低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试
日 00:57&&&出处：&& 作者:吴愧&& 编辑:吴愧
● 工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%
　　 众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发热的影响最大。和/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的标准电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。
　　 理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后DDR3-1600比DDR2-800省电23%！
　　 但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好的印象。
● 使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降
　　 时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！
　　 现在众多笔记本品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议。
DDR3内存再次超越推出1.35V产品
　　 根据JEDEC的规范标准，通过提升硅晶圆芯片制造工艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3内存模组，会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范，新标准规定电压为1.35V，比较当前的1.5V标准还要低，这将会在绝大多数主流产品中节能20%。更低的电压意味着工艺更加成熟、功耗更低，甚至超频性能也会比普通内存要更加出色。
1.35V DDR3内存
　　 新低电压内存将会和当前现存的1.5V版本DDR3内存相互兼容，但前者并不会受到原有规范的制约，所有基于JEDEC规范的DDR3内存模组都会配备SPD（serial presence detect）芯片，该芯片EEPROM存储于SMbus之上，其中包括内存模组将提供给系统的容量以及模组特征信息，包括电压，因此系统就能够借此固件信息兼容支持最新的DDR3L内存模组。同时模内标签也做了相应变动：面向普通的常规产品是“PC3L”，面向嵌入式产品的则是“EP3L”。
　　 来自AMD公司的JC-42.3内存发展委员会主席Joe Macri表示，全新的低电压内存标准和整个业界有关于低功耗节能设计准则相吻合，为内存技术推进发展委员会还会继续就此方面进行论证和研究，未来不排除推出1.25V甚至更低电压的内存产品，而系统的研发人员也会就此考虑采用更低能耗设计标准的产品。
1.35V内存比1.5V低2-3W功耗
　　 低电压内存也更符合我们环保的概念，使用低电压内存后整机的功耗都会降低。下面是国外某网站用1.5V DDR3内存与1.3V DDR3内存做的功耗对比测试。
　　 这两组成绩，表示的是在轻负载和重负载这两种环境下，普通1.5V内存和1.35V低电压内存的对比，从数据来看，低电压内存比普通内存要低处2W-3W 左右。
金士顿低1.35V DDR3-1600内存
　　 不久前金士顿发布了最新绿色低电压版本的HYperX内存模组产品，定义为全新的LoVo（low voltage）系列，工作电压1.25V到1.35V，低于DEC标准1.5V，也低于英特尔限定的1.65V。近期泡泡网就收到这款金士顿4GB DDR3 V内存套装，下面我们一起来看看此款产品。
　　 金士顿低电压版HYperX内存外包装并没有大的变化，不过台湾发售的低电压版HYperX内存外包装以及重新设计过(）。
　　 为了配合低电压、绿色环保的特点，金士顿LoVo（low voltage）系列内存一改以往金士顿HYperX系列的蓝色散热片，改用以绿色为主的散热片，进一步贴近了绿色环保的主题。
　　 金士顿此款内存编号为KHXLK2/4GX，其规格为双通道2GB*2 DDR3 1600MHz，电压值为1.35V，同时内存时序为9-9-9-27。消费者可以登录金士顿官方网站进行真伪查询，提供终身质保等售后服务。
测试平台及软件介绍
　　 为了测试金士顿低电压版DDR3 1600MHz性能，笔者选用Intel&&750 CPU，针对其低压性能，我们将不做任何调整完全在默认值下完成。
● 测试软件
　　 EVEREST Ultimate Edition：专项测试软件，对内存性能有比较详细的测试。这里我们取的是内存的读性能测试和写性能测试。
金士顿4GB DDR3 V内存详细信息
　　 PCMark Vantage：它是可以衡量各种类型PC的综合性能。从多媒体家庭娱乐系统到笔记本，从专业工作站到高端游戏平台，无论是在专业人士手中，还是属于普通用户，都能在PCMark Vantage里了解透彻，从而发挥最大性能，它是一款最贴近应用的测试项目。
性能对比测试：比普通内存性能高
　　 在大家常见的Everest Ultimate Edition测试中，我们通过内存复制和内存潜伏的测试，非常明确的看到金士顿4GB DDR3 V内存Read达到14404MB/S、Wirte 11586MB/S、最后的Copy高达15804MB/S。这样高的性能在同类产品中非常出色，一般DDR3 1600带宽都只能在10000MB/S左右。
金士顿4GB DDR3 1600
某超频至1800MHZ DDR3性能测试（点击可以放大）
　　 在PCMark Vantage测试中，金士顿4GB DDR3 1600内存子项总分为6790。而某款DDR3内存超至1800MHZ后，性能也只到4805分。证明金士顿4GB DDR3 V内存体质非常好，在9-9-9-24的时序下能发挥出惊人的性能，让整个平台性能提升不少。
全文总结：低电压优劣分析
　　 金士顿LoVo系列DDR3 1600内存既然敢保证在低于标准电压时，内存仍能稳定工作，就代表低电压内存拥有更高的品质，出厂时内存电压越高就代表内存品质并不好，需要较高的电压才能保证稳定，这也是低电压内存的优点之一。
　　 不过低电压DDR3内存很多为了保证稳定的运行，超频能力有限，笔者也不推崇购买低电压内存去超频使用。这样就违背了低耗、低热量、环保的宗旨。
　　 其次金士顿低电压内存也更符合我们环保的概念，使用低电压内存后整机的功耗都会降低，却又不失出色的性能。虽然个人使用节能的效果有限，但使用者达到一定数量以后，积少成多也是非常可观的。现在都崇尚过低碳生活，所以笔者建议大家都买低电压版内存，为我们的地球尽一份力。■
[报价查询] &
内存描述：2×2GB套装 传输类型：DDR3 颗粒封装：FBGA 内存电压：1.35V CL设置：9 内存接口：240Pin
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&&&&【提要】综合文库信息 : 《低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试【1】》由66test综合文库频道友情收集整理，来源于网络，仅供参考：
&&&&DDR3除高频外低电压也是一大特点&&&&泡泡网内存频道5月26日 现在新上市的主板基本都已经带有DDR3内存插槽，更有不少是只具备DDR3插&&&&槽，已经可以看到主板厂商对推进DDR3为主流产品所做出的努力，再加上所有新CPU对DDR2的支持，使得&&&&DDR3性能远远高于DDR2，也证明了是必然要代替DDR2。众所周知DDR3最大的特点是有效频率在DDR2的基础&&&&上再次翻倍，但DDR3并非是片面提升频率从而得到高带宽，实际上DDR3除了高频率之外，还有很多不为人&&&&知的优点。&&&&● 工作电压从1.8V降至1.5V，频率翻倍的同时功耗下降20-30%&&&&众所周知，半导体芯片的功耗与晶体管数成正比，与工作电压的平方成正比，所以电压对其功耗与发&&&&热的影响最大。和CPU/GPU的发展类似，DRAM在提高频率和容量的同时，电压也在不断的降低。DDR1的标准&&&&电压为2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3则进一步压缩至1.5V。&&&&理论上来说，同频率下DDR3会比DDR2省电达30%之多，这里需要强调的是，DDR3-1600的核心频率与&&&&DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO频率虽然翻了一倍但对功耗发热的贡献不大，此消彼长之后&&&&DDR3-1600比DDR2-800省电23%！&&&&但是，在DDR3发展初期，很多内存厂商为了片面追求高频率，推出过不少高压高频内存条，默认&&&&1.8V-2V甚至2.2V的内存都有，这些内存的功耗与发热显然不会比DDR2低，这也就导致大家对DDR3产生不好&&&&的印象。&&&&● 使用更先进的工艺制造，容量翻倍的同时功耗再降&&&&时代在发展工艺在进步，DDR3作为最新产品自然会使用最先进的工艺制程，与早期6Xnm工艺的颗粒相&&&&比，新投产的5Xnm可以将DRAM颗粒的功耗再降33%，还不到DDR2的一半！&&&&现在众多笔记本品牌都开始标配DDR3内存，笔记本领先台式机开始普及DDR3，虽然笔记本CPU尚无法利&&&&用到DDR3内存的巨大带宽，但超低的功耗是非常诱人的，一些专为笔记本设计的内存将电压进一步降至&&&&1.35V，功耗仅为DDR2的37%，确实不可思议。&&&&DDR3内存再次超越推出1.35V产品&&&&根据JEDEC的规范标准，通过提升硅晶圆芯片制造工艺而降低核心IO电压以提升性能的DDR3内存模组，&&&&会推出称作为DDR3L的低电压版本内存规范，新标准规定电压为1.35V，比较当前的1.5V标准还要低，这将&&&&会在绝大多数主流产品中节能20%。更低的电压意味着工艺更加成熟、功耗更低，甚至超频性能也会比普通&&&&内存要更加出色。&&&&低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试&&&&1.35V DDR3内存&&&&新低电压内存将会和当前现存的1.5V版本DDR3内存相互兼容，但前者并不会受到原有规范的制约，所&&&&有基于JEDEC规范的DDR3内存模组都会配备SPD（serial presence detect）芯片，该芯片EEPROM存储于&&&&SMbus之上，其中包括内存模组将提供给系统的容量以及模组特征信息，包括电压，因此系统就能够借此固&&&&件信息兼容支持最新的DDR3L内存模组。同时模内标签也做了相应变动：面向普通PC的常规产品是“PC3L”&&&&，面向嵌入式产品的则是“EP3L”。&&&&来自AMD公司的JC-42.3内存发展委员会主席Joe Macri表示，全新的低电压内存标准和整个业界有关于&&&&低功耗节能设计准则相吻合，为内存技术推进发展委员会还会继续就此方面进行论证和研究，未来不排除&&&&推出1.25V甚至更低电压的内存产品，而电脑系统的研发人员也会就此考虑采用更低能耗设计标准的产品。&&&&1.35V内存比1.5V低2-3W功耗&&&&低电压内存也更符合我们环保的概念，使用低电压内存后整机的功耗都会降低。下面是国外某网站用&&&&1.5V DDR3内存与1.3V DDR3内存做的功耗对比测试。&&&&低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试&&&&低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试&&&&这两组成绩，表示的是在轻负载和重负载这两种环境下，普通1.5V内存和1.35V低电压内存的对比，从&&&&数据来看，低电压内存比普通内存要低处2W-3W 左右。&&&&金士顿低1.35V DDR3-1600内存&&&&不久前金士顿发布了最新绿色低电压版本的HYperX内存模组产品，定义为全新的LoVo（low voltage）&&&&系列，工作电压1.25V到1.35V，低于DEC标准1.5V，也低于英特尔限定的1.65V。近期泡泡网就收到这款金&&&&士顿4GB DDR3 V内存套装，下面我们一起来看看此款产品。&&&&低电压优劣分析 1.35V DDR3-1600测试&&&&金士顿低电压版HYperX内存外包装并没有大的变化，不过台湾发售的低电压版HYp
特别声明：你好，DDR3L的内存条(1.35V)可以插在DDR3标准的主板(1.5V)上，但是DDR3L的主板（Haswell或更新的平台）无法使用DDR3的内存条。如果一个DDR3的主板上有两个内存插槽，DDR3和DDR3L的内存条可以同时混插使用，供电由电源管理芯片负责决定电压或者内存条运行在兼容模式。DDR3与DDR3L大多数情况下是兼容的，可以混搭使用。但是英特尔最新的Haswell平台，其支持的内存类型只有DDR3L。同时，AMD A10的CPU也是只能用DDR3L内存，所以升级此类笔记本时一定要注意内存兼容性。参考来源：
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