我的iphone tlc6是tlc 芯片的,怎么办?

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PP助手:看看iPhone6“闪存门”你中枪了吗?
关键字:PP助手 TLC iphone6 闪存门 终端
  早前,曾有用户反映128GB的iPhone6 Plus以及部分64G的iPhone6遭遇死机、卡顿、崩溃等问题,据了解这与使用了Anobit的TLC闪存有关,而其它使用了MLC闪存的设备却没事。虽然没有正面回应此事,但事实上“闪存门”引起的质量问题已经引起了苹果的恐慌,来自韩国媒体消息,苹果正考虑改变闪存芯片供应商,在新款和Apple Watch中使用生产的元器件。
  显然果粉们都会在意自己的iPhone6是使用TLC还是MLC,但怎么样才能知道自己有没有“中枪”呢?今日,PP助手将带你探个究竟!
  TLC和MLC的区别
  TLC指的是Trinary Level Cell,是固态NAND快闪器的一种,价格便宜,它的数据存储量是SLC存储器的3倍,是MLC存储器的1.5倍。但TLC仅有约1000次擦写寿命,MLC则有约次,使用TLC的iPhone6在开机、加载程序等环境要比MLC慢约时间,这些时间可能在长期使用磨损后才会被察觉。虽然影响细微,但价格昂贵的iPhone6却使用价格低廉的TLC闪存芯片,这才是让许多果粉难以接受的。
  (图1:TLC和MLC规格对比)
  如何检测iPhone6闪存类型
  如果你刚好入手了128GB的iPhone6 Plus或64GB的iPhone6,要怎么样才能知道闪存类型是TLC还是MLC呢?PP助手在这里给果粉们带来一个简单的检测方法,iOS8越不越狱都能用,iPhone6用户不妨来检查一下吧。
  1.将闪存检测安装到iPhone6中,下载地址:/thread--1.html
  (图2:安装闪存检测工具)
  2.安装完成后,打开软件会看到当前 Root 目录下的一些信息。由于我们要查看的信息路径很深,可以输入关键字“bits-per”进行搜索,点击出现的路径直至信息显示。(具体路径为:Root&NXXAP&AppleARMPE&-io&AppleT7000IO&ans&AppleA7IOPV1&AppleCSI&asp&ASPStorage)
  (图3:路径查询)
  3.查看显示信息default-bits-per-cell后面的数字,“2”就是MLC,“3”则为TLC。在下方的信息中还能查看到闪存芯片归属的品牌,SNDSK为闪迪,HYX为海力士,T开头则为。
  TLC只是一种存储单元的设定模式,在达到它的寿命之前一般不会产生任何问题,苹果估计也不会因为此事就召回。既来之则安之,PP助手的建议是不妨积极参与Apple Care的延保服务,尽可能延长你的iPhone6的保修期。当然,如果你是刚买的手机,恰巧又检测到是TLC闪存,可以享受新机14天内免费退换机服务。
  (图4:PP助手)
  果粉对设备性能配置的高要求,无非是为了能获得更极致的玩机体验,iOS设备的精彩少不了软件游的呈现。PP助手(/ppwin)网罗了最新最火的iOS应用,百万资源免费高速获取,完美兼容iPhone6/6 Plus和iOS8,不管设备有没有越狱,你在这里找到不可错过的精彩。
[ 责任编辑:ll ]
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TLC闪存颗粒为什么不好?
来源:作者:佚名责编:弥尘
苹果在目前的64GB/128GB /机型中使用了SK Hynix,Toshiba和SanDisk的TLC闪存芯片,而这被认定为iPhone 6频繁闪退,重启死机的主因(官方未承认)。那么什么是TLC呢?TLC是一种闪存颗粒的存储单元,它的英文是TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell。在TLC发明之前,固态硬盘大部分采用SLC和MLC,即Single-Level Cell单层单元和Multi-Level Cell多层单元。早在去年三星840evo固态硬盘就采用了TLC芯片,后来被发现存在老数据读取速度下降的问题,三星坚称,问题源于闪存管理算法失误,并不是TLC闪存颗粒的毛病。目前来说,大部分的固态硬盘采用MLC颗粒,极少高端的产品采用SLC颗粒,因为价格的问题部分入门级固态硬盘采用了TLC颗粒。从成本采购上来看,TLC的价格相对于MLC来说要便宜不少,更别提是SLC。为什么TLC不好呢?在小编之前的测试中,尤其是固态硬盘的读写速度上,采用TLC芯片的三星840evo和采用MLC的金士顿在读取速度方面几乎都超过了180MB/s,从简单的速度测试上两者的性能并没有差。但其实工作原理决定着TLC有致命的硬伤。寿命存取原理上SLC架构是0和1两个充电值,即每Cell只能存取1bit数据,有点儿类似于开关电路,虽然简单却非常稳定。MLC架构可以一次储存4个充电值(00, 01, 10, 11),因此拥有比较好的存储密度,TLC能一次性存储8个充点值(000, 001, 010, 011, 100, 101, 110, and 111),因此密度更高,当然成本更低。寿命问题就是因为它的工作原理上:当你要写入数据,需要在控制栅极施加电压,而源极和漏极的电压都为0V。电压形成一个电场,这样电子就可以通过二氧化硅这层绝缘体从N通道进入到浮点栅极。这个过程通常也被成为“隧穿”。想要删除存储单元,需要在P型半导体施加电压并且保持控制栅极的电压为0。电场形成后电子就可以通过二氧化硅层。这就是NAND闪存在重新写入新数据之前必须要删除原来数据的原因:你必须要先把原来的电子释放掉,然后才能重新进入电子。问题是二氧化硅绝缘层的厚度只有10纳米的厚度,它并不是永不磨损的金刚之躯。在每一次的“隧穿”之后,它都会有磨损。当二氧化硅最终破损后,原子键破裂。SLC能够容忍更多的电压状态的变化,因为它本身只有两种电压状态。但是在TLC闪存中,存储单元中有八种电压状态,这样硬盘的容错能力就十分有限了。这正是问题所在,SLC闪存拥有更大的电压空间,因此它能够容忍跟高的电压峰值变化,直到整个Block因为擦除数据过慢而停止工作。这就是SLC闪存拥有更高擦写次数的原因。用户可以删除或者写入数据的次数要更长。而TLC的电压容忍率最低,因此TLC闪存的擦写次数自然最低。所以目前大多数的TLC的写入次数只有1000次左右。耐用性(寿命)正是TLC的致命软肋。当然寿命可以通过控制芯片校验和智能磨损平衡技术算法,使得每个存储单元的写入次数可以平均分摊,但对于TLC而言这还不足够好。依旧再用840evo举例,国外有达人做个一个耐用性测试,编程/擦写循环(P/E)次数大概是1064次,也就是说250GB的终生数据写入量也就在270TB左右。▲三星840系列使用的是自家的21nm制程ToggleDDR2.0TLC闪存颗粒128GB iPhone 6就算你用三年,你能写入数据达到130TB吗?这或许就是胆大的苹果敢使用TLC的主要原因。不过据说,苹果最近也在考虑更换TLC闪存的事情,当然一切还没有最终的消息。
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苹果正谋求解决iPhone6 TLC闪存问题 准备与三星合作
|作者:数码猫|来源:265G
很多用户在购买了大存储空间的和 Plus之后,普遍反应存在应用频繁闪退、重启甚至死机的问题,有消息称这些问题的元凶就是苹果采用的廉价TLC闪存芯片。据韩国商业网站BusinessKorea报道,苹果目前正在与三星协商,希望三星为苹果iPhone 6/6 plus和Apple Watch提供元器件。协商重点是希望三星为iPhone 6/6 Plus提供闪存芯片,并取代原先使用的问题频繁的TLC闪存芯片。此外,苹果也希望三星能为之提供iPhone 6电池以及在Apple Watch中使用的特制芯片。苹果在目前的64GB/128GB iPhone 6/6 Plus机型中使用了SK Hynix,Toshiba和SanDisk的TLC闪存芯片(相对廉价的闪存芯片),而这被认定为iPhone 6频繁闪退,重启死机的主因。鉴于之前与三星的法律纠纷,苹果一直试图在iOS设备中减少对三星组件的依赖,显然苹果可能正在改变主意。据报道,苹果同时也在协商,希望三星为其制造在下一代iPhone中使用的14纳米制程A系列芯片。有消息称,目前和 Plus手机当中,有部分64GB和128GB的型号采用了不稳定的TLC闪存芯片,苹果目前还没有公布针对这部分/6Plus的解决办法。
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一些用户的iPhone 6 Plus(128GB)遭遇频繁死机,可能是TLC NAND存储器控制IC的缺陷问题,虽然存容量更多,但是读取/写入的速度比较慢,而很多用户都检测到自己购买的iphone6 plus内存是tlc,那么怎么办呢?究竟 TLC 对你手机的影响到底有多大?下面我们一起来看看吧
基于最近网上暴出苹果的 iPhone6 Plus 128G 的出现无故死机重启的现象,从而有人发现 iPhone6 64和128G 容量的手机部分采用的闪存存储类型为 TLC 的,随即还有人在网上做了采用 MLC 与 TLC 内存的性能、稳定与速度的测试,结果说明 TLC 的性能与稳定性都不如 MLC 内存。因此很多购买了大容量的 iPhone6 手机的小伙伴,在检测了自己的 iPhone6 以后,发现是 TLC 以后,心情突然变得不好了。这里算是为大家开导一下,究竟 TLC 对你手机的影响到底有多大,有没有必要担心你的 iPhone 会出问题?
1、有的小伙伴在看到网上的一些关于 TLC 的评测以后,内心充满想要去换机的念头。就目前而言,苹果并未对闪存为 TLC的可以更换作出任何回应。如果你只是想凭此去更换机器的话,结果很明显。当然,如果你的 iPhone6 正好遇到有其它的硬件性能故障的话,那恭喜你,你可以去找苹果售后重新更换一部手机。如果更换回来的手机依然是 TLC 闪存的话,那估计这位小伙伴会疯掉的。
2、此外,有的小伙伴在看了网上的有关 TLC 闪存的报道以后,突然之间,感觉自己的 iPhone6 开始卡顿了。其实个人认为这是一个心理作用,我的 iPhone6 64G 为 MLC 闪存,在平时使用时,也会遇到卡顿的情况。所以说,就卡顿而言,并不是只有在 TLC 上才出现,其它闪存类型上也会出现。其实,卡顿的话,一是跟你当前运行的应用有关系,二是跟苹果的系统优化有一定的关系。
3、另外,有的小伙伴会相信网上的关于 TLC 使用寿命短的传言,只能写入500次数据,心理顿时一片灰暗,进而加深自己对于采用 TLC 闪存的 iPhone6 手机不好的认定。
4、上面说了这么多,可能很多小伙伴还是会坚决地认定 TLC 闪存不是不好。总结为二点,一是性能不好,二是寿命短。如果你也是这样的想法,请大家继续往下看一些关于闪存存储方面的相关知识。正所谓,不到黄河不死心。
5、先向大家简单说下闪存存储的大体结构,它是由闪存颗粒芯片与主主控芯片组成的。从闪存芯片的寿命来讲,SLC&MLC&TLC这是不争的事实,但除了闪存自身的寿命而言,主控芯片对闪存的寿命有不可忽视的作用。
6、主控芯片的使命就是平均所有闪存单元的写入次数,从而延长它的寿命。所以主控芯片的算法在此时对于当前的闪存而言,就变得极为重要。可能有的小伙伴不太明白前面说了一些什么?举一个(个人认为)比较形象一点的例子,你现在有二个杯子,每个杯子可以使用3次,总共可以使用6次。
如果你是一次性地使用一个杯子3次,那第一个杯子也就不能使用了,也就意味着它的寿命很短,就好比大家说的 TLC 闪存寿命短一样。如果你是二个杯子换着用,这样的结果使得二个杯子的使用寿命都得以延长。对于手机上的闪存而言,很少有人会把它全部用完,主控芯片会根据自身的优化算法,尽量使用所有闪存单元(如之前例子中的杯子)达到平均的使用次数。
由于闪存容量大了以后,有数以万计的存储单元,而并不是向我们之前例子中只有二个杯子,在经过主控写入优化以后,均衡对闪存存储单元进行写入,这样就会大大延长它的使用寿命。其实,当有了主控芯片的优化写入以后,在我们向手机写入500次以后,平均到闪存存储单元的次数会远远小于500次。
7、所以闪存在实际的使用过程中,大多数情况是主控芯片坏了,闪存还没坏,无论机器用的是 MLC 也好,还是 TLC 也罢,一旦负责闪存读写的主控罢工,手机都会坏掉。一块闪存的寿命在理论上大概是在10年左右,试想一下,你的一部 iPhone6 会使用10年么?当前人们更换手机的速度,有一年一换的,最多也就不过三四年一换。对于这样的更换手机周期的速度来算,无论是 MLC 还是 TLC 闪存,你都不要不必去担心它的寿命。
以上就是关于iphone6 plus内存是tlc 怎么办的相关介绍,大家看完之后应该不用再担心了吧,希望这篇文章对大家有所帮助!}

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