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DB3双向触发二极管,DB3双向触发二极管原理是什么
FEATURES　　VBO：32V and 40V　　LOW BREAKOVER CURRENTDESCRIPTION　　Functioning as a trigger diode with a fixed voltage reference, the DB3/DB4 series can be used in conjunction with triacs for simplified gate control circuits or as a starting element in fluorenscent lamp ballasts.　　A new surface mount version is now available in SOT-23 package, providing reduced space and compatibility with automatic pick and place equipment.
此型号器件提供多种品牌的品种
双向触发二极管DB3
　　工作原理：二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到一定程度， PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流，击穿现象被称为二极管。 该类型的二极管 有许多类型的二极管，根据半导体材料的使用，可分为锗二极管（葛管）和硅二极管（硅管） 。根据其不同用途，可分为探测器二极管，整流二极管，二极管调节器，开关二极管，隔离二极管，肖特基二极管，发光二极管等。根据该核心结构，可分为点接触二极管，接触式平面二极管和二极管。二极管是一个联络点，与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片，一个脉冲电流，导线接触到年底晶片牢固烧结在一起，形成一个" PN结" 。点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安） ，适用于小型高频率电流电路，如无线电探测器。接触二极管的" PN结"面积较大，允许更大的电流（几的数十个） ，它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二极管是一个特别设计的硅二极管，它不仅可以通过更大的电流，而且性能稳定可靠，以及更多交换机，以及高频率脉冲电路。
双向触发二极管主要参数和工作原理
　　双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。
　　图1是它的构造示意图。　　图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。　　因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。
　　双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5）。　　当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(bo)时，器件呈高阻态。当U&V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。　　同样当U大于反向转折电压V(br)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。　　△V(b)=V(bo)-V(br)。　　一般△V(B)应小于2伏。　　双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。　　由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动（RX10k),但还不能完全确定它就是好的。　　检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。　　用晶体管耐压测试器检测十分方便。　　如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V(br)。
　　例如：　　测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，　　则△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V&2V，表明该管对称性很好。
　　图７是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。　　通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。　　如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。　　该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。
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图示双向触发二极管工作原理
文章来源：本站原创 作者：佚名
双向触发二极管知识介绍：
双向触发二极管是与双向晶闸管同时问世的，常用来触发双向晶闸管。
此主题相关图片如下：
双向触发二极管的结构、符号、等效电路及伏安特性如图1所示。它是三层、对称性质的二端半导体器件，等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN晶体管。其正、反向伏安特性完全对称。
当器件两端的电压小于正向转折电Ubo时，呈高阻态;当 U&Ubo 时进入负阻区。同样，当|U|超过反向转折电压|Ubr| 时，管子也能进入负阻区。
转折电压的对称性用△Ub表示
△Ub=Ubo-|Ubr|
一般要求 △Ub&2U。 双向触发二极管的耐压值 Ubo 大致分三个等级：
20&&60V，100&&150 V，200&&250 V 。
在实际应用中，除根据电路的要求选取适当的转折电压 Ubo 外，还应选择转折电流 Ibo 小、转折电压偏差△Ub小的双向触发二极管。
双向触发二极管除用来触发双向晶闸管外，还常用在过压保护、定时、移相等电路，图2就是由双向触发二极管和双向晶闸管组成的过压保护电路。当瞬态电压超过DIAC和Ubo时，DIAC迅速导通并触发双向晶闸管也导通，使后面的负载免受过压损害。
双向触发二极管二：
双向触发二极管(DIAC)属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。
图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。
双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称(见图5)。当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(B0)时，器件呈高阻态。当U&V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。同样当U大于反向转折电压V(BR)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。△V(B)=V(B0)-V(BR)。一般△V(B)应小于2伏。双向触发二极管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二极管，表针均应不动(RX10k),但还不能完全确定它就是好的。检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。用晶体管耐压测试器检测十分方便。如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量(正、反各一次)，电压大的一次V(BR)。例如：测一只DB3型二极管，第一次为27.5V，反向后再测为28V，则△V(B)=V(B0)-V(BR)=28V-27.5V=0.5V&2V,表明该管对称性很好。
图7是双向触发二极管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流(平均值)实现连续调光。如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。
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