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>>>MOS管米勒效应电容问题你应该这样处理
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米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让高级工程师告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。
据高级工程师介绍，米勒电容不是个实在存在MOSFET中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反映到输入（即棚源间）的等效电容。由米勒定理可知，这个等效电容比棚漏间的实际电容要大许多，随增益变化，而由该效应所形成的等效电容称为米勒电容。由此可见，在棚源极间并一个电容无助于减小米勒电容，反之更会降低MOSFET的开启速度，增加开通关断时间。
所以，正确的处理方式是在关断感性负载时，如果驱动电路内阻不够小，可以在MOS的GS间并联一个适当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。这样做可以防止关断时因米勒电容影响出现的漏极电压塌陷。
至于遇到了MOS管米勒效应电容后如何计算的问题，工程师们可以查询数据手册中的Cgd，然后根据具体电路的电压增益计算。一般情况下，功率MOS管往往给出一定条件下管子开通所需要的电量和充电曲线，可以作为驱动设计的参考。
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米勒效应是三极管工作中常见的一种作用现象，然而，MOS管中由于门极和漏极间存在米勒电容，则会影响整体的开启时间。那么问题来了：遇到这种情况，在栅极和源极间并联一个小电容有没有效果？在什么情况下才考虑米勒电容？米勒电容影响的时间怎么计算？就让高级工程师告诉你，遇到米勒效应电容时你应该怎么处理。据高级工...
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有哪位大侠了解米勒效应的使用，能不能给讲解一下，不胜感激。
关键词：&&&&&&&&
所谓的米勒效应(Miller Effect)，就是真空管极与极之间的电容，真空管的极间电容愈大，高频响应就愈差，强放管的体积特大，因此极与级之间的距离也比较大，比一般小型电压放大管要大得多，尤其是三极管，只有三个极，极与极之间的距离更大，因此米勒效应也更大。
我看到资料上说米勒效应补偿是最简单的补偿技术，再放大器输入与输出之间加一电容，由于米勒效应，这个电容将随增益的增加而增加，Cm=C（1-Au），我记得好像是这个公式。那我们应该如何计算移相的相位角呢。
mos的GS,GD,DS由于工艺原因，存在极间电容Cgs，Cgd，Cds
其中ciss=cgs+cgd
&&&&&&& coss=cgd+cds
&&&&&&& crss=cgd
推倒如下：
运放里面的补偿电源，就是米勒电容，在分析三极管或者mos的小信号模型时，常分析米勒电容，用来讲输出端电容等效到输入端。
能详细的讲一下米勒效应的分离极点吗，麻烦您了。
你是指这种电路吗
Gain = Vcontrol / Vout&=& -1/SR1C1
产生一个极点,&& 前面的负号表示是负反馈,引起-180度相移,而极点又会引起-90度的相移,因此总共产生-270度的相移&,RC的乘积决定带宽的大小,因此它既影响稳定性,也会影响输出响应.&&&&&&&&&&&&&&
你给出的是一个积分器吧，反向输入端那个标示是不是应该是Vin呢，对于积分器来说他的输出与输入反相，引起180&的相移，这个我能理解，这个C1是不是与R1组成一个RC超前电路，反馈的电压比电流超前90&吧，不知道这么理解对不对。
第二个问题是你这个没有解释道米勒效应啊，这个极点是怎么判定的， 等效的米勒电容式怎么发生作用的，能详细的讲解一下吗。
J大说：运放里面的补偿电源，就是米勒电容，在分析三极管或者mos的小信号模型时，常分析米勒电容，用来讲输出端电容等效到输入端。
这样根据公式7，这个等效到输入端得电容不是输出端电容啊，而是栅极与漏极之间的等效电容。
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Copyright (C) 《电子产品世界》杂志社 版权所有如何减轻米勒电容所引起的寄生导通效应
　&>&&>&&>&&>&正文
　　当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险（如图1）。
图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通 　　寄生米勒电容引起的导通 　　在半桥拓扑中，当上管IGBT（S1）正在导通， 产生变化的电压dV/dt加在下管IGBT（S1）C-E间。电流流经S2的寄生米勒电容CCG 、门极驱动电阻RG 、内部集成门极驱动电阻RDRIVER ，如图1所示。电流大小大致可以如下公式进行估算：
　　这个电流产生使门极电阻两端产生电压差，这个电压如果超过IGBT的门极驱动门限阈值，将导致寄生导通。设计工程师应该意识到IGBT节温上升会导致IGBT门极驱动阈值会有所下降，通常就是mv/℃级的。 　　当下管IGBT（S2）导通时，寄生米勒电容引起的导通同样会发生在S1上。 　　减缓米勒效应的解决方法 　　通常有三种传统的方法来解决以上问题：第一种方法是改变门极电阻（如图2）；第二种方法是在在门极G和射极E之间增加电容（如图3）；第三种方法是采用负压驱动（如图4）。除此之外，还有一种简单而有效的解决方案即有源钳位技术（如图5）。 　　独立的门极开通和关断电阻 　　门极导通电阻RGON影响IGBT导通期间的门极充电电压和电流；增大这个电阻将减小门极充电的电压和电流，但会增加开通损耗。 　　寄生米勒电容引起的导通通过减小关断电阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同样也能减少IGBT的关断损耗，然而需要付出的代价是在关断期间由于杂散电感会产生很高的过压尖峰和门极震荡。
图2：独立的门极开通和关断电阻 　　增加G-E间电容以限制米勒电流 　　G-E间增加电容CG将影响IGBT开关的特性。CG分担了米勒电容产生的门极充电电流，鉴于这种情况，IGBT的总的输入电容为CG||CG&。门极充电要达到门极驱动的阈值电压需要更多的电荷（如图3）。
图3：G-E间增加电容 　　因为G-E间增加电容，驱动电源功耗会增加，相同的门极驱动电阻情况下IGBT的开关损耗也会增加。
　　采用负电源以提高门限电压 　　采用门极负电压来安全关断，特别是IGBT模块在100A以上的应用中，是很典型的运用。在IGBT模块100A以下的应用中，处于成本原因考虑，负门极电压驱动很少被采用。典型的负电源电压电路如图4。
图4：负电源电压 　　增加负电源供电增加设计复杂度，同时也增大设计尺寸。 　　有源米勒钳位解决方案 　　为了避免RG优化问题、CG的损耗和效率、负电源供电增加成本等问题，另一种通过门极G与射极E短路的方法被采用来抑制因为寄生米勒电容导致的意想不到的开通。这种方法可以在门极G与射极E之间增加三级管来实现，在VGE电压达到某个值时，门极G与射极E的短路开关（三级管）将触发工作。这样流经米勒电容的电流将通过三极管旁路而不至于流向驱动器引脚VOUT。这种技术就叫有源米勒钳位技术（如图5）。
图5：有源米勒钳位采用外加三极管 　　增加三级管将增加驱动电路的复杂度。 　　结论 　　以上阐述的四种技术的对比如下表
　　在最近几年时间里，高度集成的门极驱动器已经包含有源米勒钳位解决方案并带有饱和压降保护、欠电压保护，有如AVAGO技术的ACPL-331J(＄3.4080)和ACPL-332J(＄4.0891)，对产品设计者和工业/消费生产商来说，这将降低设计的复杂度和产品尺寸。
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