> DDR2与DDR3之间的区别
07年能否得到普及 DDR3内存技术解析CNET中国·ZOL 作者：
更高的操作频率
　　依照JEDEC的标准，将在800MHz至1666MHz下运行，这将是频率的两倍，主要是通过削减一半读写时间给系统带来操作性能提高。更低的电压和power
　　新一代的DDR3在1.5V下工作，而DDR2是在1.8V下工作，相比来讲DDR3可以节约有16%的电能。这样可以弥补由于过多的操作频率所产生的高电能消耗。同时，减少的能量消耗可以延长部件的使用寿命。　　DDR3在电能的节约方面看起来像是一个局部更新机制。这样宝贵的系统电池及电能资源将减少所需要消耗。在更新部分，动态随机存取存储器非积极用途上。它包括了一个热传感器，当系统没有处于高性能要求时，以便系统支持最小的更新周期从而达到更长时间的电能节省。更多的内部banks
　　为了更高的系统速度，与DDR2的内部4banks比DDR3采用内部8banks。随着动态随机存取存储器尺寸的增长，这将允许更先进的pre-fetch（预读）而减少access latency（访问反应时间）。注册模式的区别
　　由于集成了众多特点，DDR3的初始化采用了一种新的方式。MRS（注册模式）是re-engineered（双引擎）从而加快并且更有效化系统的配置。Fly-by模块布局
　　对于更高频率的操作，DDR3在内存模块（DIMM）信号整合上更加严格。在极端频率下，信号路径不能再保持平稳，但又不得不调整以匹配每一个动态随机存取存储器。这意味着地址和控制线路将成为一条独立的取代DDR2中分支的T布局路径的连接两个动态随机存取存储器的路径。这种方法去除了机械的线路平衡转向了由固定在内存系统训练的控制者产生的自动的信号时间延迟。每一个DDR3 DRAM都有一个自动的水平电路作标准来记忆标准数值。
DIMM Module
Clock Speed
Transfer Rate
DDR3内存与相比的技术优势：
1更高的带宽（高至1600Mbps）
2在低power下的性能增强
3更长久的电池寿命
4增强的power特性和热力设计
产品规格对比
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游戏精英, 积分 4353, 距离下一级还需 4647 积分
贡献度732 金元14252 注册时间积分4353精华0帖子
如题！！！！！！！！！！！！！！
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游戏达人, 积分 2004, 距离下一级还需 1496 积分
贡献度241 金元10396 注册时间积分2004精华0帖子
實際使用差別不大。
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超级玩家, 积分 844, 距离下一级还需 156 积分
贡献度82 金元5163 注册时间积分844精华0帖子
不大，除非频率差距太大…
最后登录贡献度85 金元3110 银行存款0 注册时间阅读权限70帖子主题精华0积分651UID1406774
超级玩家, 积分 651, 距离下一级还需 349 积分
贡献度85 金元3110 注册时间积分651精华0帖子
价格的差距比较明显，别的不明显
最后登录贡献度630 金元11134 银行存款0 注册时间阅读权限90帖子主题精华0积分3633UID1870017
游戏精英, 积分 3633, 距离下一级还需 5367 积分
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还是容量最重要　　　　　　　　　　　　　　　　
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游戏达人, 积分 2118, 距离下一级还需 1382 积分
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我觉得我现在用的DDR2 800比以前的DDR 400要慢多了..郁闷 ..不过我那台DDR400的电脑还健在
最后登录贡献度95 金元21860 银行存款0 注册时间阅读权限90帖子主题精华0积分2566UID2651630
游戏达人, 积分 2566, 距离下一级还需 934 积分
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价格的差距比较明显，别的不明显
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中级玩家, 积分 163, 距离下一级还需 87 积分
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电压。。。。各有各的优缺点。。。但是时代是进步的。。。所以。。。
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高级玩家, 积分 520, 距离下一级还需 80 积分
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容量比频率重要
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初级玩家, 积分 26, 距离下一级还需 74 积分
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没甚麼感觉的,二代贵死了,建议买三代,
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游戏达人, 积分 2513, 距离下一级还需 987 积分
贡献度41 金元23493 注册时间积分2513精华0帖子
据测试，WinRAR对DDR3敏感些。
最后登录贡献度208 金元30504 银行存款0 注册时间阅读权限90帖子主题精华0积分3882UID2732032
游戏精英, 积分 3882, 距离下一级还需 5118 积分
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板子 U支持DDR3&&果断DDR3 便宜
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高级玩家, 积分 542, 距离下一级还需 58 积分
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快慢不明显，主要看容量。。
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初级玩家, 积分 47, 距离下一级还需 53 积分
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主要还是显卡作用大一点……
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DDR1、DDR2、DDR3内存外观区别在哪？
作者： 点击数： 更新时间：12-06-25
SD：两个缺口、单面84针脚、双面168针脚DDR1：一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形DDR2：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形、电压1.8VDDR3：一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左72右48、内存颗粒正方形、电压1.5V
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&&& 1.突发长度（BurstLength，BL）
　　由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BurstLength，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。
　　2.寻址时序（Timing）
　　就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而 DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和 CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数&&写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。
　　3.DDR3新增的重置（Reset）功能
　　重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。
　　在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。
　　4.DDR3新增ZQ校准功能
　　ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On- DieCalibrationEngine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。
　　5.参考电压分成两个
　　在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。
　　6.点对点连接（Point-to-Point，P2P）
　　这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。
　　面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC 台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(BearLake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。
　　内存异步工作模式包含多种意义，在广义上凡是内存工作频率与CPU的外频不一致时都可以称为内存异步工作模式。首先，最早的内存异步工作模式出现在早期的主板芯片组中，可以使内存工作在比CPU外频高33MHz或者低33MHz的模式下(注意只是简单相差33MHz)，从而可以提高系统内存性能或者使老内存继续发挥余热。其次，在正常的工作模式(CPU不超频)下，目前不少主板芯片组也支持内存异步工作模式，例如Intel910GL芯片组，仅仅只支持533MHzFSB即133MHz的CPU外频，但却可以搭配工作频率为133MHz的DDR266、工作频率为166MHz的DDR333和工作频率为200MHz的DDR400正常工作(注意此时其CPU外频133MHz与DDR400的工作频率200MHz已经相差66MHz了)，只不过搭配不同的内存其性能有差异罢了。再次，在CPU超频的情况下，为了不使内存拖CPU超频能力的后腿，此时可以调低内存的工作频率以便于超频，例如AMD的 Socket939接口的Opteron144非常容易超频，不少产品的外频都可以轻松超上300MHz，而此如果在内存同步的工作模式下，此时内存的等效频率将高达DDR600，这显然是不可能的，为了顺利超上300MHz外频，我们可以在超频前在主板BIOS中把内存设置为DDR333或 DDR266，在超上300MHz外频之后，前者也不过才DDR500(某些极品内存可以达到)，而后者更是只有DDR400(完全是正常的标准频率)，由此可见，正确设置内存异步模式有助于超频成功。
　　目前的主板芯片组几乎都支持内存异步，英特尔公司从810系列到目前较新的875系列都支持，而威盛公司则从693芯片组以后全部都提供了此功能。
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