导读：三极管，晶体三极管，三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，1.2三极管的分类，3）按功能分：大功率管、小功率管、高频管、低频管、特殊三极管，电子制作常用的三极管有90xx系列，1.3三极管的导通的控制条件，1.4三极管的作用，1.5三极管的输入输出特性，1.5.1三极管的输入特性，三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时，三极管的输入特性也有一段死区，三极管才会出现基极电
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
电器图形符号
三极管的分类
1）按材料分：锗管和硅管
2）按结构分：NPN和PNP
3）按功能分：大功率管、小功率管、高频管、低频管、特殊三极管。电子制作常用的三极管有90xx系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP）；低噪声管9014（NPN），高频小功率硅管9018（NPN）。
三极管的导通的控制条件
1）基极b，发射极e 之间的PN结正偏。
2）基集b，集电极c之间的PN结反偏。
三极管的作用
在电路中主要有两大作用――开关和放大。晶体管属于电流控制型半导体器件，其放大特性主要是指电流放大能力。所谓放大，是指当晶体管的基极电流发生变化时，其集电极电流将发生更大的变化或在晶体管具备了工作条件后，若从基极加入一个较小的信号，则其集电极将会输出一个较大的信号。
三极管的输入输出特性
三极管的输入特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时，基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。
对硅管而言，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE ，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）， IB也就基本不变。就是说，当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。
由图可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V。
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时，集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。
三极管的输入特性曲线
三极管的输出特性曲线
三极管的输出特性
通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1） 放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC ＝ IB ×β,由于
在不同IB下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在
放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使
Ube&0，Ubc&0。
2） 截止区： Ib＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当Ube
＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使UBE≤0V，此时发射结
和集电结均处于反向偏置。
3） 饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，
放大区的β不再适用于饱和区 。在饱和区， Uce＜Ube，发射结和集电结均处于
正向偏置。
三极管的主要参数
1） 集电极一基极反向饱和电流
发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的 Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
2） 集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）
基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo 大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo。Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
3） 发射极---基极反向电流Iebo
集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
4） 直流电流放大系数β1（或hEF）
这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：β1=Ic/Ib。
1） 交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量
△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即： β= △Ic/△Ib 一般晶体管的β
大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作
用虽然大，但性能往往不稳定。
2） 共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是
△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即： α=△Ic/△Ie 因为△Ic＜△Ie，故
α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用α与β之间的关系：α= β/（1+β） β= α/（1-α）≈1/（1-α）。
3） 截止频率fβ、fα：当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频
率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fα。fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为： fβ≈（1-α）fα。
4） 特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面
地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
1） 集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额
定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管
子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
2） 集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为
3） 发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称
4） 集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最
大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
5） 集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数
的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集
电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时应使Pc＜PCM。 PCM与散热条
件有关，增加散热片可提高PCM。
三极管引脚分布规律
☆ 半导体三极管的电极排列有一定的规律性。如国产三极管的电极排列形状为等腰三角形时，一种三极管的顶点是基极，有红色点的一边是集电极，余下电极为发射极；还有一种三极管靠不同的色点进行区分。顶点在管壳上，红点标记相对应的为集电极。与白点相对应为基极。与绿点对应的为发射极，如三极管电极排列成等距一条直线，则管壳带红点一边
的电极为发射极，中间电极为集电极，余下电极为基极。某些三极管电极虽排列成一条直线但不等距，这些三极管电极距离较近两脚之间靠外侧的电极为发射极，靠内侧的电极为基极，另一个脚为集电极，如晶体管为四个电极，其中一种有四个色点。红色对应集电极，白色对应基极，绿色对应发射极，黑色对应接地电极；另一种三极管判别方法可将三极管电极面朝向自己，从管壳凸缘开始，顺时针方向排列，依次为发射极、基极、集电极、接地电极。
☆ 塑封小功率三极管电极识别时，应将剖平面或去掉一角标志朝向自己，从左至右依次为发射极、基极、集电极。
☆ 金属壳封装大功率三极管识别时应将电极朝向自己，且将距离电极较远的管壳一端向下，则左端电极为基极，右端电极为发射极。管壳为集电极。
☆ 进口塑封三极管的电极排列顺序为：将三极管剖面朝向自己，从左至右依次为基极、集电极、发射极。
基极和管子类型的判别
将万用表置于二极管档测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电压降。当用第一根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得有测得有电压降（500mV左右），则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。
这时，要注意万用表表笔的极性（红表笔接的电池正极、黑表笔接的电池负极），如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接在其他两极时，测得有测得有电压降（500mV左右）时，则可判定被测三极管为PNP型管；如果红表笔接的是基极b，黑表笔分别接触其他两极时，测得有电压降（500mV左右），则被测三极管为NPN型管。
如果测试中，阻值都很小或很大，则管子已损坏。
发射极e和集电极c判别
1）方法一：因为三极管发射极和集电极正确连接时，β大，反接时β小得多，因此先假设一个集电极，用二极管档连接（对于NPN型管，发射极接红表，集电极接黑表笔）。测量时用手捏住基极和假设的集电极，而两极不能接触，如果读数很大或没有读数，而把两极对调后有一定读数，则说明假设是正确的。从而确定集电极和发射极。
2）方法二：利用万用表测量β（hFE）值的档位，判断发射极e和集电极c。用以上方法判断三极管的基极和管子类型，将档位旋至hFE，基极插入所对应类型的孔中，把其于管脚分别插入c、e孔观察数据，再将c、e孔中的管脚对调再看数据，数值大的说明管脚插对了。
3、判别好坏
测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常，正常的三极管是好的，否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。
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当 Uce小于0.7V时,最起码可以看出 三极管导通了.而三级管导通的前提是 三极管的 b-e结 导通,三极管的 b-e结 是一个PN结,按理说这个PN节开启要0.3V左右,但是因为三极管还有基区的体电阻存在,所以导致三极管的 b-e结 这个PN结的开启电压会稍微大一些,一般情况下都认为 这个PN结的开启电压为 0.7V.也就是说只要三极管导通了,那么他的 Ube至少要大于或者等于0.7V,而上面给出 Uce小于0.7V且 Ubc = Ube - Uce 所以 Ubc 大于 0
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从电压上描述是：三极管发射结正向偏置,集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V,Ubc ≥ 0 V .从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib * β > Ic ≈ Vcc / Rc,电源电压除以集电极电阻.
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关于三极管发射结导通压降0.6-0.7V
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各种资料上都说硅三极管发射结导通压降大约0.6-0.7V，为什么会是0.6-0.7V呢？这个值是怎么来的？还有，如果在B加恒压源大于0.7V，E接地，会有什么结果？那发射结电压不就不在0.6-0.7V之间了么？
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看看二极管的V-I曲线
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大于这个电压，电流会急剧升高。这是NP结的特性
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材料决定的
一般外延平面管早期工艺问题，略大于&0。6现在的一般都小于0。6&在0。58左右
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锗管0.2左右，有相关的公式，近似的为指数关系
具体论述可到《半导体器件》或《半导体物理》内中找，需一些基本知识（或理解为懂它的一套地方方言），否则会晕在里面。
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这样会损坏器件吗？
如果在B加恒压源大于0.7V，E接地，会有什么结果？那发射结电压不就不在0.6-0.7V之间了么，这样会损坏器件吗？
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楼主问题新颖
就冲这个帮你定
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如果在B加恒压源大于0.7V，E接地，会有什么结果？有两种结果&一是：继续保持在0.6到0.7V之间&&二是：烧坏PN接&&电压就不一定了&&看你加的电压是多少&
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谢谢各位的回答!&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&
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0.6-0.7是指导通电压，在B极和E极之间存在电阻，当电压大于导通电压但不过分大是不会烧管子的
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三极管是电流控制器件，加恒压源属于霸王硬上弓
0.7V&接近正常导通电压，所以还要看温度根据“发热&→&VBE&降低&→&更发热&→&VBE&更低&→&……”，只要初始温度不那么低，必坏到底谁坏就看谁更结实
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