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电子技术基础(劳动版)第四章 (3)
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半导体物理复习要点答案.doc21页
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半导体物理复习要点答案
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··········
一、填充题
1. 两种不同半导体接触后,? 费米能级较高的半导体界面一侧带 正 电达到热平衡后两者的费米能级
2. 半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于
【100】 方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于 间接带隙 半导体。
3. 晶体中缺陷一般可分为三类：点缺陷，如
间隙原子 ； 线缺陷，如 位错 ；面缺陷，如层错和晶粒间界。 4. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为
弗仓克耳缺陷 ；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为 肖特基缺陷 。
浅能级 杂质可显著改变载流子浓度；
深能级 杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
6. 硅在砷化镓中既能取代镓而表现为
施主能级 ，又能取代砷而表现为
受主能级 ，这种性质称为杂质的双性行为。
7．对于ZnO半导体，在真空中进行脱氧处理， 可产生 氧空位 ， 从而可获得
n型 ZnO半导体材料。
8．在一定温度下，与费米能级持平的量子态上的电子占据概率为
1/2 ，高于费米能级2kT能级处的占据概率为
1/1+exp 2 。
9．本征半导体的电阻率随温度增加而
单调下降 ，杂质半导体的电阻率随温度增加，先下降然后
上升至最高点 ，再单调下降。
10．n型半导体的费米能级在极低温（0K）空间布里渊区的
【100】 方向。
12. 受主杂质的能级一般位于
价带顶附近 。
13. 有效质量的意义在于它概括了半导体
内部势场 的作用。
14. 间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为
弗仓克耳缺陷 。
15. 除了掺杂，
引入缺陷 也可改变半导体的 导电类型。
回旋共振 是测量半导体内载流子有效质量的重要技术手段。
17. PN结电容可分为
势垒电容 和扩散电容两种。
18. PN结击穿
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第一章-1-PN结及二极管
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