如何让18um的微粒子进入15um的缝隙,用于半导体匀胶机 选购

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如何让18um的微粒子进入15um的缝隙,用于半导体匀胶机
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18用了STI区别主要在前端: 0;然后0.35的多一些. 一般看到0.35的话可以用local的方法进行隔离.18的金属层要比0; 0.18用CO做SAB,0.35的是用的TI; 0.18的GATE生长是不用DOPE的,在后续S/D的时候一起打了,0.35的话是DOPE的,0
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大颗粒进入小缝隙?
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半导体制造工艺_05光刻(下)
&&半导体器件基本结构 、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品,以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程,工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。
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单层MoS2半导体材料的光电性质研究
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关于CD值随着半导体制造工艺的不断进步,CD在不断的缩小,从0.25um,0.18um,0.13um到90nm,65nm,45nm,32nm等.但是CD的尺寸不是任意值都可以的,经过计算只有特定的几个值才可以,如上列出部分.我想知道是怎么计算的,有影响的因素有哪些?
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0.25um,0.18um,0.13um,90nm,65nm,45nm,32nm 等比数列,公比根号下(2). 因为长度比为根号下(2),则面积比为2,光的能量比为2.以上值不是必须的,就像白炽灯泡瓦数100,60,40,25,15.比为0.618,但是这都不是必须的.造出80瓦的灯泡也能用的.
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高手 你是电子科学与技术专业的吧 我也是学这个的,不过目前才刚开始学半导体物理
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