可控硅的强触发电路及实用效果--《电子技术应用》1983年09期
可控硅的强触发电路及实用效果
【摘要】：正 六十年代发展起来的可控硅元件,是电子技术中一种新型的大功率半导体器件,它正在引起电力工程一场新的革命。由于生产需要,自一九七○年起,我厂相继进行了半控桥,全控桥全自动硅可控电子线路的设计。十余年来,硅可控电子设备在全厂职工的共同
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
六十年代发展起来的可控硅元件,是电子技术中一种新型的大功率半导体器件,它正在引起电力工程一场新的革命。由于生产需要,自一九七O年起,我厂相继进行了半控桥、全控桥全自动硅可控电子线路的设计。十余年来,硅可控电子设备在全厂职工的共同努力下,已广泛用在我厂各生产部门
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王养琪;;[J];热力发电;1980年04期
周同盛;;[J];电子技术;1980年06期
黄志祥;;[J];电气传动;1980年03期
刘跃宗;;[J];四川冶金;1981年01期
扬世方;;[J];电测与仪表;1981年06期
;[J];煤炭科学技术;1982年07期
马驰德;马锌德;;[J];矿山机械;1982年08期
朱少书;[J];电子技术应用;1983年09期
张敬远;;[J];电子技术;1983年08期
简探微;王凤翔;;[J];电气传动;1983年06期
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董启山;;[A];1994年中国地球物理学会第十届学术年会论文集[C];1994年
史庆周;孔令富;;[A];1993中国控制与决策学术年会论文集[C];1993年
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杨安勇;[N];电子报;2002年
阮勇;[N];电子报;2004年
杨玉民;[N];电子报;2004年
郜振国;[N];电子报;2004年
肖裕华;[N];电子报;2005年
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可控硅(晶闸管)触发问题请教
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本帖最后由 xigua000 于
15:03 编辑
我要设计一个可控硅强触发电路，不用脉冲变压器，用晶体管放大电路。触发电流是有一定要求的，我想输出级用推挽电路提高输出电流。
但是我想知道在开通过程中晶闸管门极和阴极之间的阻抗是怎么变化的？不然放大电路的输出级不好设计啊。求教！！或者设计触发电路是其他思路？
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触发导通过程中，门极电阻有变化，但变化并不大，通常不必考虑此变化。
晶闸管手册中，通常给出触发电流，厂家保证在此电流下晶闸管一定会被触发。同时也给出 ...
“有点明白了”
还没有明白。
“我这个思路是不是有问题？”
当然有问题，而且很大。
“我测的组织在20欧姆左右”
你根本没有必要测量门极电阻。
2楼戈卫东早 ...
是一个PN结，可能有并联电阻。
要触发晶闸管，电容放电就够了，何必推挽？推挽目的是两个方向均可输出足够的电流，触发晶闸管并不需要双向电流。 ...
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是一个PN结，可能有并联电阻。
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不需要推挽电路，只要一个方向的电流输出能力就可以。
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用脉冲变压器更加好 可以隔离
& && && && && & 本人 于 ↑ 这个时间，路过此地& &
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要触发晶闸管，电容放电就够了，何必推挽？推挽目的是两个方向均可输出足够的电流，触发晶闸管并不需要双向电流。
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戈卫东 发表于
是一个PN结，可能有并联电阻。
那再触发导通过程中，这电阻值是一定的还是变化的？
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<font color="#3654789 发表于
用脉冲变压器更加好 可以隔离
使用的地方不方便用脉冲变压器
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本帖最后由 xigua000 于
10:07 编辑
maychang 发表于
要触发晶闸管，电容放电就够了，何必推挽？推挽目的是两个方向均可输出足够的电流，触发晶闸管并不需要双向 ...
设计电路时，在触发导通过程中，可控硅门极电阻（负载电阻）是变化的吗？
那这样理解对不对，门极相当于一个PN结，触发电路输出只要是保证电压符合要求就行，电路满足功率要求就行。具体的触发电流是多少，是未知的。要根据不同的可控硅和触发电压来定，不是说我想给多大电流就给多大电流？
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本帖最后由 xigua000 于
10:05 编辑
戈卫东 发表于
不需要推挽电路，只要一个方向的电流输出能力就可以。
那这样理解对不对，是一个PN结，触发电路输出只要是保证电压符合要求就行，电路满足功率要求就行。具体的触发电流是多少，是未知的。要根据不同的可控硅和触发电压来定，不是说我想给多大电流就给多大电流？
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xigua000 发表于
我只是想增大电流输出能力，还是提问的问题，设计电路时，在触发导通过程中，可控硅门极电阻（负载电阻） ...
触发导通过程中，门极电阻有变化，但变化并不大，通常不必考虑此变化。
晶闸管手册中，通常给出触发电流，厂家保证在此电流下晶闸管一定会被触发。同时也给出门极允许的最大电流，小于此电流晶闸管就不会损坏。设计时驱动能力一般按照手册中给出的触发电流若干倍进行设计，且设计者要保证不会超过允许的最大触发电流。这个范围相当宽，所以不必很严格地进行设计。
要“想给多大电流就给多大电流”，触发电路必是恒流源。但因触发不必很严格，所以使用具有一定内阻的电源即可，并不要求是恒流源。
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本帖最后由 xigua000 于
11:08 编辑
maychang 发表于
触发导通过程中，门极电阻有变化，但变化并不大，通常不必考虑此变化。
晶闸管手册中，通常给出触发电流 ...
有点明白了，那还有个问题。设计驱动能力时，我应该提前了解负载电阻吧，也就是门极电阻，这样才能将触发电流值范围确定。
那门极电阻有一定变化，变化不大，这个阻值在什么地方能查到？手册上没有，难道是未触发之前测量的G/K之间的电阻？我测的组织在20欧姆左右。 如果触发电流是2A的话，那触发电压不得达到40V了？这样电路实现不了啊。
我这个思路是不是有问题？这个触发电流是触发电路来决定的，还是负载（可控硅）来决定的 ？
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xigua000 发表于
有点明白了，那还有个问题。设计驱动能力时，我应该提前了解负载电阻吧，也就是门极电阻，这样才能将触发 ...
“有点明白了”
还没有明白。
“我这个思路是不是有问题？”
当然有问题，而且很大。
“我测的组织在20欧姆左右”
你根本没有必要测量门极电阻。
2楼戈卫东早就说了：“是一个PN结”，PN结不是线性的电阻，所以测量电阻毫无意义。
手册中必给出最小触发电压和最小触发电流，满足这两项并留出足够余量即可。
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maychang 发表于
“有点明白了”
还没有明白。
“我这个思路是不是有问题？”
新手请勿见怪，我再琢磨琢磨，回头再来请教
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脉冲变压器还不方便？多大的可控硅呀？同意戈卫东。
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xg3469 发表于
脉冲变压器还不方便？多大的可控硅呀？同意戈卫东。
用在高压上，电转光，光转电。
技术新星奖章
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技术奇才奖章
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奔腾之江水
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社区建设奖章
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湍急之河流
发帖类勋章
时间类勋章
热门推荐 /2第32卷第6期；2012年6月；核电子学与探测技术；NuclearElectronics＆Detec；Vol．32June．；No．62012；晶闸管强触发电路设计；1，2222；郭帆，王海洋，何小平，周竞之；（1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室；摘要：为了研究晶闸管在强触发下的导通特性，利用功；关键词：晶闸管；门极触发电流；强触发方式；功率M；
第32卷第6期
核电子学与探测技术
NuclearElectronics＆DetectionTechnology
Vol．32June．
晶闸管强触发电路设计
郭帆，王海洋，何小平，周竞之
（1．西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室，西安．西北核技术研究所，西安710024）
摘要：为了研究晶闸管在强触发下的导通特性，利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力，设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0．35～39．6A，前沿范围为35～540ns，电流上升率范围为3．4～83．3A/μs。实验结果表明，该电路参数调节范围宽，触发电流抖动小（小于4ns），具有较高的稳定性和可靠性。
关键词：晶闸管；门极触发电流；强触发方式；功率MOSFET中图分类号：
文献标志码：
）06-0698-03文章编号：0258-
功率半导体开关有着寿命长、重复频率高、
，误触发概率小和模块化等特点和优势在脉冲功率系统的紧凑化和重频化方向中具有很
好的前景。脉冲功率应用的特点与电力系统、工业生产等场合的不同，开关器件的瞬时功率通常很高，要求开关耐压高，通流大，延迟时间短，开通速度快，导通电阻小，损耗低，具有良好的导通特性。同时满足所有要求是很困难的，在实际应用中首先满足耐压和通流条件然后再择优选择开关器件。
典型半导体开关晶闸管阻断电压高、通流
易于串并联，在大功率脉冲装置中应用能力强、广泛
发的稳定性和可靠性不高，也会影响到组件整体的性能。因此，设计晶闸管强触发电路，研究对于提高晶闸管在强触发方式下的导通特性，
脉冲功率技术应用中的性能具有重要意义。
相关文献表明，增大初始开通面积能够有即门极触发效解决晶闸管的导通不充分问题，
电流幅值和触发电流上升率是调节触发电流的两个因素
。本文利用光纤隔离电路和功率
MOSFET，设计了晶闸管强触发电路，印刷电路板结构紧凑，触发条件易于调节，触发信号的稳定性和可靠性高。
。晶闸管的开通是由门极施加脉冲电
1强触发电路设计
强触发电路由控制信号产生电路、光纤隔
通常在电力和工业应用中，门极流触发实现的，
触发电流在几十到几百毫安之间，可以满足常规导通的要求。但是脉冲功率系统中，在电路电流上升率di/dt很高时，百毫安量级的触发电流已经不能获得开关良好的导通特性了，甚至会由于开通区的局部过热导致晶闸管的烧
其门极同步触毁；在开关串并联应用的情况下，
总体离电路和强触发形成电路3个部分组成，框图如图1所示。控制信号产生电路能够满足外部同步触发和单次手动触发的要求，由钥匙开关控制触发方式。光纤隔离电路通过电光转换后利用光纤来传输信号，解决晶闸管电路与控制信号电路之间共地干扰影响，达到隔离高压和提高触发系统的抗干扰能力的目的。强触发形成电路中采用专用驱动电路，实现对MOS-FET的高效快速触发，获得所要求的触发电流。
收稿日期：
作者简介：郭帆（1985－），男，湖北天门人，硕士研究生，主要从事脉冲功率技术方面的研究。
接收器的型号为HFBR1414和HFBR2414
强触发电路总体框图
光电隔离电路
控制信号产生电路控制信号产生电路，如图2所示。控制信号由NE555单稳态触发式电路产生，经过
光纤控制方式适合远距离传输信号，不会
产生电缆长距离传输过程中信号衰减现象，一另一方面不受电磁方面起到隔离高压的作用，
干扰的影响而避免了晶闸管的误触发。1.3
强触发形成电路
为了实现强触发电流峰值和上升率，首先要求MOSFET充分导通，因此需要专门的驱动电路。实验中选用UCC27321作为驱动电路中的驱动芯片。该芯片具有良好的驱动特性，能够快速驱动MOSFET，减小开通和关断损耗，而且外围电路简单，可靠性高。采用的MOSFET为IRF530，其典型参数为：漏源极电压VDSS=100V；最大导通脉冲电流IPC=56A；上升时间tr=34ns。实验电路如图4所示
74LS123通过R5调节输出脉宽对信号进行整形。该电路可实现手动和同步2种触发方式，由钥匙开关S1选择。当开关拨在上档时为同步触发方式，外同步信号经过光电耦合器6N137隔离后实现对NE555的触发；当开关拨在下档时为手动触发方式，按下触点开关S，即可实现单次手动触发。另外，电源选用5V隔离电源模块供电，避免了地电位的变化对各个芯片工作状态的影响
图2控制信号产生电路
1.2光纤隔离电路
图4强触发形成电路
晶闸管开通过程时电流较大，阴极电位会
控制电路如果不通过隔离手段直接因此抬高，
接入晶闸管门极和阴极，开通过程中将会受到
干扰，严重时造成电路板器件击穿烧毁，甚至危及操作员安全。传统的脉冲变压器隔离同样会由于初次级线圈的相互耦合而难以彻底解决电磁干扰问题。
本文采用光纤隔离电路，即控制信号经电光转换电路变成光信号，通过光纤传输，然后经过光电转换电路再变成电信号，输入到驱动电路来触发MOSFET，形成强触发电流开通晶闸管。电路图如图3所示。选用的光纤发射器和
直流电源E1通过充电电阻R1给电容C充
电，当IRF530门极施加触发信号后，开关导通，电容C通过IRF530，可变电阻Rv，晶闸管门极和阴极放电，形成脉冲电流对晶闸管进行触发。稳压二极管D用来保护晶闸管，防止晶闸管门极与阴极电压过高而损坏。门极触发电流幅值通过直流电源E1的充电电压调节，触发电流前沿通过可变电阻Rv调节。
2实验结果与分析
实验中数字示波器选用TektronixTDS2024B型，带宽为200MHz；电压探头选用
FLUKEPM8918型，分压比为10：1；电流线圈选用Pearson公司的，电流电压比为1：1。图5是电容C充电50V，可变电阻Rv分别
2．3，5．2，10．2Ω时典型的晶闸管门极触为0，
发电流波形，其中电流峰值最大达到38A，前沿最快为88ns，电流上升率最大为76．4A/μs。从图中可以看出，后三3个电流波形被截
电流底宽断。这是由于可变电阻阻值较小时，小于控制信号脉宽设定的12μs，电流波形为全
波形，而可变电阻阻值较大时，电流底宽大于12μs，MOSFET关断后，电流波形被截断
利用MOSFET设计了晶闸管强触发电路，
获得的晶闸管门极触发电流峰值最大值为39．6A，前沿最小值为35ns，电流上升率最大值83．3A/μs。强触发电路简单，控制方便、安全、可靠，参数调节范围宽。实验结果表明，该电路触
稳定性和可靠性高，达到了设计发电流抖动小，
的要求，为下一步晶闸管强触发导通特性的研
究打下了基础。
参考文献：
［1］MarkS．E．Finalresultsfromthehigh－current，high
－actionclosingswitchtestprogramatsandianationallaboratories［J］．IEEETransonPlasmaSci，）：．
［2］孟志鹏，张自成，杨汉武，等．半导体开关在脉冲功
J］．中国物理学报，7率技术中的应用［－279．
［3］E．Ramezani，E．Spahn，G．Bruderer．Anovelhigh
．currentrateSCRforpulsepowerappli－cations［J］
图5强触发电流典型波形
IEEETransonPlasmaSci，）：．
［4］S．Ishii，K．Yasuoka，S．Ibuka．PulsedPowerAp-plicationAssistedbyPowerSemicondutorDevices［C］//Proceedingsof2001InternationalSymposium．onPowerSemicondutorDevices＆ICs，
［5］M．Jung，W．Mayerhofer，M．Edele，etal．Testof
C］//PulsedPow-fastSCRsassparkgapreplacement［
erConference，1995．DigestofTechnicalPapers．The10thIEEEinternational，－732．
［6］HudginsJerryL，PortnoyWilliamM．Gatingeffects
tj/ns2．03．33．83．7
快脉冲电路中的杂散电感不能忽略，当电
路电感为定值时，触发电流前沿tr主要由电容电压Uc和可变电阻Rv决定。可变电阻Rv越小，电流峰值越大，电流前沿tr也越大，反之亦然；当电路电阻为定值时，触发电流上升率主要由电容电压Uc决定，电容充电电压Uc越大，电流峰值越大，电流上升率也越大。
Uc/V70．070．070．048．0
不同峰值和不同前沿的触发
电流及其抖动
Rv/Ω10．25．22．30．0
IG/A5．910．119．839．6
tr/ns92．．0475．4
onthyristoranodecurrentdi/dt［J］．IEEETransonPlasmaSci，）：149－153．
［7］M］．北京：清华大学出版叶斌．电力电子应用技术［
2006．社，
［8］维捷斯拉夫?本达，约翰?戈沃，邓肯A．格兰特．
――理论及应用［M］．北京：化学功率半导体器件―2005．工业出版社，
［9］H．Bluhm．脉冲功率系统的原理与应用［M］．北京：
2008．清华大学出版社，
（下转第731页，Continuedonpage731）
实验中获得了不同的晶闸管门极触发电流，峰值范围为0．35～39．6A，前沿范围为35～540ns，电流上升率为3．4～83．3A/μs。不同峰值、前沿的触发电流及其抖动如表1所示。
Rv表示可变电阻其中Uc表示电容充电电压值，
IG表示门极触发电流峰值，tr表示门极触发值，
tj表示门极触发电流抖动。从表中可电流前沿，
以看出，随着可变电阻阻值的减小，门极触发电流峰值增加，前沿也增加，抖动都小于4ns。700
TheDesignandRealizationoftheRadwasteDepository
MonitoringandManagementSystem
XIONGJian－ping1，LIGuang－xu2，CHENGJin－xing1，ZHOUSong－bang1，ZHUKai－qing1
（1．QingheBuildingNo．8，Beijing100085，China，2．96351Troops，YuzhongGansu720102，China）
Abstract：Aimingatthepossiblehiddentroublesoftheradwastedepository，thepaperdesignesasafetysurveil-radi-lancesystembasedonaindustrycontrolcomputer．Thissoftandhardwaresystemincludesfireexploration，ationdetection，videomonitoringandwirelessICmanagement．Thepaperbringsoutthesystemcomponents，anddescribestheworktheory，softandhardwareframe．
Keywords：radwaste；depositorysafety；radiationdetection；videomonitoring；fireexploration
（上接第700页，Continuedfrompage700）
DesignofHighCurrentGateCircuitof
ThyristorBasedonMOSFET
GUOFan1，，WANGHai－yang2，HEXiao－ping2，ZHOUJing－zhi2
（1．StateKeyLaboratoryofElectricalInsulationandPowerEquipment，Xi’anJiaoTongUniversity，Xi’an710049，China，2．NorthwestInstituteofNuclearTechnology，Xi’an710024，China）
Abstract：Inordertostudythecharacteristicsofthyristor，basingonMOSFETwithfastswitchingandhighhighcurrentgatecircuitofthyristorhasbeendesigned．Peakgatecurrentisvariedfrom0．35～pulsedcurrent，
39．6A，leadingedgefrom35～540nsanddi/dtfrom3．4～83．3A/us．Resultsindicatethatthecircuitisstableandreliablefortriggeringthyristorandthejitterofpulsedcurrentislessthan4ns．Keywords：thyristor；gatecurrent；highcurrenttriggeringmode；powerMOSFET
包含各类专业文献、文学作品欣赏、行业资料、中学教育、专业论文、外语学习资料、生活休闲娱乐、应用写作文书、晶闸管强触发电路设计97等内容。　
　强触发脉冲 e)脉冲列 b)尖脉冲 3.要求 多数晶闸管电路要求触发脉冲前沿要陡,...不需要双电 源供电、功耗少等多项优点,对于电力电子产品的小型化和方便设计具有... 　介绍晶闸管投切电容器的原理和快速过零触发要求 晶闸管投切电容器组的关键技术是...电路图 MOC3083 芯片内部有过零触发判断电路,它是为 220V 电网电压设计的,芯片... 　强触发和双脉冲形成环节 ...9 5.4 触发电路的工作波形 ....11 1 晶闸管触发电路课程设计 内容摘要晶闸管电路是电力电子电路常用电路之一,在生产,生活中应用非常... 　3 晶闸管触发电路课程设计 3 锯齿波同步触发电路:它不受电网电压波动与波形畸变的直接影响,抗干扰 能力强,移相范围宽,具有强触发,双脉冲和脉冲封锁等环节,可触发 ... 　(3)脉冲信号 脉冲信号如图 6.1(d)(h)所示,其中(d)为尖脉冲;(e)为宽脉冲;(f)为脉冲列;(s)为双脉冲;(h)为强触发脉冲。 在晶闸管门极触发电路中使用... 　晶闸管双窄脉冲触发电路的设计_电子/电路_工程科技_专业资料 暂无评价|0人阅读|0次下载|举报文档 晶闸管双窄脉冲触发电路的设计_电子/电路_工程科技_专业资料。... 　晶闸管交流调压与调功电路设计_工学_高等教育_教育...而控制理论则是实现这种接口的强有力的纽带。 此外...因此通 过触发延迟角 α 的变化就可实现输出电压的... 　触发电路与驱动电路是电力电子装置的重要组成部分。 为了充分发 挥电力电子器件的潜力、保证装置的正常运行,必须正确设计与选择 触发电路与驱动电路。 晶闸管的触发... 　关于可控硅触发电路设计相关知识
19:38:15| 订阅 分类: 电路硬件...针对上 述问题,通常采取强触发措施,使并联或者串联的晶闸管尽量在同一时间内导...什么是叫可控硅强触发？强触发有什么优点？_韩景元电子吧_百度贴吧
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什么是叫可控硅强触发？强触发有什么优点？
可控硅是一种电流控制型的双极型半导体器件，它求门极驱动单元类似于一个电流源，能向晶闸管的门极提供一个特别陡直的尖峰电流脉冲，以保证在任何时刻均能可靠触发晶闸管。晶闸管的门极触发脉冲特性对晶闸管的额定值和特性参数有非常强烈的影响。采用强触发方式可以使器件的开通时间缩短、开通损耗减小、器件耐受di/dt的能力增强。
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一.触发脉冲上升时间(陡度)对晶闸管开通的影响　　触发脉冲上升时间(陡度)对晶闸管的开通速度也有明显的影响，触发脉冲上升时间越长，效果就等于降低了门极触发电流。触发脉冲越陡，上升时间越短的情况下，晶闸管的开通时间也越短。
二.触发脉冲幅值对晶闸管开通的影响　　晶闸管的门极触发电流幅值对元件的开通速度有十分明显的影响，高的门极触发电流可以明显降低器件的开通时间。　　在触发脉冲幅值仅为器件IGT时，器件虽可开通，但器件开通时间延迟明显，会高达数十微妙，这对于整机设备的可靠控制、安全运行是不利的。
三.晶闸管可靠触发对门极触发源要求　　(1) 一般要求：　　触发脉冲电流幅值：IG = 10 IGT;　　脉冲上升时间：tr≤1　　(2) 高di/dt下运用：　　器件在高di/dt下运用时，特别是当晶闸管的阻断电压很高时，在开通过程中门-阴间横向电阻所产生的电压可能会超过门极电压，严重时，甚至会使门极电流倒流。这种负的门极电流会引起开通损耗增加，可能会导致器件高di/dt损坏。　　因此，我们要求在高di/dt下运用时，门极触发电源电压VG不低于20V，或在门极线路上串联二极管，防止门极电流倒流。　　(3) 晶闸管串并联使用　　晶闸管的串联：晶闸串联管应用时，要求其相互串联的每个晶闸管应尽可能地一致开通。晶闸管的并联：陡而强的门极触发脉冲能使并联晶闸管开通特性的不平衡降至最小，从而使有最佳的均流效果。
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