ADS导入Hspice模型_百度文库
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ADS导入Hspice模型
A​D​S​中​导​入​H​s​p​i​c​e​的​N​M​O​S​F​E​T​模​型​。
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已知电路的S参数和电路模型，ADS中如何提取电容电感值
已知电路的S参数和电路模型，ADS中如何提取电容电感值
中比如已知电路模型和该电路的S参数，电路中的电容电感值如何确定？
有没有参数提取的功能？
利用ADS里的优化来拟合,构造电路模型,设置初值和S参数优化,优化的目标为该电路的已知S参数某个范围.
简单啊，把你要等效的由电容和电感构成的等效电路画出来，再把电容电感值设成优化变量，然后加上端口，然后把电路的S参数 和S参数文件的S参数进行比较，基本相同就可以了。也就把abs(S11电路－S11文件)=0 和 abs(S21电路－S21文件)=0作为优化目标就可以了。这是比较直观的办法。
用优化吧 就是那个黄色的叉子！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请学习由易迪拓培训专家讲授的。
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请问怎么把ADS中生成的S参数文件导入到cadence中
请问怎么把ADS中生成的S参数文件导入到cadence中
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[通过 QQ、MSN 分享给朋友]在ADS中S参数可以仿真噪声系数吗_52RD研发论坛
在ADS中S参数可以仿真噪声系数吗yuhenzcz Post at
15:03:30最近在仿真LNA了,发现当仿真噪声系数时和实际偏差较大在软件上有nf1和nf2两个端口,一般情况下nf1应为1点几个DB,而实际仿真中都达到了二十几个DB,简直不可思议,而且在仿真过程中有出现温度不对的警告,说是IEEE标准是在16摄氏度,而在.S2P文件中所声称是25摄氏度,不知道是不是这个地方出问题了,晚上把.S2P文件和仿真曲线上传上来,请大家帮以解决,谢谢.hi9903 Post at
17:38:40S参数可以仿真噪声系数!!!看噪声的时候用nf(2)不要看nf(1)yuhenzcz Post at
20:23:24以WORD形式上传附件,及要仿真的结果,可nf(2)也不对了,结果很小了,哈哈望各位达人给以解决,谢了【文件名】:RD_ADS仿真噪声的时候出现的相关问题.doc【格　式】:doc【大　小】:67K【简　介】:【目　录】:本帖有附件，需进入详细页面下载&yuhenzcz Post at
20:24:23仿真时所用到的.s2p文件yuhenzcz Post at
20:26:14.S2P后缀好像不行了,改成TXT形式的,导之前要改过来了yuhenzcz Post at
20:27:57.S2P后缀好像不行了,改成TXT形式的,导之前要改过来了【文件名】:RD_BF3V08M0(2).txt【格　式】:txt【大　小】:4K【简　介】:【目　录】:本帖有附件，需进入详细页面下载&kevin001 Post at
22:06:26仿真噪声系数看nf（2）和NFmin就可以了，首先找到Sopt,即最小的噪声系数点，然后在Smith圆图中做出大致的输入输出匹配电路，然后Tune&或者优化即可温度告警的问题，在S参数面板Option中把25改成16.85即可求助求助！！！不知道S参数的情况下，关于ADS仿真功率放大器中晶体管参数设定问题。_百度知道
求助求助！！！不知道S参数的情况下，关于ADS仿真功率放大器中晶体管参数设定问题。
小弟新手，刚刚使用ADS软件，用来仿真功率放大电路穿触扁吠壮杜憋森铂缉，但是发现晶体管的参数不好设定， 我用的是BLF175， 厂家数据没有我要的甲类工作条件下的S参数，所以我想问问有没有其他的方法设定晶体管的参数？？？？？？？？？？（比如寄生元件什么的)还有一个小问题，我在ADS里面找不到4：1的传输线变压器？？因为我做的是宽带功放路过的大虾和高手一定要帮帮小弟啊，我找了很久了。。。
说一下设计指标穿触扁吠壮杜憋森铂缉：工作频带2-30MHz输出功率10W增益30dB要求用甲类放大线性度和噪声要求较高对效率无要求。。。
提问者采纳
厂家没给的话只能自己测量，但是购买fixtur穿触扁吠壮杜憋森铂缉e会花费很多钱，而且需要VNA。建议邮件联系厂家索要S参数。
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求助求助！！！不知道S参数的情穿触扁吠壮杜憋森铂缉况下，关于ADS仿真功率放大器中晶体管参数设定问题。 悬赏分：50 - 离问题结束还有 14 天 13 小时 小弟新手，刚刚使用ADS软件，用来仿真功率放大电路，但是发现晶体管的参数不好设定， 我用的是BLF175， 厂家数据没有我要的甲类工作条件下的S参数，所以我想问问有没有其他的方法设定晶体管的参数？？？？？？？？？？（比如寄生元件什么的)还有一个小问题，我在ADS里面找不到4：1的传输线变压器？？因为我做的是宽带功放路过的大虾和高手一定要帮帮小弟啊，我找了很久了。。。 问题补充：说一下设计指标：工作频带2-30MHz输出功率10W增益30dB要求用甲类放大线性度和噪声要求较高
分布式放大器能提供很宽的频率范围和较高的增益。有一段时间，其设计通常采用传输线作为输入和输出匹配电路。随着砷化镓(GaAs)微波单片集成电路的发展成熟，为了提高效率、输出功率、减小噪声系数，人们提出了很多种放大器电路类型，但是分布式放大器仍然是宽带电路(如光通信电路)的主流设计。理解砷化镓微波单片集成电路GaAs MMIC分布式放大器的设计，对很多宽带电路的应用都会有很大的帮助。约翰·霍普金斯大学从198?年开始就开设了MMIC设计课程，并在让学生在TriQuint公司的产线上流片。一款由Craig Moore(从198?年到2003年，他一直担任该课程的助教)设计的分布式放大器作为该课程一个经典的设计例子。该设计甚至经历了低温环境实验，在液氮的低温下表现出更低的噪声系数。该放大器采用TriQuint公司的0.5μm GaAs MESFET工艺，其增益比基于0.5μm GaAs伪高电子迁移率晶体管PHEMT的新电路略低，2006年的新课程中则采用了新版本的0.5μm GaAs PHEMT分布放大器和一些其他电路作为例子。本文将介绍宽带放大器的设计方法以及仿真和实测的结果。
图1：采用微带传输线的分布式放大器电路结构图。
分布式放大器使用宽带传输线给一组有源器件注入输入信号(如图1)，同时另一条并行的传输线用于收集各个有源器件的输出信号，并将其叠加。每一级提供相当的增益，但是增益分布在一个很宽的频率范围内。和级联设计相比，总增益是各级增益之和，而不是各级增益的乘积。但使用集总参数元件来近似分布式传输线时(如图2)，集总参数传输线的到地并联电容，被晶体管的寄生电容代替。集总参数元件的等效传输线作为一个低通滤波器使用，其截止频率和晶体管的寄生电容成反比。因此晶体管的尺寸直接决定了电路的工作频率上限。设计总要综合考虑的各种参数包括：放大器的级数、有源器件的尺寸、器件的工艺类型(如果有多种类型)以及每一级的直流偏置。更多的级数意味着更大的增益-带宽积，但是也会引入更大的功耗。一旦晶体管的尺寸确定，就可以使用仿真软件来优化增益、反射系数、输出功率和噪声系数等各项参数。
图2：采用集总参数元件的分布式放大器电路结构图(其中CGS和CDS分别表示栅电容和漏极电容)。
由于分布式放大器的应用场合很多，对各项性能指标的要求很灵活，宽带增益是其中最重要的一项指标。在Craig Moore这个设计例子中，采用了增强型PHEMT器件，因为增强型器件只需要一组正电压供电。为了能提供和198?年TriQuint半导体公司采用的0.5μm GaAs MESFET工艺的电路相同的性能，该设计采用了0.5μm GaAs PHEMT工艺，并且使用3级晶体管放大拓扑。为了适应电池供电的应用，选用3.3V电压。当然为了满足不同的客户需求，工作电压和电流可以方便的在较大范围内调节。在1.5V和14mA的供电下，仿真结果显示：仅损失了2dB增益，并且栅电压在1.5V到5.0V，漏极电流在14~35mA之间变化时，性能的变化也很小。为达到最佳增益、匹配性能，采用安捷伦?司的计算机辅助工程软件ADS进行线性仿真，确定合适的电感值、PHEMT尺寸。
图3：PHEMT分布式放大器的匹配、增益、噪声系数和稳定因子的仿真结果。
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