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发光学报&0,&()&0-0&&ISSN:&&CN:&22-1116/O4
具有超晶格应力调制结构的绿光InGaN/GaN多量子阱发光特性的研究
王小丽1,王文新2,江洋2,马紫光2,崔彦翔1,贾海强2,宋京3,陈弘2
1. 中科院物理研究所
2. 中国科学院物理研究所
3. 天津中环新光科技有限公司
本文研究了具有InGaN/GaN超晶格（SL）插入结构的绿光InGaN/GaN多量子阱（MQW）的发光特性。结构测试表明，SL插入结构并没有引起MQW中平均In组份的增加，而是改变了In组份的分布，形成了高In组份的量子点和低In组份量子阱。其电致发光谱（EL）和光致发光谱（PL）均出现了双发光峰。我们认为这两个峰分别来自于量子点和量子阱，且存在着载流子从阱向点转移的输运机制。最后变温PL积分强度的Arrhenius拟合表明，SL插入结构并没有在MQW中引入新的缺陷，使其发光效率下降。
Study of luminescent performances of green InGaN/GaN MQW LED employing superlattices strain adjusting structures
Green InGaN/GaN multiple quantum well (MQW) LEDs employing InGaN/GaN superlattice (SL)structure were studied. The distribution of indium within the MQWs is changed by inserting the InGaN/GaN SL. Meanwhile, the average indium content of MQW does not change. Two InGaN-related peaks that were clearly found in the electroluminescence (EL) and photoluminescence (PL) spectrum, which are assigned to In-rich quantum dots (QD) and the InGaN matrix, respectively. It is suggested that the carrier drifts from the InGaN matrix to the In-rich QD. It could be concluded that employing SL structures is an effective way to adjust the wavelength of InGaN/GaN MQW without introducing new defects in the MQWs.
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通讯作者: 王文新
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