取石期术后 ３ 个。随　月访 如，无石结或结石片碎＜
ｉ，　３ｍ ｌ则认取净为 ｌ。
１３　 观察标指观察两 一次结石组净取率、
．术 手　时间、
院住时、间 术中血出 量。１ 统计４ 方学 ．法采用Ｓ Ｓ　 ３进０统计学分行 ＰＳ１．结石和多性结发 石２ 例 ４ ；结石径 直１ ４２ｃ１
； ． —　．ｍ 度中　肾积水
９， 重度例肾积 水３ 例 。两患者组性别、年 、 龄　结石部位、 病情等 差无统异学意计 （ ０义 ０ 具）有 　＞ Ｐ．５，可 比性
　。， 析计量料资用 采 ｔ检验
，计数料率 的比较采用资 ｘ　 检 验。＜ ．５ ００Ｐ 为差异有统计学义。意结２果２ １术方手法对 照组用采单道通
Ｎ ． Ｃ Ｐ治Ｌ疗： 采　
用连硬外麻醉，膜 患先者取石截位
，留 置 ～ Ｆ输尿　５ ７１ 两组一２次结石取率比较 患者净顺均完利手成。 ．术　 　 术 随访后６ １
个月 ，２— 均９平 个月， 无症复状发观。组察广西 医学 ２
１ ８年第 ３月 卷 ３第８期次净结石取
， ３次二净取结 石２ ，例 一次 结石取　 ６ 净６．。一期
术 手患的者 行一
麻醉次， 院
５７ 住 　％ 率为９．％
３（ ４）照组一对取净结次 ２石 例，５６ ４／ ５
；７二次　 痛苦 小，
费用低。 过 不出血 是经皮 肾 的常见合并镜　 术如术
中　 取 净石 结 １ ，例
三１取次净结 ２石 次一结取石净率为　 症， 中 肾质出血可通实过操鞘压作控迫 ，制例
，血控制不出者好进行应动脉造检影 　６％．７（ ４观察）一次结石取净组率高于对组， 照７５ ２ｏ ／ 差，　出 血较应输多 ， 查，血必 时施要选择行 性肾脉栓塞 动，甚至开放 术探　手 有统异学意计（　 义． １ ，０Ｏ１
ｘ。＝ １４
＝Ｐ． ０　） ７
２２ 组两 术手 时 间 院时、 、间中 血量 比出较观 　 。邓耀查 　良 报采用告经皮输尿管肾镜石术治取疗　
． 住术结果 手 术均成 功， 结石 取率 净为
　组察手时术及间 院住间短于时对组 照， 差均有统异计　 肾多结发石， 手术 均时平 间０ｍ ｎ无一１发生大出例、 ５血　ｉ ， 尿漏邻　及学 义意
）观组察术 中血量少出于对　照 认 安 组， 　但差异
无计 学 统义意
０（ ０ 见）表 １ Ｐ＞ ．５
。，组 患两　近 器官伤损等 并症发， 为 术该具式有操作单、简创伤小
成、率功高优点。李的等逊 采用经皮 肾　　 者 中术均无气、胸肾盂 穿孔发生 等， 术无后染、感高 热 全、 　多道穿通刺取石方法疗治３
８鹿角例形或多发性 肾　 或继发结出性血等 　 。，石 果结结清石除率达 ８
％上以，４ 疗 满效 意， 该为 　 表 认１两 组 者各 患项指标 比较 （ －）
４ｓ 　 手　安全 术、出血少
，取 速石快度， 结石清除 率较。高
ｎ术时间手
）住 院（间时 （ ）术 出中量血（
１ ＩＩ） 本观文 察组患者的手 术 时间为 （ ． １ ４
ｈ 住　 院５２±． ） 、
时间为（．４ ． ） ， ８５． ２ ｄ 均短于 对照组 的 （． ４．
）　 － ３
ｈ－２ 和（１８４
ｄ０ １ ．士． ）
。术且中均 气无、 胸盂肾穿孔 等并 发症发生　 ，术后 感无、 染发性继出等血 。此因
，认为对　于复 杂性肾石患者 结，可 用采双通取道石 ，争取 一　次 手术净取结石，
以短缩手术和住院时
间 减轻，患的者　 ３ 讨 　论负 担。一经皮镜技术 （肾Ｃ Ｌ
是 内腔泌尿科手术外 　的 Ｐ ） 个重要部Ｎ分，
输与管尿镜技及体术外冲波击碎石　共 同成泌为尿结系的主石要治方疗 法，已 彻底变了传　 改开放手统术治的疗式 。通过方经肾镜皮术、输 尿管　镜取 术及石体外击波碎石术冲等合处综理法方 ，可 使以 ９　 ％以 肾结上石患免除开放性手者术 　ｊ Ｐ
的Ｌ一参考文献［］Ｓ　 ａＣｏｅ 　 ｓ ａＺ　
ａｅ ｅ ．ｏｒｄｎ ａｅ　
１ａ ｔ 　Ｋ，ｏｐｒ Ａ，ｉ
Ａ，ｎｔ１ Ｒｔ
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ｙ ｔｏｏ 　ｆ
ｒ ｆ ｒｉ 　
ａｔｅ 　 ａ ｅｌｏ
　 ｃｈ　 ｖ
　ｉ ｒｐ ｙｏ ｔ
ｅｉ ｕｔ［ ］
ＪＵ，ｏ０ ３１ ０８ ： ９　 ２ １ Ｊ ２　 ．ｒ２ ｌ０， ７
（）２１８— 　
０ ． 　］ ［ 健黄 ，　２许可尉 ，
正辉 ，郭 ．卧位斜微 创经 肾皮 镜石　 取 等术５ ５例报 告［ ］ 中
， ７ ０ （ ）　２ Ｊ ．２０ ， １８：５—１ ．１８优点是能视直发现下石并一次结击结石 碎 操作可分　， 期进 行 ，脏 肾损的小伤 ，对 避 开免刀术手的痛苦
，患　 术者后恢 复快，
时院短 ， 间住 发并少症
用药少，， 费 少 。 　 Ｐ用 Ｎ ＣＬ适的应证
）＞２５ｃ
的肾 石结，
１ ．：ｍ　
尤　其铸型是结 石２ ；种 肾、各 ）（输 管尿段上石结、 复　杂肾结石、 有 状症的 肾盏憩室石 结 、内肾 肾盂型并合　 连接部狭窄的石等结；
３结石肾伴输有管尿上或连段 　（ 接部）狭窄；
４胱 氨酸石结、Ｓ
） （ ＥＬＷ无效
草的酸钙结
　石全。身功不能耐受 能手术者为本手
的禁术忌证。
　有 出 『倾血 者要向制控定后再稳手治疗术 该。式　 术生常见 发并症有出 、 血盂穿肾孔（ 器移动械度幅大容过　易 成造
）稀 性低释钠 血症 、、 周积脓 、 肾近器脏损 　
伤邻 腹膜、后血肿、 造影剂反
、应 盂输肾尿 连接部管 狭 　、窄 肾道通失等　消
。 Ｃ手术的Ｌ键 关是立建良好
　 ＰＮ 的ｊ穿刺通。穿刺道肾 盏选 的要根择据石和结 肾肾盂　 盏的 体具况情定而 ，最好 选择 中、肾 。经过下盏盏 　下 穿刺， 以 治疗盏下、
可肾盂、中 上的结石盏； 中盏 　 经穿刺 ， 以治
疗中盏 可 、盂、 肾下上、 盏输尿管段 的上石　结 及 尿肾移管行部窄狭 　 。 本研　究中观察组患者一 次净取结石 ４ ３例 ， 一次 　结取石 净 为 率 ． ９ ，％ 照组
一次 石取结 净率 为
５６　 对［］黄 蔚山
， ３梁建奇
，灼 ．怡林 多 通道微 经创皮肾 穿刺取
石　 治疗 术杂 性 复肾结 石
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１，２（ ）１
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国礼．４　
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Ｆ ． ｅａｎ
ｙ ｅｔｕｄ ｇ ｏ 　ｓ ｒｔ ｏｎ　ｏ 　 ｏ ｌ
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６７ Ｊ 　．ｒ
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，国曾 华 坚，，
皮 经穿肾取刺 石 治疗术上　袁 等． 尿路结石
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（． 医Ｊ 学 版２０） ， ６ ６ ：，０４３
）（４１— ６１ ．２
２（收 稿日 ： １
４—— ２ 修回
　６期 ２ １０
０ ２ １ ０１ １ ）０
范文八：维普讯资 htp:/t/wwwcq.vpi.cmo２ 第４卷第期　２河 北　　省
　科学 院　 学　　报Ｖｏ．４
　１ ＮＯ２ ． 　２０ ２０年 ７６月Ｊｕ
ｅ Ｈ ｅ　 ａｅｅ 　 ｆ Ｓ ｉｎｅ
ｒａ 　 　
　ｂ Ａｉ ｄ ｃｙ ｍｏ　ｃ ｅ ｃ ｓ ｏ ｈＪ
ｎＯ ｒ 　ｕ ２ｅ
号编 （ ：—１ ３ ３２ ０
）— ０ ２７ ３—１０ ９ ８
４ 　０３ 从 通 道双 四 道频改成 单
道 通频 道二 电　 视发射 机 的 探 讨李　玉（
德市广播承视局电
河， 北德 承００ ） ７ ００６摘要通过实：论例述 从了ｌｗ 通 双道四频
道成改单通
二道频道 发 射 机 方的案、 ｋ 改 机调 试及
机试 的整 个过，程 测其试结达到 果了预期效 果，满
足现有工作 需的要。为 开 源流 节 物利用 、提供 了一个很好 的证 例，
废今　 后为 的术 技改 实践革积累 了相关的经验 。键关 词 ：道通
频； 道； 电发视机　射图中分
号：Ｎ４　 Ｔ ９１ 文献标识码
　：ＴＡｈｅ ｓ ｕ 　ｎｔ
ＴｅＶ　ａｃ ｎｇ
ｈ ｉｒ ｍ　　ｗ
　ｄ ｔ　ｄ ｙｏ 　
　ｈｌ ｎ ｈｕ ｉ 　 ｎｅｃｆ ｏ
ｔｎ－ ｓ ａ ｅ 　
ｆｎｕ 　ｒ
ｎｙｃ ａ ｅ ｔｓ　
ｒ ｎ ｙｑｃ ｎ ｅ
ｓ ｏｒｆ ｅ ｕ ｅ
　 ｃ ｈｎ ｌ　ｎｏｏ
ｅ ａ ａｗｏ ｆ　
ｕｅ ｃｅ 　ｈ ａ 　ｌＬ　　 Ｉ ＹＵ （ｎｈ Ｃｅ 如 Ｄｐ ｇ ｒｅｔＲ ｄｆａｏｄＴｌ
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０７０ｅ ｔ ａｎ　 ａｉ ｎ　 　 ｖｓｅｎ
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；ＴＶ　ｅ ｎａ ｈｎ 　
ｃｉ ｅ ｌ ｕ ｃ ｉ ｇ ｍ
ａｈ ｎ大力提在倡节能耗的降 今， 充分天用利 旧 废源资是其措 施之一 。作者 以承
电视 台德 对有原的一器部分为全固 ，态 图 像伴音都为和低电平 中频 调制，
为 输２ Ｗ伴。音 功 率 末
２　 一６ＣＯ陶 三瓷极
管， 工 作在 甲
类，出功 率 为 Ｉ
Ｏ。图 　 输ＯＷ 像功放
， 前 级级 采
用Ｆ－ ２末 Ｃ ６管０工 作
在甲台旧 １
双 Ｗ道通四 频 电视 发 道 机射 ，ｋ 改
造 成　单道通 二 频道 的发
机 为 射例，
改机 方造 探案及具体实过施 。程， 末级采用 Ｆ 类 一０管。 甲乙 工作类态 状，
出７ ２ Ｃ 　 输步顶功同 为 １率Ｗ。控电部分采用
电器继电 子 ｋ自动　控
电路 制 主备，机
。改机１方案为了与本
电 台 现 用 的 视 Ｗ５二
射　 ０机并使机 用 改，无善接受线效 ，果节约经
费 欲， 将原　 有 ｌＷ 双通道 四频 道 电 发视
射 机 ，双 道通改 为　 ｋ 由
单道 通， 四频由道为改频二道 　 。、 　 有 原Ｗ１
通双道四 道 频电视
射 发机， ｋ
激 励收 稿 其期日： ０７—４— ４
０ ２０２将原机去掉双器 、 工音功放 ，
影留 前末 　伴保，级 影
末 级电 管子改 为
Ｆ －３， 留
机 原 腔体 　 将７Ｃ ２保构 结 ，励激部器分掉伴音功去小盒放及变频 ，级加
入互　失真校调器正，使其 为单成道 通， 时同电将源者作介简：李 玉
（９一６， ，
男河 承北人德，
高级工 师程
主，从 事广播要电视 传 输与发射方面 研的究 ．维资普 ht讯pt/:/ww.wcqipvc.om河北省学 科学院报２００ ７年第 ２ ４卷电和控 分部进行 相 应 的 改 造 　。在一
右左 满足求要。 　 ２末 前２级调 　 试．２ 改机 及
调试２ １末级 功放 　．末前级采用 仍 － Ｆ管０，
Ｃ ６ 工２ 于作类 甲 电　 ，加静 态 工作点 ，
流 ３ 阴０８ Ｍ Ａ ， １压 Ｖ。调７输
入 板 ．Ｋ末电路级采 用的 半 分布参数是电感
耦合电 　 路
， 路电被封 闭为方在型体腔内
为了分充 　整个
利用　原结 ，构将其
从四频道为二频道，改只 是将Ｆ－ ２
３Ｃ０７ 管Ｃ７ 管 ２ ， 的 应 级各 供电
压电　 相匹驻配波≤１比与２级末比
．，稍 一差点 ， 也满但足 要求。调　出回路 输曲 ， 由于盖线板钉使造螺 成电 容短路　排除后 ， 。通过大加初 级路回感 Ｌ 和电次 。 　级状带Ｌ ，
２得使带通宽度
＞Ｍ ｚ 带不平度内 ＜８ Ｈ，　 ０
Ｂ３； ．ｄ 两级联调 ， 带宽 为８ ｚ带
不内平度≤ ５Ｂ０　 Ｈ ， Ｍ．ｄ ，增总 益￣３ 满足ｄ求要。 ＞ ０。 Ｂ　２ ３激励 器　 ．都按 要 － Ｆ ２７Ｃ管要求进行改动 。电加后静态其 　３级各 为压 压 板 ３Ｖ， 丝
压 电１．Ｖ
压 ４ ，Ｖ， ｋ灯 ０
栅帘压４ ０　 ０ Ｖ。用Ｂ一 输入调配匹。线如图 １ 曲１ ０Ｔ 所示 。原　激器为双励通 道，改为单通
， 去道其掉伴　 音频级变 、功放级和荡振级 。减为小互失调真 ，在 　变频级增 前加一个 互调 失 校 正小盒真 。＼３ ｏ　．２　 ｏ．一　 ．ｆ’ ＾
＼ｓ ５　 Ｊ６　８ ６　 ｏ一．～
． 、　 ．６ ２６ 　 ’ ４：（）１晶体功放级管：
采用级 甲两类带功宽 ，放 　 用以 大变放后的频射 信频号， 使其 输出 功满率足　≥ １要求
较高的有益 增 ，输且出 匹 配好良两。级增益 １ｄ
频响 ＞１Ｍ 。 ８ＢＨ ， ０　ｚ１ 　 　 ｏ．．Ｏ，５５ ２　４晶放大倍频级调振试晶。振放大两级 共 均　，圄 ｌ末输级入配 曲线圈匹谐振于４ ． ７Ｍ ｚ 级两益增＞ ０ Ｂ 　
，３ 。ｄ （）２
频变 ：级 要调主 试变 级频的滤前器波及　 频 变后 的级放三大
， 使放 器大器的 频范 率在围５　． ＭＨ
６ — ．ＨＭ６
５ ４ｚ５ ｚ之
Ｍ５Ｈ一 　 实 ５ ｚ
Ｈ 间 之 宽 ≥１， Ｍ Ｈ，减 小互 调 失 真
０ 以ｚ输 　入匹
配试调 驻 波比≤１ 　 ．。２在８
ｚ宽 内 Ｍ， Ｈ 输入带匹 满配足要求 。输　出回 调试 路， 初级回路
最到 大 ， 。　 频仍偏高率 低端，约在 ６
，级加载　次
电容 调Ｃ， 　 曲
线中间 凹， 不下平坦分。原析 因　 调 Ｌ是感电 小量， 其 终 端
了加一段环状 线 圈
在率频 下　 移。 高但增端低益
调，不起 来，且 带不够宽
加，　 大（ 一带状线换）
重调曲线如新图２。／３＼ ?０留残边带滤波
小盒及微分
小正 盒的 　调试， 两个小这盒 于都工由作在中 频
３Ｍ ｚ所 以
７Ｈ ，　 频率性不特改用动 ，只是用扫仪对其频频特性率行进 试 调， 其使符
要合求 可即。）（３
像调制图部 ：分部分 包 括图像箱 放　 该位大 、Ｐ 正校 和图
的改动 。 Ｄ 不／＼，２：．、１
／ ／　／ ．５ ５　　２
—４．．．８５．６０Ｉ６２：Ｉ６　＇＼ ｔ、、用ＸＴ一１信 发生号器送试信 测 ， ６ 用号 示器逐　波 观察各级级形波
并将 图，调 像制更换器 ２为１
Ｈ 环形调器制，
Ｄ ２ 超高毫频伏 表测各输级出 电 用 Ａ２ 平　调整 并，使之 符技术要合 。 求　 高频示波用器 （０
Ｍ 观ｚ调察后制的 包络 １　 ０Ｈ）
形 ，波调 整调制级四 个调 微容电 波使上下形包络对称。５６ ；圄 ２末输出幅级特性频曲线一５ ０带Ｂ宽 为约８ ｚ ．
ＭＨ ｄ带 。内不度平≤ ５０ 　．，３试 机与 测试 结果成完器改机和调造后 试， 机加电试整机
观，察 　各（级主 是 末级要 和末 前 ）级 作 点正 常 后，
视　工送增益＞１ 基ｄ 本满 足要
求。 ３ Ｂ，
Ｒ扫Ｓ频 仪，
电热 中调和 路 ，电数
　 — 读加普维资 讯thp://wtww.qvipc.omc第期２李玉： 从通双道四 道 频改成单 通二频道 道电视发射机探的讨４ ９频测试
级 假 接负载 ，末
续 连 机试
三 天 天， 每５时小以 上 ，机器作 工比稳定。 较 用仪器 　Ｘ 一 号信生发器 、 １ ６ Ｔ波型视器 、监高 频 　波示器 、／ Ｒ
扫频 Ｓ 仪、Ｇ
ＤＤ　 Ｐ测试
噪声） （ １像图 标 测指 结试 见 表 果　 。１、 高频仪号信发生 器、 音频试仪测解调器和多等　种 仪设器对备造改后 的机器进行 各种了术技标指测试 　， 指试标
测。１表 像 图指标 试结测果（ ２）幅 频 特 如 表性 ２所 。 示，表视 ２频幅特频性— ．　 ＋．
　＋１５０ ５Ｏ５ ．　
１５ —＋ ．　 基 ．　准
０１　．　
４５ ． 　６　 ６
．频率 （ ５ｚ 一４４ ＭＨ
３＜．一 １ ２ ．— ５５． ０７ 幅度（ Ｂ　 ｄ ） １一 ９　 ０ ３　 —－ ３＋．　
１１Ｏ（） 音、 伴３ 标 指 ： 　幅频 响 （应Ｂ ３
≤ 　１　 失±真
　＜ ｌ ｄ ： ０ ）一１ ｋ ｚ ； ０ ％１一 ｋ ｚ　％信
９Ｂ４ 结 束语本　文通过 将 原 有 废
的 ｌＷ旧双 通
道频四 道　
ｋ视 电 射机改发装 成
与可用现电
视发 机射联
使机用级标 准 ，部指标达到分广 甲级标播 准。通联过　 机用使， 扩 了承德大电 台的视无线盖覆范 围 ，提高了　
节的目收 看质量
， 了到良好 的 经
效济益 和社 会效收。 　益 参 文 考献：［ ］尤 圻 巩 １ ，业夏 松， ．电等发视射 机差转 机 ［与 北．京 ： Ｍ］
中国　播 电广 出版视 ． 社 ８９ ８１ ．单通的二道道频的视电射机 发实的 ， 践好较解地了开决 节流源的
题问 所改装 的。发 射机 过经 几个月　试运行的 ， 作工状稳态定
主要指，达到标广 乙播
范文九：双通道内存技术双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。
范文十：双通道内存双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865/875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400/533/800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266/333/400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266/DDR 333/DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。}