TLC短命惹争议? 菠菜分析第3代SSD现状|全文浏览<span itemprop="datePublished" content="T05:47:00+-09-27 05:47&&&&【 原创】 作者： | 责编：孙玉亮&&&&&
19nm闪存遭弃用 三星840系登场&&& 9月25日，三星840系在韩国发布，令人大跌眼镜的是这款三代SSD并没有采用19nm闪存，而是采用全新三核主控和21nm的MLC/TLC闪存。一度以19nm闪存为看点的三代SSD出现新的发展方向，其中最大的亮点莫过于TLC闪存大规模应用，它的价钱仅为MLC闪存的一半，从而推动高性能SSD彻底走向平民普及。
TLC闪存短命惹争议？分析第三代SSD现状
&&& 三代SSD以采用19nm闪存以及匹配的三代主控为主要特征，它的代表是最先上市的浦科特M5P SSD，代表着当今SSD的最高性能水平。以浦科特为代表的厂家全面采用新技术抢占性能制高点，网友称之为学院派。
&&& 令人诧异的是三星弃用19nm闪存，三星作为闪存产业的领头羊，它拥有最先进的制造工艺，19nm闪存的生产可谓炉火纯青。业界普遍认为匹配19nm闪存的主控开发容易，如何发挥19nm闪存性能却是最大关键和难点，背后需要实力雄厚的主控和固件开发队伍支撑。
&&&&&&&三星SSD 840PRO VS 840 VS 830
三星830系SSD
&(256,512GB)
三星840系SSD
三星840PRO系SSD
&(256,512GB)
Samsung MCX
Samsung MDX
Samsung MDX
&&& 我们从840 PRO系SSD的性能表现上看，它已经修复了830系SSD的多任务随机写入能力低的不足，具备叫板M5P的实力。由此可见三星的主控和固件开发能力不可小视。究竟是什么原因使得21nm MLC/TLC闪存受到三星的青睐？ 高端/入门齐发 TLC闪存上阵杀价
&&& 和浦科特为首的学院派不同，三星在生产新品之初，它站在纵观全局的战略角度上，在兼顾性能的基础上，以抢占市场为首要目标。我们从韩国三星840系列SSD发布会出现高低搭配的两款新品，一款为普及版的840系列SSD，另一款则为加强版的840 PRO系列SSD。
加强版的三星840 PRO系列SSD（香槟金包装）
&&& 加强版的三星840 PRO系列SSD，它采用性能强劲、使用寿命较长的21nm MLC闪存，以及全新的三核主控。这款追求性能，主要用于和其他厂家的顶级三代SSD竞争。
普及版的三星840系列SSD（银灰包装）
&&&&普及版的三星840系列SSD，它采用成本低廉、性能和使用寿命均不如MLC的21nm TLC闪存，以及同样的三核主控。这款产品开创SSD历史，三星凭借它成为首个大规模应用TLC闪存的SSD厂家。它用于抢占市场份额，它的性能强于浦科特M3P，弱于M5P。
&&& 和前代产品线单一的830系SSD不同，此次三星布局840系列SSD泾渭分明。三星既能满足少数高端用户的性能需求，又能控制成本推动高性能SSD的普及。双管齐下的三星840系SSD自然左右逢源，并且普及版的三星840系SSD更令人期待。但是三星仍需面对网友们对TLC闪存的质疑，我们接下来探讨TLC闪存的短命争议？ 短命惹争议 解析TLC闪存特点
&&& TLC即Triple-Level Cell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。
TLC闪存的特点：
1、存储密度最高，容量至少达到MLC的1.5倍
2、制造成本最低，其较之MLC闪存最大降低50%3、制造工艺仅次于MLC，高于SLC4、使命寿命最低，理论上的读写速度最慢。
&&& 我们从TLC的第三个特点找到了为何三星弃用19nm闪存的主要原因，TLC闪存暂未达到MLC闪存的19nm制造工艺。如果三星同时开发支持19nm MLC闪存的主控，以及支持21nm TLC闪存的主控，不但时间来不及，还需要支出更高的开发成本。最终三星将MLC和TLC闪存的制造工艺统一到21nm，开发出同时支持21nm MCL和TLC的主控。
SLC NAND Flash
MLC NAND Flash
TLC NAND Flash
30-35美元/32GB
17美元/32GB
9-12美元/32GB
10万次或更高
1万次或更高
5000次甚至更高
&&& 争议最大：TLC的性能和寿命不及MLC
&&& 由于TLC的电压变化频率是三种类型闪存中最高，因此TLC闪存的使用寿命也是最低，只有MLC闪存的1/20，第一代TLC闪存仅仅具有500-1000次可重复擦写次数的使用寿命。同时它的读写速度也是最慢，由于一个浮动栅存储3个单元，比之MLC需要更长的时间。
&&& 网友最为担心的正是TLC的使用寿命。有意思的是，当MLC出现的时候，网友们担心MLC的使用寿命不如SLC。 续命有招 分析840系6GB闪存妙用
&&& 三星840系涵盖120/250/，细心的网友很快发现，这三个容量缺失8GB/6GB/12GB容量的闪存，并且没有60GB这一档次。而采用MLC闪存的840 PRO系SSD却拥有完整容量的64GB/128GB/256GB/512GB三款。普及版840系SSD上面缺失的闪存哪里去了？为何没有64GB容量？这一切得需要和TLC闪存说起。
一、缺失的闪存哪里去了？
三星840系列SSD的英文技术说明书
&&& 普及版840系SSD搭配高速缓存，缺失的闪存用做缓存的说法不攻自破。21nm TLC的耐久度较低，三星扩大备用区块的容量，保证SSD使用寿命。&&
二、为何普及版840系SSD没有60GB
三星840 PRO系列SSD的英文技术说明书
&&& 我们假设TLC的擦除寿命只有MLC的一半，TLC闪存在容量翻倍的情况下，理论上她的总写入寿命是和MLC一样的。比如一块64GB的TLC/SSD、128GB的MLC/SSD、256GB的TLC/SSD，我们在同样的使用环境下，假如三款SSD均写入512GB数据，SLC/SSD被写8次，MLC/SSD被写4次，TLC/SSD被写2次。
&&& 三星840PRO系列SSD的最小容量为64GB，三星为了延长普及版840系SSD的寿命，那么最小容量锁定在120GB也在情理之中。
&&& 三星840系SSD是第一款采用TLC闪存的产品，网友普遍看好这款SSD。如果TLC闪存的使用寿命不过关，过高的返修率也是任何一个SSD厂家难以承受的。三星可能在信号处理，更强的ECC算法等提高TLC闪存耐久度的技术上有所突破，同时采用上叙两种办法延长TLC/SSD的使用寿命。
&&& TLC闪存颗粒在上极具吸引力，我们从840系TLC/SSD的官方性能数据判断，这款SSD的用户体验可以用惊艳来形容。TLC闪存颗粒最快在明年开始进入SSD普及阶段。 价格对比：840系高出830系一半
&&& 是阻碍普及的最大因素，性能是吸引我们购买SSD的主要因素。我们从三星官方的性能参数上看，普及版840系SSD的性能较之前代830系有明显提高，仅次于840PRO系列SSD。不过三星840系、840 PRO系列SSD的价格并不平易近人。
普及版三星840系SSD
三星840系列SSD售价价格
三星840系SSD
694元 (120GB)
三星840PRO系SSD
三星830系SSD
&&& 我们难以理解三星官方的价格，即使是容量最小的64GB 840PRO系列SSD，折合人民币高达631元，它比目前64GB 830系SSD高出34%的价格。而采用TLC闪存的三星840系SSD，250GB版本高达1262元，和256GB 830系SSD不相上下。
&&& 虽然840系SSD的性能占据优势，但是我们考虑到容量和寿命问题，同样价格的情况下，840系SSD几乎没有优势可言。三星SSD经销商透露，840系的高价是为830系的清仓做铺垫，否则840系SSD上市，大量830系SSD难以消化。
&&&&短期内，我们仍将看到三星840系SSD处于高价运行状态。以普及版三星840系 250GB为例子，一块性能高于浦科特M3P、拥有250GB大容量存储空间、理想售价为699元、质保时间为3年，大部分消费者可以忽略TLC闪存的使用寿命不足，下定决心去购买它。 SSD厂商反应：三星后期杀价可怕&&& 三星是集合主控、闪存、缓存于一体的厂商，并且三星的闪存市占率全球第一，采用TLC闪存的840系SSD可以说是三星的杀手锏。三星840系SSD的高价维持到830系SSD的清仓完毕，后期三星840系SSD是其他SSD厂商的噩梦。
东芝19nm Toggle
2.0 MLC闪存芯片
&&& 目前已知的四大主控厂商，Marvell主控搭配19nm闪存的浦科特M5P SSD上市，三星主控搭配自家21nm闪存的840系SSD发布，SF3000系列主控至今未见踪影，OCZ表示自家Indilinx主控已有搭配TLC闪存方案。
SandForce SF3XXX主控芯片性能参数
&&& 美光、金士顿、威刚以及国内SSD厂商采用SF3000系列主控，由于19nm闪存良品率以及固件开发尚需完善，至今未见实物。在今年年底之前，这些SSD厂商仍需要以SF2281主控+25nm闪存的SSD为主打产品。
&&& 除了浦科特M5P和三星840系SSD之外，其他SSD厂商的三代产品处于研发或者完善阶段。浦科特M5P SSD孤军奋战，难以和拥有高低搭配的两款三星840系SSD抗衡。三星840系SSD没有遭受到实质性威胁，高昂的一时半会难以动摇。
&&& SSD行业经历两次价格大战，均有三星发起，可以说三星对价格战的运用烂熟于心，它让性能略有不足的830系SSD风风火火。我们也许会质疑采用TLC闪存的840系SSD的寿命，但是无论如何，它也比采用半速、寿命同样短的异步闪存的SSD要强。
&&& 我们期待普及版的三星840系SSD在10月15日上市，届时将为大家第一时间奉上评测。
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商家报价：全球首款TLC SSD 三星840系列评测(组图)
18:55 &&来源：小熊在线
&&编辑：Spider&&
　　【840系列全新登场，三星全球首款TLC闪存SSD】　　三星作为国际知名的半导体存储厂商一直致力于推广SSD固态硬盘，已经陆续推出了数代产品，前不久，最新一代的产品三星840系列SSD正式发布上市了，分为PRO加强版与普通版，PRO使用MLC闪存芯片，主打高性能市场，而普通版则使用TLC闪存则主要瞄准普通消费群体。三星840系列SSD三星840 PRO系列SSD　　除了在闪存颗粒上的区别以外，新一代产品840与上一代产品830区别还在于，新一代产品采新的MDX主控依然延用了3核设计，不过变更为Cortex-R4微架构，默认频率为300MHz，支持高级算法和AES-256加密，并提供了更低的功耗。同时，840系列也是全球首款采用了TCL闪存的SSD产品。　　本站有幸在第一时间拿到了三星新一代SSD 840的普通版，下面就让我们来具体了解一下这款全球首款TCL闪存SSD的性能表现究竟如何。　　【三星840系列SSD产品赏析】　　外观设计上，三星840放弃了830的拉丝工艺铝质外壳，改而使用更深沉的平面黑色外壳，2.5寸标准规格，厚度仍是7毫米。7mm厚度　　840系列SSD采用的是三星第四代的MDX。第一代MAX用于740系列，第二代MBX则从未用于零售，第三代MCX就是830系列了。MDX的基本架构没什么变化，内部仍是三个处理器核心，三星称之为Cortex R4，主频300MHz，整合256-bit硬件加密引擎，搭配512MB LPDDR2-1066缓存，相比上代容量翻番、带宽增加33%。　　840系列的闪存采用21nm TLC NAND，3bpc，擦写循环会比MLC NAND少一半，耐久性稍差一些。840系列则是120GB、250GB、500GB，给不耐久的TLC NAND闪存留出了更多冗余空间，840 SSD更适合日常普通负载的读写操作。　　【TLC闪存寿命较短，但容量价格有优势】　　TLC即Triple-Level Cell的缩写，是2bit/cell的MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。　　TLC闪存的特点：存储密度最高，容量至少达到MLC的1.5倍;制造成本最低，其价格较之MLC闪存最大降低50%;制造工艺仅次于MLC，高于SLC;使命寿命最低，理论上的读写速度最慢。　　由于TLC的电压变化频率是三种类型闪存中最高，因此TLC闪存的使用寿命也是最低，只有MLC闪存的1/20，第一代TLC闪存仅仅具有500-1000次可重复擦写次数的使用寿命。同时它的读写速度也是最慢，由于一个浮动栅存储3个单元，比之MLC需要更长的时间。针对TLC的耐久度较低的特性，三星采用了扩大备用区块的容量的方式来确保存储的可靠性，以延长SSD使用寿命。　　不过使用TLC闪存的一大优势就在于成本，通过三星官方的报价表，我们可以发现，120GB容量的普通版840 SSD的报价与自家的830系列极为接近，而250GB的就便宜了15%左右，500GB的价格优势更是达到了30%以上。　　【测试平台介绍】　　测试平台　　本次测试我们使用Thinkpad系列的X220T笔记本作为测试平台，处理器为酷睿i7-2640M，内存2×4GB DDR3 1333。　　【三星840系列250GB SSD AS SSD测试】　　AS SSD Benchmark　　AS SSD Benchmark是一款专门的固态硬盘基准性能测试，它的测试内容很全面，包括了4个方面的测试(顺序读写、4K随机读写、64线程4K读写、寻道时间)。通过AS SSD Benchmark的测试，可以很全面的了解一款SSD的性能。测试之前来看看其基本信息。　　从测试结果总我们可以看到，这款全新的840系列普通版SSD在持续读写性能表现的相当出色的，不过与上一代的830系列相比差距并不大，不过针对4K读写性能这一项上，840普通版SSD表现的就比较出色了，同时IOPS的表现跟家强大，最后系统评分也非常高，达到了908分的高成绩。　　【三星840 CrystalDiskMark与ATTO Benchmark测试】　　CrystalDiskMark　　CrystalDiskMark软件是一个测试你的硬盘或者存储设备的小巧工具，简单易于操作的界面让你随时可以测试你的存储设备，测试存储设备大小和测试数字都可以选择，还可测试可读和可写的速度。　　在此项测试中，CrystalDiskMark的成语AS SSD Benchmark基本一致，性能表现非常稳定。　　ATTO Benchmark　　ATTO Disk Benchmark测试，它是一款优秀且免费的磁盘基准测试软件，支持对稳定性/突发性传输速率进行读写测试，适用于常规硬盘、RAID、USB闪存盘、移动存储卡等产品的读写性能测试。在这里主要测试SSD主控性能，在理想状况下SSD能达到的最高读写速度就是主控能力的上限。　　在此项测试中，我们可以看到，840普通版SSD的读取性能表现非常出色，写入性能虽然稍弱，但是整体也处于一个比较优秀的范围内。　　【三星840系列性能实测：开机速度】　　理论测试虽然直观但是却没拌饭完全的展示产品的性能，所以我们特地进行了一项实际应用测试，首先我们在这款840普通版SSD上安装了Windows7 X64操作系统，然后就启动时间进行了测试。最终成绩为12秒　　三星840普通SSD的启动时间为12秒，这个成绩相当优秀，完全不比那些MLC来的差。　　【测试总结】　　通过前面的测试我们发现，虽然三星840系列普通SSD采用了TLC闪存，但是在性能上却没有收到太多的影响，除了写入性能没有明显提升以外，IOPS和4K随机读写性能上获得提升更加明显。而实际应用测试中，12秒的启动时间也足以与那些昂贵的MLC产品打成平手。　　MLC与TLC的区别主要在于颗粒的速度与寿命上，三星推出了全TLC闪存的840系列产品的主要目睹就是在于借助TCL在价格容量上的优势，让大容量的SSD的固态硬盘更早的进入到普通用户手中。　　不过TLC的寿命上的弱点始终是存在的，但是我们有理由相信，三星既然推出了全TLC闪存SSD 840系列，就肯定在信号处理与ECC纠错算法上有了足够的改进，并且通过扩展缓冲区的方式来保证SSD的寿命。　　总体来说，三星840系列普通版SSD有希望能够成为三星的新一代杀手锏，虽然现阶段840的官方报价较高，但是我们相信在830系列完成清仓之后，840系列必然凭借TLC闪存的容量与价格优势打动广大消费者，让更多的消费者加入到大容量SSD的用户行列中。　　作者：铁炮
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注册: 2008年12月
LongVoyage 发表于
倒不至于只在那剩下1M里折腾，正常情况应该是已写入数据不断挪地方，算法上保证每个存储单元使用率相同相近。不过楼主的计算也不对，对一个存储了32G固定数据的64G盘而言，每写入（覆盖）32G新数据两次，不考虑写入数据单元的尺寸和存储块单元的差异，简单计算的话整体写入量应该大致接近96G，如果固定存储的数据已经超过总容量一半，再加上大量临时文件不断生成覆盖，闪存的耗费还是很大的，特别对于16/32/64这种小容积的闪存，大部分人的固定存储的数据也通常远超过总容量一半，使用寿命会远比楼主计算的要短的。等以后到512G/1T的时候会要好的多。恩,应该是不断挪地方,不过不知道苹果有没有这样的算法,挪地方也是挺消耗系统资源的.
另外就是要挪地方也要有地方可挪阿,如果都塞满了就没地方可挪了.
对手机这么小的存储空间,恨不得每一M都装上,恐怕不会有很多剩余空间的...
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风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，你要写入32T的数据，每天写10g数据，一年也才3T多。你算算你要多少年才用完。
实际上TLC出来后有专门机构个人做了大量试验，比如，256g的硬盘，写了8000多t。
实际上最开始是slc，但是成本太高，于是发展了mlc，开始的时候也是骂声一片，说性能底下，寿命短。但是没过多久mlc基本取代了slc，速度也全面超越了slc。tlc出来又是这个说法。其实现在半导体工艺材料进步很大的，寿命只升不降，性能也在提升。下一步还在发展qlc。
所以如果你打算一部手机用10年，而且每天10g的数据量，应该能用废掉这个闪存。有一个操蛋的词汇叫：写入放大。。。
还有，tlc需要刷新电平，前一阵840evo掉速就是这个原因
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东西南北溜溜 发表于
TLC用在SSD上是近2年的事，尤其以三星2012开始大力推840系列为开始。哪里来很多年？而且840最近三星就紧急更新...唉，对于半导体技术来说2012到现在已经很多年了，现在东芝，浦科特，闪迪，三星，intel都在用TLC了。三星是过于激进，最早采用，而且850不也是TLC，840本身就是第一代产品。
至于U盘，哪都是买的最差的TLC芯片，你想想，几十块的U盘，能买到64g甚至更高，你也是混无忌的，你觉得有这么好的事情。
以前不是很多人一说起苹果不能插存储卡就骂吗，我心里想是啊，存储卡有便宜的，不过那玩意能用吗，稍微好点的存储卡价格也不便宜。而且多一个控制接口不光性能无法保障，故障率也无法控制。
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威锋上前几天就有了，其实测测读写速度就可以大致判定了。
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风舞狂沙 发表于
读取有不影响，主要是写入才会有磨损，一次完整的写入才算写入。
如果闪存真的寿命不行就不会有现在的混合硬盘的，混合硬盘就是用闪存做缓存，利用闪存的高速读取，特性来提升性能，写入还是写入到传统机械硬盘的。读取当然不会有影响.
如果内存完全是空的,那写入容量可以按你的计算,怎么也用不完.但是如果绝大部分空间被系统,程序,照片,视频占据了,那这部分空间就不能进行读写操作,写入次数很少.临时文件的写入就只能集中在剩余的空间里.剩余空间越小,负担越大,损坏的可能性就越大，这时候写入次数的差别就显得很重要了
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注册: 2012年02月
风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，你要写入32T的数据，每天写10g数据，一年也才3T多。你算算你要多少年才用完。
实际上TLC出来后有专门机构个人做了大量试验，比如，256g的硬盘，写了8000多t。
实际上最开始是slc，但是成本太高，于是发展了mlc，开始的时候也是骂声一片，说性能底下，寿命短。但是没过多久mlc基本取代了slc，速度也全面超越了slc。tlc出来又是这个说法。其实现在半导体工艺材料进步很大的，寿命只升不降，性能也在提升。下一步还在发展qlc。
所以如果你打算一部手机用10年，而且每天10g的数据量，应该能用废掉这个闪存。尽扯淡。
TLC用在SSD上是近2年的事，尤其以三星2012开始大力推840系列为开始。哪里来很多年？而且840最近三星就紧急更新了固件，
就是因为包括新出的840 EVO在内的TLC闪存的SSD都存在这掉速严重的缺陷，他自己家用MLC的840 pro、850就没这个问题。
但是TLC用在U盘上确实是很多年的事情了。
TLC有500次寿命是理论，实际上远远达不到，不信可以看看近几年的U盘的寿命，都是坑爹货，连100次写都不到的寿命。我相信很多人都有这经历，新买的U盘没用多少次就坏了。
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查了下，是2。
电信合约，64G灰。 本帖最后由 snakehope 于
10:08 编辑
泡网分: 91.991
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注册: 2000年11月
jlushutterbug 发表于
不能这么算，因为很多数据一旦写入就不挪地方了，比如系统。举个极端的例子，如果你的手机里装满了程序，只有1M剩余空间，写入删除数据都在这里，那TLC只要写入500M数据就死翘翘了。所以买SSD硬盘的时候要求容量大，剩余空间占一半以上，原因是一样的。倒不至于只在那剩下1M里折腾，正常情况应该是已写入数据不断挪地方，算法上保证每个存储单元使用率相同相近。不过楼主的计算也不对，对一个存储了32G固定数据的64G盘而言，每写入（覆盖）32G新数据两次，不考虑写入数据单元的尺寸和存储块单元的差异，简单计算的话整体写入量应该大致接近96G，如果固定存储的数据已经超过总容量一半，再加上大量临时文件不断生成覆盖，闪存的耗费还是很大的，特别对于16/32/64这种小容积的闪存，大部分人的固定存储的数据也通常远超过总容量一半，使用寿命会远比楼主计算的要短的。等以后到512G/1T的时候会要好的多。 本帖最后由 LongVoyage 于
10:04 编辑
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注册: 2010年03月
东西南北溜溜 发表于
Hynix 64G MLC
貌似128G的全部都是TLC。这个估计是库存颗粒，顺便查了一下，好像新出的基本都是TLC了，我买的早还是MLC。但是最近购买的IP6，64G好几台都是东芝TLC。
东芝的TLC好像口碑较好。
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Hynix 64G MLC
貌似128G的全部都是TLC。
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注册: 2010年03月
一句话，现在拿着2010年的报告就是刻舟求剑。
到目前为止，网上所以关于苹果的所谓闪存故障都起源于韩国一个论坛的一篇贴子，就是哪个装700个APP的崩溃的贴子。
而其他包括苹果打算回收，更换闪存颗粒都不是正式报道。
对于所谓的700app崩溃我从赏识上理解应该不是硬件的bug，更可能是软件和系统的bug。
其实想想，当年手机能卖出高价，很大程度上能够消化掉MLC的高价，现在手机价格已经被拉到2000元价格如果还能消化掉MLC高价，怎么也觉得不可能。
想当年，一群人骂苹果卖闪存，说32g版本比16g贵那么多的时候没有一个人提MLC，SLC，好了现在苹果去掉32g提升一倍容量价格不变，现在开始骂SLC了。
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注册: 2010年03月
jlushutterbug 发表于
不能这么算，因为很多数据一旦写入就不挪地方了，比如系统。举个极端的例子，如果你的手机里装满了程序，只有1M剩余空间，写入删除数据都在这里，...读取有不影响，主要是写入才会有磨损，一次完整的写入才算写入。
如果闪存真的寿命不行就不会有现在的混合硬盘的，混合硬盘就是用闪存做缓存，利用闪存的高速读取，特性来提升性能，写入还是写入到传统机械硬盘的。
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泡网分: 17.176
注册: 2006年10月
这种安装软件的方式没见过
泡网分: 9.756
帖子: 4526
注册: 2010年03月
楼主的统计数据是2010年的，到现在也过去5年了。
而我记得业界曾经有个报告，苹果基本垄断了全球A级闪存颗粒的采购，其他家除了高端用于服务器工作站的机器上才使用。各位用手机都知道苹果的手机没听说过闪存出现问题的报告。
在新产品新工艺上苹果远比其他厂家保守，三星是最为激进的，比如TLC的固态盘，就是三星最早采用在2012年就开始推出了，而intel，普科特，闪迪，东芝等厂家都比三星晚。采用TLC一方面是闪存工艺进步很快，成本降低，第二就是主控芯片和算法改进使得速度，容量，寿命都开始超越了MLC，而MLC的发展几乎处于停滞状态，就和SLC一样，速度寿命都好但是，受限于自身，容量提升不上去，成本降低不了，可发展空间小，慢慢的就落伍了，才有MLC对SLC的取代。同样TLC也在慢慢取代MLC，现在TLC也面临提升的瓶颈，寿命速度都上来了，但是容量提升开始出现瓶颈，于是新的QLC又提上日程了。
要知道MLC成本比TLC几乎高一倍，而其他厂家基本无苹果的议价能力，手机价格又做不过苹果，连三星都做不到，起手手机就是TLC闪存，所以我对其他手机厂家采用MLC深表怀疑，而且就算是采用估计也达不到A级品质。
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泡网分: 21.084
注册: 2005年01月
岳耳 发表于
三星就是TLC的主力推手，它家的手机用一段时间卡得要死，闪存门等问题不断，其实都是TLC的问题。
个人认为小容量用TLC那是找死，大容量设备比如512G以上的SSD，因为均衡算法的原因容量越大TLC的弱点越不明显,反而可以使用TLC。
最大问题是三星的TLC硬盘卖得比不少MLC硬盘还贵..........价格便宜30%以上，大容量SSD才值得买TLC。
至于手机，我不认为手机里面的均衡擦写算法能比得上SSD里面的专用主控，所以一直回避三星手机。
apple的做法很很打了很多人的脸，那些扯TLC一样好用的人，难道你比apple的工程师还专业！我比较同意老兄的观点。 以手机那么小的空间和电力，用的主控应该会是简化的，均衡算法是否能够做的够好？ 还有一个就是写入放大系数。在SSD上即使修改了一个字节，这个字节所在的整个区块都要重写，实际写入数据大了很多倍。
所以可以写入的数据远小于理论值。
泡网分: 2.99
帖子: 2641
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FutureE 发表于
16g版本都是mlc，64g部分，128g全部tlc。中兴nubai的手机应该用的也是MLC，俺的16G版本的nubia亲测拷贝读写速度都到18M/S, TLC应该达不到这个速度。
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真够扯淡的，还用了很多年，你查查TLC SSD哪年才开始大量上市？
风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，... 本帖由 iPhone 5c (GSM) 客户端发布
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岳耳 发表于
苹果呀，人家马上换MLC了，这么简单的事你都不明白，问这么弱智的问题 ...16g版本都是mlc，64g部分，128g全部tlc。
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风舞狂沙 发表于
好吧，你找一个现在不是用Tlc的手机来，看看哪个手机厚道。苹果呀，人家马上换MLC了，这么简单的事你都不明白，问这么弱智的问题
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岳耳 发表于
三星就是TLC的主力推手，它家的手机用一段时间卡得要死，闪存门等问题不断，其实都是TLC的问题。
个人认为小容量用TLC那是找死，大容...好吧，你找一个现在不是用Tlc的手机来，看看哪个手机厚道。
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风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，...不能这么算，因为很多数据一旦写入就不挪地方了，比如系统。举个极端的例子，如果你的手机里装满了程序，只有1M剩余空间，写入删除数据都在这里，那TLC只要写入500M数据就死翘翘了。所以买SSD硬盘的时候要求容量大，剩余空间占一半以上，原因是一样的。
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三星就是TLC的主力推手，它家的手机用一段时间卡得要死，闪存门等问题不断，其实都是TLC的问题。
个人认为小容量用TLC那是找死，大容量设备比如512G以上的SSD，因为均衡算法的原因容量越大TLC的弱点越不明显,反而可以使用TLC。
最大问题是三星的TLC硬盘卖得比不少MLC硬盘还贵..........价格便宜30%以上，大容量SSD才值得买TLC。
至于手机，我不认为手机里面的均衡擦写算法能比得上SSD里面的专用主控，所以一直回避三星手机。
apple的做法很很打了很多人的脸，那些扯TLC一样好用的人，难道你比apple的工程师还专业！ 本帖最后由 岳耳 于
08:04 编辑
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东芝闪存好。三星相对差一些。
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风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，你要写入32T的数据，每天写10g数据，一年也才3T多。你算算你要多少年才用完。
实际上TLC出来后有专门机构个人做了大量试验，比如，256g的硬盘，写了8000多t。
实际上最开始是slc，但是成本太高，于是发展了mlc，开始的时候也是骂声一片，说性能底下，寿命短。但是没过多久mlc基本取代了slc，速度也全面超越了slc。tlc出来又是这个说法。其实现在半导体工艺材料进步很大的，寿命只升不降，性能也在提升。下一步还在发展qlc。
所以如果你打算一部手机用10年，而且每天10g的数据量，应该能用废掉这个闪存。同意
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老郭 发表于
写入数据并不是你往里面存的数据那么简单，更大量的写入数据是程序在运行过程中各种临时文件，系统内存交换文件等操作。。。有分配机制的，想写挂TLC没那么容易，更多的是心理作用。
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老郭 发表于
写入数据并不是你往里面存的数据那么简单，更大量的写入数据是程序在运行过程中各种临时文件，系统内存交换文件等操作。。。不懂就问：手机的写入量能有那么大？
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风舞狂沙 发表于
别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，...写入数据并不是你往里面存的数据那么简单，更大量的写入数据是程序在运行过程中各种临时文件，系统内存交换文件等操作。。。
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要装软件？
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还是心理上过不去吧？其它牌子谁还在乎这个？大部分用户谁关心这个？
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别被吓着了，TLC用在硬盘上都好多年了，也没有见到大规模的质量事故和寿命到期。
你手机如果是64g的，那么按最保守的估计500次完全写入，你要写入32T的数据，每天写10g数据，一年也才3T多。你算算你要多少年才用完。
实际上TLC出来后有专门机构个人做了大量试验，比如，256g的硬盘，写了8000多t。
实际上最开始是slc，但是成本太高，于是发展了mlc，开始的时候也是骂声一片，说性能底下，寿命短。但是没过多久mlc基本取代了slc，速度也全面超越了slc。tlc出来又是这个说法。其实现在半导体工艺材料进步很大的，寿命只升不降，性能也在提升。下一步还在发展qlc。
所以如果你打算一部手机用10年，而且每天10g的数据量，应该能用废掉这个闪存。
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