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淘豆网网友近日为您收集整理了关于MAl&l;,2&B&,2&O&,7&：Re（M=Ca，Sr，Ba;Re=Eu&'3+&，Tb&'3+&，Eu&'2+&）在VUV激发下的发光性能研究的文档，希望对您的工作和学习有所帮助。以下是文档介绍：中文摘要摘要:ⅥJ、,激发的稀土荧光粉是大屏幕壁挂式彩电PDP(等离予平板显示器)和无***荧光灯应用技术的首先材料体系.硼铝酸盐对于稀土离子发光是一类很好的基质,其在ⅥⅣ区有很强的吸收,发光效率较高,具有很好的耐真空紫外光辐照和抗离子轰击的能力。因此本文着重研究了稀土离子掺杂的硼铝酸盐荧光粉的合成及发光性能。本文采用高温固相法制备了稀土离子掺杂的MAl28207:Re(M=Ca,Sr,Ba;lt萨Eu3+,n,,Eu2*)系歹IJ荧光粉,并对其结构特性及发光性能进行了研究。样品的x射线粉末衍射数据与JCPDS标准卡片符合得很好,激活离子的掺入只是取代了碱土离子晶格位置,并没有引起基质结构的明显变化,表明我们合成了需要的材料。在MAl28207:Eu3+(M=Ca,Sr,Ba)系列样品,分别测定了该荧光体激发光谱和发射光谱,我们发现该材料在真空紫外区域有很强的吸收。样品的激发谱在130.170nm和230nm区域有两个很强的宽的吸收带,位于130.170rim的吸收带主要是硼氧和铝氧集团的吸收;位于230nm附近的吸收主要是Eu3+电荷转移态的吸收。随着Ba和Ca取代Sr,基质吸收强度明显降低,并且向低能方向移动了, 基质吸收由峰值位于167nm附近的谱带,向峰值位于172rim附近的谱带移动了大约5rim左右,而230rim左右的稀土离子的吸收是明显增加的.当样品在172rim激发下,CaAhB2西:Eu”的真空紫外激发072m)的发光谱,发射光谱主要由峰值位于592nm,613rim,627nm的三个峰组成,其中592nm左右的发射最强:对应于Eu”的5Do一7Fl跃迁发射,为磁偶极跃迁;F盱MAl28207:Eu3+(M--Sr,Ba)中Eu3+占据更多的是非对称格位,以5Do一7F2跃迁为主,对应613nm处的发射强度最大。在MAl28207:Tb”(M=Ca,Sr,Ba)系列样品中,样品的VUV激发谱在120~200nm和200~300nm光谱区有两个较强的吸收带。位于120~200nm内的激发带主要是基质吸收,基质晶格中稀土离子被硼酸根离子分隔开,这包括硼氧和铝氧基团在真空紫外的吸收。1分+的(4f8—4f75d)吸收位于200~300nm的区域内,并观察到基质与稀土离子1分+之间存在较强的能量传递。从发射光谱可以发现,在172nm的激发下,发射峰由492 nm,546 nnl,592 nm和624 ms组成,分别对应n尹的5I)4—7FJ(‘,=6,5,4,3)跃迁发射,其中546 RIB是主发峰。当材料中掺杂Ce”时,材料在ⅥⅣ的吸收降低,而在紫外增强,主要是ce3+降低了基质和Tb3*在真空紫外区的吸收,1口+的发光有明显的猝灭现象,因为Ce3+离子的自我捕获激子的能力是很强的,Ce3+、Tb3+离子形成一种竞争吸收真空紫外光子的现象,然而他们之间的能量传递效率是要小于l的,所以共掺稀土离子的样品中,发光效率是要小于单掺稀土离子的样品的。因此在PDP荧光粉材料中尽量避免ce3+的存在.在样品BaAl28207:Eu2+在真空紫外有很好的吸收,在172rim激发下可以发出434nm的蓝光。不同掺杂浓度离子Bal-xSrxAl28207:Eu2+在172rim激发下,我们可以看出随着sr2+浓度的增加,这是由于Sr2+比Ba2+的半径小,电荷密度就大,接受配体电子的能力弱。样品的发射强度不断减弱,并且峰值向长波方向移动。关键词:稀土掺杂;真空紫外激发;发光;光谱分类号:0433.4ABSTRACTABSTRACT:In recent years.more attention has been paid to PDP(Plasma displaypanel)because ofi拓potential market in the illumination.Special aRention has been paidto the development of new and efficient VUV-excited phosphors.On the other hand,borates are of interest as host lattices for luminescent ions,because of their large bandgap.Based on this consideration,it is valuable to investigate the alkaline borate family.In this pap%The VUV excitation and luminescence characteristics ofMAl2820T:Re(M=sr’Ba,Ca;Re=Eu3+,Tb3+,Eu2+)have been studied.hl this work,a series of powder samples of MAl28207:Re(M=Ca,Sr,Ba;Re=Eu3+,Tb3+,Eu2+)was prepared under a reducing atmosphere by solid-state reaction..n把X-ray powder diffraction data of MAl28207:Re are in agreement of JCPDS standardcard which indicates that single-phased phosphor can be obtained证such synthesisprocess.The excitation Slmctrum of MAl28207:Eu3+(M=Sr’Ba,Ca)posed oftwo broad bands.One band in the range from 130砌to 170咖is attributed to theborate groups,and the other band at 230 nm is due to the charge-transfer state(CTS)oftllc EB3+ion.The excitation peak shifts from 167nm to 172nm when tlle SP ions pletely replaced by the Ba2+and ca2+ions.It is obvious that the wavelengthpositions ofthe excitation bands depend much more on hosts.The lattice parameters ofthe phosphors increase and the crystal·field strength decrease with increasing of theionic radius of Ca2+。SP and aa2+.Because Eu3+ions doped into CaAl28207 occupycentrosymmetric site,the emission of ic dipole transition 5Do-÷7Fl is strongerthan electric dipole transition.As Eu3+ions doped into MAl28207(M=Sr,Ba)occupyaa2+or st2*sites which is non-eentrosymmetric site,SO that the emission of electricdipole transition 5Do_÷7F2 is stronger than ic dipole transition in those seriessample.The strong emission line at 613 iiin is due to the hypersensitive electric dipoletransition of 5D0_7F2.The weaker emission around 592 nln is due to the icdipole transition’Do--*’F1.As for MAl28207:Tb”(M=Sr'Ba,Ca)me VU、r excited spectra consists of onebroad band in the range from 120枷to 170 nm and the band peaking around 226 nm,and 270衄respectively.The band(130~170nm)is also assigned to absorption oftheborate groups.The bands which cover the spectral range fiom 160 to 270nm黜due tothe transitions ofTb3+(4f8_珥:Sd).When Ce3+is doped into the samples,the absorptionbandofsamplesobviouslydecreasedinⅥⅣhlPL spectraofMAl2820T:舻(M=Sr,Ba,Ca),there are four peaks at 487 nm,546 nm,589衄and 619 nlncorresponding toh_7岛‘,=6,5,4,3)transition ofTh3+respectively.Among these transitions,thegreen emission around 545姗(,D4_’F5)is the strongest because it is a icdipole allowed transition嘶tll AJ-=士IThe excitation spectrum ofBaA]28207:EuZ+show a high absorption band whichobviously decreased in VUV The emission specU,um of Bal.xSrxA垃B20T:EuZ+move tolonger wavelength with illcI蚀sing ofStz+mole concentration.KEYWORDS:VUV-LspeclrttmCLASSNO:0433.4致谢本论文的完成,不仅是本人两年半硕士研究生学习的总结,更是对在此期间给予我无私帮助和亲切关怀人们的汇报。本文顺利完成,首先要感谢我的导师何大伟教授,没有何老师的悉心指导,本论文是无法顺利完成的。何老师深厚的学术造诣、严谨的治学态度、丰富的实际经验、和对事业的献身精神都令我受益非浅。在导师的悉心指导之下,我的专业知识和科研水平都得到了极大的提高,同时,老师严谨的治学作风,平易近人的待人态度给我树立了良好的榜样。在读研的这几年,从导师身边学习到的所有知识都是我人生最宝贵的财富,为我将来的人生道路打下了坚实的基础,在此谨向他致以衷心的感谢还得到了光电子所黄世华教授、张希清教授、侯延冰教授、衣立新副教授、由芳田副教授、孙力博士、王申伟博士、冀国蕊老师、姚志刚老师等等各位老师的细心指导和无私帮助,在此向他们致以深深的谢意!此外,康凯博士、周丹硕士、对我的实验提出了很多宝贵建议,在此向他们表达我诚挚的谢意!还要感谢我的师兄和同学郝金刚、张秀龙、陈征、赵德威、常笑薇、李鑫、苏利光等等。他们为我的实验提供了大力的支持也提出了不少有益的建议。感谢你们三年来对我的帮助!感谢评阅该论文的答辩委员会主席及答辩委员会专家、教授!感谢宋少民老师和刘娟红老师对我的支持和帮助!感谢我的女友在多年的学习生活中给予我的支持和关心和鼓励!感谢生我育我的父母!感谢您们一直以来对我的无私关心和默黔奉献!感谢所有给予我无私帮助的人!筮塞黛煎盍拦亟± 鲎焦谂塞鏊盈绪论荧光粉(Phosphor)--词最早出现予17世纪早期。1603年,意犬科的炼盒术士V'mcentinus CasciaroJo农炭久孛嫠烧纛承/(8aS04)辩,发臻7一耱吴畜长余麓毪质的发光材料。在现在肴来,这种材料的形成是因为BaS04在淡的还原气氛中被还原成为Bas的缘故,BaS今天已经成为一种重螫的荧光粉基威材料。在这次发瑗之蜃,类辍这秘发瑗豹壤遘氇稳继在欧溅诲多蟪方密瑗,悉这耱会发光I黪楗辩就被入翻称为荧光粉。对荧光粉真正地进行科学研究是谯100多年前才开始的。1866年,年轻的法国纯学家Theodore Sidot在研究ZnS鲍鼹体生长时,缀偶然地发现了含有少量杂质Cu熬ZnS菇俸在蒸暗豹繇缓孛会发射淡磷毙豹璃象,这被获为怒对荧是耪遂纷辩学研究和合成的开始。19世纪来20世纪初,P11ilip E.A.Lenard的研究组在德国对焚光粉进行积极广泛戆磅定,敬褥7令人骧瓣蕊残暴。饿髓裁备了冬秘各襻夔碱土众属硫化耪纛Z菇S荧光粉, 研究了它们静发灌性质。他们还建立了猩合成过程中通过焙烧方法把激活剂离子引入材料中形成发光中心的方法,同时他们还对各种黧会属离子和稀士离子彳乍为发光中心进行了测试。第二次键界大馥后,弱薅兹理酌发震,特黧怒警导俸纺瑾帮菇捂缺貉秘纛翁发展,以殿阎体光谱学的进步,特别怒对金属离予和稀土离子跃迁光谱的研究都大大推动了对荧光粉和麟体发光现象的研究,取得了重大的发展。在发光学蠼论氇致褥了鬟瑟逶震,魏建立了簿释发必灌豢形状静发光孛心爱形坐标摸墅,邂遘激发能量砖输理论解释敏化发光现象,通过晶场璎论来解释晶体场对发光的影确等等。自1973年世暴发生憩源危枧以来,备国纷纷致力子研露4节能发光材辩的研究,于是稳雳稀童三墓色荧毙檬精裁嫠荧巍灯豹研究瘦运两生。1974年,Philips公司的Verstegen等人成功开发了一系列包括钡镁铝酸裁在内的稀土离子激活的锚酸盐基质荧光粉,为稀土三熬色荧光灯的发展开辟了广阔的道路。随后,他们首先研露《或磅了稀主三基色荧巍嚣,著毅敷露绣,麸毙,务静燕秘鼹掺豹耩主三墓惫荧光灯先后闯世。随着人类生活水平的不断提高,彩嘏已开始向犬屏幕和高清晰度方向发展。稀土荧光粉程这些方面显承自己十分优越的性能,从而为人类实现彩电静大屏幕他和赢清晰魔提供了理想携发光材料。现在人们已拜发出很多实熙的发光麓辩。谯这些发蠢毒手辩孛,稀±露素起着缀大豹箨矮。l稀土荧光粉的研究进展1.1稀土荧光粉及其应用领域稀土就是化学元素周期表中镧系元素一镧(La)、铈(Ce)、镨fir)、钕(Nq)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽∞)、镝(D”、钬饵o)、铒(Er)、铥㈣、镱(YM、镥(Lu),以及与镧系的15个元素密切相关的两个元素—钪(sc)和钇(Y)共17种元素,称为稀土元素(Rare Earth)。简称稀土(RE或R).“稀±”一词是十八世纪沿用下来的名称,因为当时用于提取这类元素的矿物比较稀少,而且获得的氧化物难以熔化,也难以溶于水,也很难分离,其外观酷似“土壤”,而称之为稀土.稀土元素分为“轻稀土元素”和“重稀土元素”:轻稀±(又称铈组)包括:镧、铈、镨、钕、钷、钐、铕、钆.重稀土(又称钇组)包括:铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥、钪、钇。称铈组或钇组,是因为矿物经分离得到的稀土混合物中,常以铈或钇占优势而得名。稀土荧光材料与相应的非稀土荧光材料相比,其发光效率及光色等性能都更胜一筹。因此近几年稀土荧光材料的用途越来越广泛,年用量增长较快。稀土发光材料一一荧光粉主要应用于显示和照明领域。2 0 0 3年,我国彩电、节能灯用荧光粉产量达2 0 0 0多吨,产值约8亿元人民币,与其关联的下游产业一一照明电器、彩电和显示器等的产值达数千亿元之巨。据估计,2 0 0 0年全世界荧光粉消费稀土5 5 0 0吨RE 0(稀土氧化物),占世界稀土市场6%,但其产值却占4 0%,约3.3亿美元。在照明领域发光二极管(L E D)已成为全球的热点,正孕育着一场新的照明革命。据印度稀土有限公司的研究报告称,稀土荧光灯的广泛应用有助于中国每年节约1 5 0—2 0 0力.度电。最近,国家半导体照明工程产业化基地正式落户上海、江西、大连、厦门,成为我国四大半导体照明工程产业化基地。去年6月我国成立了半导体照明工程协调领导小组,半导体照明产业化技术开发己成为国家“十五”科技攻关重大项目。其中投影电视、荧光灯、L CD背光源、PDP荧光粉的用量将增长1.5到2.5倍。下面四种稀土功能材料对稀土应用量较大、发展前景十分看好。一是稀土永磁材料。永磁体作为稀土材料最重要的应用领域之一,是支撑现代电子信息产业发展的基础材料,与人们的生活息息相关。我国对稀土永磁体的需求增长率持续在2 0%左右。据全国稀土永磁材料协作网预测,“十五”期间我国烧结N d F e B磁体总产量达到5 0 0 0 0吨左右,销售总额1 5 0亿元.到2 0 1 0年中国烧结N d F e B磁体产量将达到7万吨,占全球7 5%,销售额2 6 0亿元。在未来1 0内,我国将成为世界稀土永磁材料的制造中心。二是稀土超磁致伸缩材料(简称G MM),此种材料可有效地提高国防、航天、航空等领域技术装备水平,G MM材料被美国等西方国家列为对中国禁运的功能材料。三是稀土磁制冷材料,目前发达国家都把磁制冷技术的研究开发列为2 1世纪的重点攻关项目,投入了大量资金、人力和物力,竞争极为激烈.到2 0 l O年我国将禁止生产和使用***里昂等******碳和氢******碳类化合物。从目前美国室温磁制冷技术研究进展情况看,3到5年内,室温磁制冷技术有可能在汽车空调系统中得到实际应用,之后将进一步开发家用空调和电冰箱等磁制冷装置。四是稀土巨磁电阻材料。1 9 9 4年,美国NVE公司首先实现巨磁电阻(GM R)效应的产业化,并销售巨磁电阻磁场传感器。世界GM R磁头的市场总额已达4 0 O亿美元/年。我国己把GMR效应的研究及应用开发列为我国重点攻关的七个高科技领域之一。1.2发光材料在各种类型激发作用下能发光的物质叫发光材料”引.激发方法是这些物质分类的基础,如:根据激发源的不同,稀土发光材料可分为光致发光(以紫外光或可见光激发)、阴极射线发光(以电子束激发)、X射线发光(以X射线激发)以及电致发光(以电场激发)材料等。根据材料发光的主动性和被动性可以分为非激活发光和激活发光两种。由于2发光材料基质的热歧化作用出现的结构缺陷是在它们的晶格结点产生空位和离子或原子,由于这些晶格缺陷所引起的发光叫非激活发光.而在高温下向基质晶格中掺入另一种元素的离子或原子时出现杂质缺陷,所引起的发光叫激活发光,此时自激活发光中心的形成是和非可控杂质或共激活剂的存在相关的。剂价态、浓度,激活剂在晶格中的位置(结点上离子的置换、点阵问的位置),激活剂的环境,是否有共激活剂等。发光材料又可按转换形式分,可分为。上转换”和“下转换’材料;如按材料种类来分,可分为有机和无机,稀土和非稀土发光材料等。根据空穴和电子形成的场所不同,将发光材料分为特征型发光材料(仅在基质中形成空穴和电子)及“复合型”发光材料(激活剂中也能形成空穴和电子)。根据激发方式的不同,又可分为光致发光材料、阴极射线发光材料、电致发光材料、x射线发光材料、放射线发光材料,热释发光材料。决定发光中心结构和性质的因素有:掺到基质晶格的激活物质发光现象大致分为两类:一类是物质受热,产生热辐射而发光,另一类是物体受激发吸收能量而跃迁至激发态(非稳定态)在反回到基态的过程中,以光的形式放出能量。荧光粉是将均匀混合的基质材料和激活剂等非晶材料在高温下加热,原料间发生化学变化而形成晶体,非晶材料晶化成晶体,从而形成很多小的颗粒。荧光粉的发光原理如图1.1所示:(1)基质从外部吸收能量;(2)能量传递给发射离子,离子从基态Eo激发到E2;(3)被激发的发射离子以热或晶格振动的形式失去一部分能量,达到一个更稳定的激发态的发光能级El;(4)放出光(发光),回到基态。激发能量的形态为电磁波(可见光、紫外光等)时叫光致发光(PL);为电子束时叫阴极射线发光;施加电场产生的发光现象叫电致发光(EL)141。豳1.1荧光耪的发党原理琢g 1.I蠡e I黼inescence principles ofphosho∞按照斯托克斯规则,发光所放出的能量通常比吸收的能量小。图1.2为发射离子和最近离子之间距离姆发光离子势能的关系曲线。a表示荧光粉的情况:发光离子一星鼗激发,枣子藏瓤蒸态A获逢戮激发态B,这嚣懿孩翊鼷没有交凭(突际上,离子由于热振动,核间距时刻都微发生变化;假是,离子从瓣态跃迁到激发态的速度远远比离子的撅幼速度快,所以可以大致认为核间距离不变。);由于有都努戆蠢潋器终振凄藐等形式黉绘鏊麓,离子藏转铡这C;在C态发竞,嚣辫爨基态D;离予进一步以热振动或晶格振动等形式损失能量,回剿原始状态A。b表示一般物质的情况:离子从A态激发翱B态后,通过基态和激发态的交点S阐到基态翡,羧京之,鬃考簸藿郝骧热或豢格振动赘形式豢失簿了。癌主,要雩|熬发光,就必须有图a类似的能量关系。H值越大,发光效率越高。辑●t一乎釉曩霹一予螗撼嵩Ca)荧光糖娉僚撼佳夹,■蠹霉藉.■Re(早膏攒一疆蔫'精亿^乎棚量遗荐子的毛一‘b)一麓蘩鬟鳃馕撼‘h枣'翻1.2活化利离子的势能曲线Fig 1.2 the energy curVe ofactivator目前发光材料的应用很广,因为耀处的不同荧光材辩的基滕是多种多样的,按其组成搿分成无杌荧巍毒|料和有机鬣畚物两大类。由于基葳静不同,其瘟掰情况也不同,依激发方式对屁示荧光体进行分类,无机荧光体大致又可以分为六类l删。4■臻霉冁鬻播放器加载中，请稍候...
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在圆圈里填上“&”“&“=”。
题型：填空题难度：中档来源：期末题
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据好范本试题专家分析，试题“在圆圈里填上“&”“&“=”。5+4○l010-4○710+5○157+8○19+59+3..”主要考查你对&&20以内的加法（不进位），20以内的加法（进位），6-10的加减法&&等考点的理解。关于这些考点的“档案”如下：
20以内的加法（不进位）20以内的加法（进位）6-10的加减法
加法的定义：是基本的四则运算之一，它是指将两个或者两个以上的数合起来，变成一个数的计算。表达加法的符号为加号(+)。进行加法时以“加号”将各项连接起来。把和放在等号(=)之后。
不进位：当两数相加时，个位数相加之和或十位数相加之和都小于10。
20以内的加法（不进位）举例：15和3之和是18，就写成U15+3=18。解题技巧：用一位数去加两位数中个位上的数，再加10。例如：5+12=（ ），用5+2=7，7+10=1720以内加法口诀表：
加法定义：是基本的四则运算之一，它是指将两个或者两个以上的数合起来，变成一个数的计算。表达加法的符号为加号(+)。进行加法时以“加号”将各项连接起来。把和放在等号(=)之后。进位：当两数相加时，某一位的结果大于等于10，则需要向上一位计1，这就是进位。20以内的加法（进位）举例：5和7之和是12，就写成U5+7=12。解题技巧：利用凑十法，看大数分小数。 凑十法的思考过程：“一看（看大数），二拆（拆小数），三凑十，四连加”。例如：5+8=（ ）应把5分成2和3，（8+2=10，10+3=13）得出5+8=13； 7+4=（ ）应把4分成3和1，（7+3=10，10+1=11）得出7+4=11。 20以内加法口诀表：
把1-5的数的加减法的意义和法则延伸到6-10的数的加减法。
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