抱歉，没有找到相关的信息
热门搜索排行榜您的位置： >
来源：　　作者：刘伟;唐宗熙;张彪;
一种通用的并联反馈式微波介质振荡器设计方法　 1引言介质振荡器(DRO)是由高介电常数的介质谐振器进行稳频的微波振荡器。DRO与体积大、生产成本昂贵的腔体稳频振荡器相比,具有体积小、重量轻、成本低等优点。DRO同晶振相比,不需要工作于微波频率的宽频带倍频器。此外,DRO输出信号相噪较低,与现代微波集成电路间存在极好的兼容性,已成为当今研究的热点之一。介质谐振振荡电路有3种形式:加载带阻式、反射式和环路反馈式。本文采用反馈式电路形式进行设计,介绍了一种适用于微波频段的DRO仿真设计方法,并利用此方法通过仿真设计了一个工作于13.20 GHz的DRO。2影响介质谐振器性能的参数介质谐振器的性能直接影响到介质振荡器的振荡频率、频率稳定度、相位噪声等指标[1]。在设计的时候主要关注谐振器以下几个参数:(1)介质谐振器的品质因数Q0介质谐振器的无载品质因数Q0定义为Q0=ωrWP(1)式中,ωr为谐振频率,W为谐振器的储能,P为功率损耗。谐振器与微带耦合时的有载品质因数为QL,它和无载Q值的关系[2]为Q0=QL(1+K1+K2)(2)式中,K1和K2分别为介质与两微带线的耦合系数。介质谐振器Q值的高低直接影响到振荡器频率的稳定度,为了提高(本文共计4页)　　　　　　　　　　
相关文章推荐
看看这些杂志对你有没有帮助...
单期定价：12.00元/期全年定价：9.60元/期　共115.20元
　　　　　　K波段介质振荡器的设计与实现
微波振荡器是微波射频系统中的重要部件，利用介质谐振器(DR)的介质振荡器(DRO)具有频率稳定度高、相位噪声低、体积小、成本低等优点。本文在推-推(Push-Push)型介质振荡器的研究基础上提出用基频反相输出二倍频同相输出双频功分器合成两路并联反馈型DRO输出信号，同样是用工作在基波频率的电路输出了二倍频信号，在保证信号质量的前提下大大降低了成本。电路中的振荡单元是并联反馈型DRO，这决定了该振荡器具有调试简单，输出功率高的特点。　　本文主要工作和成果如下:　　(1)分析研究了串联反馈型DRO、并联反馈型DRO和推-推型DRO的设计原理，并在A...展开
微波振荡器是微波射频系统中的重要部件，利用介质谐振器(DR)的介质振荡器(DRO)具有频率稳定度高、相位噪声低、体积小、成本低等优点。本文在推-推(Push-Push)型介质振荡器的研究基础上提出用基频反相输出二倍频同相输出双频功分器合成两路并联反馈型DRO输出信号，同样是用工作在基波频率的电路输出了二倍频信号，在保证信号质量的前提下大大降低了成本。电路中的振荡单元是并联反馈型DRO，这决定了该振荡器具有调试简单，输出功率高的特点。　　本文主要工作和成果如下:　　(1)分析研究了串联反馈型DRO、并联反馈型DRO和推-推型DRO的设计原理，并在ADS中对电路进行了谐波平衡仿真，仿真结果良好;　　(2)分析了推-推型DRO的二次谐波输出功率偏小的原因，提出了将双频复数阻抗匹配应用于介质振荡器以实现二次谐波输出功率增强的想法，最后在ADS中做了实验验证，结果显示二次谐波输出功率增强近7 dB;　　(3)提出了一种基频反相输出二倍频同相输出的对称输出结构的双频功分器。给出了功分器的设计公式和设计步骤，在ADS和HFSS中分别对其进行原理仿真和版图仿真，实测结果显示在基频处输出端口相位相差179.1°，在二倍频处输出端口相位相差1.75°。在推-推型DRO的基础上提出了类推-推型DRO，对类推-推型DRO进行了实物制作、调试和测试，该DRO输出K波段信号频率为19.50125GHz，功率接近0 dBm，相位噪声性能为-68.48 dBc@10kHz，-95.13dBc@100kHz。收起
学位授予单位
机标分类号
本文读者也读过
互动百科相关词
加载中，请稍候
．客服电话
&&8:00-11:30,13:00-17:00(工作日)介质谐振振荡器(DRO),Dielectric Resonator Oscillator (DRO),音标,读音,翻译,英文例句,英语词典
说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
您的位置： ->
-> 介质谐振振荡器(DRO)
1)&&Dielectric Resonator Oscillator (DRO)
介质谐振振荡器(DRO)
2)&&dielectric resonator oscillator (DRO)
介质谐振振荡器
3)&&dielectric resonator oscillator(DRO)
介质谐振荡器
介质谐振器压控振荡器
DRVCOs andDROs are applied abroad to frequency synthesizers and microwaveoscillators because of their excellent phase performance, spectrum purityand stability.
介质谐振器压控振荡器(DRVCO)由于其优异的噪声性能、频谱纯度和稳定度广泛应用于频率合成和微波振荡源中。
5)&&Voltage Controlled Dielectric Resonator Oscillator
介质谐振压控振荡器
6)&&dielectric resonator oscillator
介质振荡器
Study and Design of the High Stability Phase-Locked Dielectric Resonator O
高稳定度锁相介质振荡器的研究与设计
Based on the study of dielectric resonator oscillator (DRO) ,a highly stable phase locked DRO is de
signedbymeansofphaselockedloop (PLL) .
在研究介质振荡器的基础上 ,采用锁相环路控制介质振荡器方法 ,设计了一种高稳定锁相介质振荡器微波源并对设计中的几个主要问题进行了详细描述 ,通过对其相关性能测验 ,证明该高稳定锁相介质振荡器微波源是一种具有时频计量标准精度的微波源 ,填补了该领域国内空白 ,在多个领域中具有较广泛的实用价
Dielectric Resonator Oscillator (DRO) can meet this requirement and the DRO also has the minimal frequency drift over temperature to keep the receiver locked into the selected channel and provide enough output power to directly drive the mixer.
介质振荡器(Dielectric Resonator Oscillator, DRO)毙够满足这一要求,同时DRO还具有温度的变化会引起最小的频率漂移来保证接收机被锁定在目的信道和提供高的输出功率来直接驱动混频器工作。
补充资料：电磁振荡和电谐振
&&&&　　电磁系统中，储能元件内电能与磁能不断相互转换的过程叫做电磁振荡；若系统受到外界周期性的电磁激励，且激励的频率等于系统的自由振荡频率，则系统与激励源间形成电谐振。　　　　产生电磁振荡的最简单的实例是由电阻 R、电感线圈L和电容器C 所组成的振荡回路，使其电容器C中储存的电能与电感线圈 L中储存的磁能不断地相互转换。单回路振荡电路如图1所示,图1a是串联回路，图1b是并联回路。　　　　串联RLC振荡回路中的自由振荡与强迫振荡 　 若电源电压为e(t)，回路中电流为i(t),电容器上的电压为V(t)，则可建立如下回路方程　　
。　　　　自由振荡 　回路方程中激励电压e（t）为零时，振荡的性质决定于各参数R、L、C 之间的相对数值。①当 时，回路电流和元件上电压都将依时间t按指数规律下降，即因回路电阻太大，回路储存的能量不足以维持振荡一周的消耗，从而不能形成振荡。②当时，得到一般的自由衰减振荡，　　式中称为衰减常数，为有损耗时自由振荡角频率，为无损耗时的自由振荡角频率或固有频率。　　　　一般常用无量纲量作为度量回路品质的参数,叫做品质因数。ω0与Q是表征回路特性的重要参数。Q值可表示有损耗时自由振荡角频率对固有频率的偏离程度。　　　　一般情况下,RLC 回路中Q值均较大, 约为10～105,即使取Q的低值,ω与ω0也只差ω0的0.125％。所以,通常认为单振荡回路的自由振荡频率近似为　　式中L的单位为亨,C 的单位为法,f的单位为赫。衰减振荡的衰减因子可表示为，可见经过一个振荡周期,幅度将衰减e倍。参数有时称为对数衰减，而称为回路的时间常数,通常以τ 表示。　　　　强迫振荡 　当e(t)≠0时,设外源是按正弦变化的电压源。用相量表示法，回路电流可写为　　式中ω＝2πf，f是电源的激励频率,。回路的阻抗 Z可表示为；是在ω＝ω0时回路的Q值；是回路的相对失谐。δ＝0时回路与谐振源间发生谐振，且谐振在回路的固有频率上，这时电感线圈L和电容器C上的电压都等于电源电压的Q0倍。在很多实际应用中，常利用高Q 回路获得高压。δ≠0时，回路失谐,被迫在电源频率f下振荡。这时电流为,　　即失谐时，电流随回路的Q0值和相对失谐δ的增大而下降。在谐振频率(即回路的固有频率)附近（即δ1时），有近似关系。　　以Q0δ为横坐标，以的幅值、实部和虚部为纵坐标，可绘得如图2所示的通用曲线。其峰值在Q0δ＝0点，相对幅值等于1。当Q0δ＝±1/2 即ω＝ω0(1±1/2Q0)时，相对幅值下降到,功率下降到1／2。这两点称为半功率点。两半功率点之间所覆盖的频率范围称回路的通频带。Q0值越大,则通频带越窄,回路的选择性越好；反之，Q0值越小,则通频带就越宽,回路的选择性越差。　　　　并联 RLC振荡回路的谐振频率与振荡特性 　由于电容器的损耗一般很小，图1b中未表出。应用相量法，回路两端的阻抗为。使Z的电抗部分为零的频率称为谐振频率,可得并联谐振频率ωb等于 ,　　可见并联谐振频率fb略小于串联共振频率f0，实际应用中，多认为fb近似等于f0。　　　　谐振时，回路两端阻抗为Zb,　　称并联谐振电阻,它比回路电阻R大Q娿倍。若电源是一恒流源,流入回路的电流为;电感支路的电流为;电容支路的电流为,因与近似反相,且，从而回路中大部分电流呈回流形式，能量在电容与电感之间相互转换，形成电磁振荡。从电源输入回路的功率Q娿RI2仅用来补偿振荡过程中的损耗。　　　　从上述内容可知，当损耗很小时，串联回路与并联回路呈对偶关系。串联谐振时电阻为最小，等于R,回路的电流为最大；并联谐振时电阻近于最大,等于L/CR,回路两端电压为最大。偏离了谐振点，各量均按通用曲线变化，仅纵坐标所指的变量不同而已。　　　　耦合谐振电路与多谐振现象 　两个或多个具有相同或不同谐振频率的单振荡回路通过耦合元件相互接连起来,可以构成复杂的振荡系统,这种系统有时又称耦合回路。常用的一些双耦合回路如图3所示。图3a是利用互感M将两个单振荡回路L1C1和L2C2耦合起来的回路。用耦合系数表示两个单振回路耦合的松紧程度,0<K<1。K值大表示紧耦合，K值小表示松耦合。图4表示两个具有相同的固有频率和品质因数的回路，耦合后在不同的KQ0值下I2/I2m随Q0δ变化的通用曲线, δ的意义与前同。当KQ0＝1时, 谐振出现一个最大值的峰点当KQ0<1时，只有一个小于最大值的峰点；KQ0>1时,则出现双峰。振荡时电能与磁能不仅在一个单回路中相互转换，而且还在回路之间相互转移, 出现了比较复杂的振荡现象。 耦合回路应用广泛，常用于级间的耦合及滤波电路中。　　 　　
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。}