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电子元器件应用可靠性和失效分析技术
主办单位：上海普瑞思管理咨询有限公司& 上海创卓商务咨询有限公司
日期地址：-25日 广州
培训费用：2800元/人（含培训费、资料费、午餐、税费等）
什么是？什么是Pof（失效物理学）？可靠性工程为何会演进到以Pof为主导？在严酷的竞争环境中如何权衡可靠性与经济性的得失？过时的技术为何会误导设计团队？
本讲座以Pof为核心技术脉络，点出产品可靠性形成与延续的若干要素，提出可靠性分析的着力点，给出可靠性分析的核心技术方法与工具，将设计、物料、制造、试验、认证、数据分析中的可靠性要点有机地串连起来，阐述以国际标准化的活动为实施载体推进可靠性工程的途径。
本讲座以1000个分析案例的统计归纳为基础素材，发布最新的电子产品失效模式分布、各类元器件的失效机理和应用对策。通过80个案例的演绎，结合讲师多年的工程实操经验，理论联系实际，深入浅出，充分调动学员的学习兴趣。有助于全面建立管理和技术人员的可靠性大局观，提高认知水平，掌握解决实际技术问题的技能和方法。
本讲座曾在国内多家品牌公司举办，受到高管和技术人员的欢迎。
了解可靠性技术的演变，掌握失效物理方法的概念和工程应用途径
了解电子产品前沿可靠性分析的基本概念、新的侦测分析方法和手段
学习失效模式影响分析（FMEA）方法，提早发现可靠性问题途径
了解失效分析技术的发展状况、在现代可靠性工程中地位与价值
学习失效分析的基本概念、标准和应用
元器件应用可靠性精选案例研习
企业对象：电子产品研发制造企业
人员对象：电子技术创新行业的高级管理人员、产品研发设计师、工艺师、质量师和可靠性师、失效分析技术人员
2.0天~3.0天
1．元器件应用可靠性
1．1可靠性工作的目的
控制产品失效
平衡可靠性与经济性
1．2可靠性的概念和术语释疑
半个多世纪的技术变迁
术语，影响工作态度的术语
可靠性技术的理论基础，失效物理学
失效物理学vs传统可靠性理论
1．3失效机理知识库
典型失效机理若干种
寿命模型若干
1．4可靠性工作的核心途径和入手点
故障（潜在故障）-机理分析-改进措施-验证-文件化
故障析出点：从研制、生产、流通、外场使用等环节析出故障，分析产品发生的故障的原因。
故障诱发因素：从电磁环境、机械和气候环境、生物环境、生产环境和人文环境等分析诱发产品失效的因素。
产品的内部不稳定性：参数漂移、EMC、潜在通路、元器件老化、生产工艺等。
1．5元器件失效模式和应用对策
半导体分立器件、集成电路、封装组件、元件的失效模式分布
元器件选择和应用对策
寿命问题案例
1．6可靠性设计评审和FMEA案例
设计评审的议程、准备和实施
FMEA分析方法
人之间的那些琐碎事儿
失效分析技术
2．1失效分析纲要
失效分析的流程
方案设计的要点
研究失效问题的工具
2．2非破坏性分析
显微镜的使用要点
I-V特性分析，可靠性敏感参数的概念和案例
PIND和检漏
X-ray和C-sam
2．3半破坏性分析
开封和IVA技术
静态内部检查，SEM和EDS原理与应用
加载内部检查，微探针、红外热像、电压衬度像、电子束探针、光发射显微成像
2．4破坏性分析
去处钝化层技术
金相切片技术
2．5先进分析技术清单
3．失效分析典型案例
电路设计缺陷引起的失效
过电损伤失效
热应力失效
机械应力损伤失效
电腐蚀失效
热结构缺陷引起过热失效
组装缺陷失效（微波组件失效特点的统计分析）
张晓明，广州然因普电子科技有限公司高级咨询师，中国赛宝实验室可靠性分析中心顾问。具有25年电子行业工作经验，16年可靠性研发和技术推广工作，技术机构13年管理经验，政府机构和品牌企业的高级顾问。领导的团队十多年来为上千家企事业单位提供可靠性分析、改进和可靠性体系建设的技术服务
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Copyright 2004 All right reserved() 沪ICP备号来源：《电子产品可靠性与环境试验》2002年第01期 作者：
日本对铅焊接导致接合不良的失效机理进行研究
最近，采用无铅焊接法焊接印制板上的插入元器件时发生的特有的接合不良问题，已开始引起高度重视。据称，除了发生焊剂从衬底的铜箔（接合面）处分离的现象以外，有时接合面与衬底之间、甚至衬底内也会发生分离现象。日本电子机械工业协会曾于日在日本东京召开的“无铅焊接分离现象评价试验报告会”上，就接合不良的实际情况作过专题报告。 该协会采用Sn－Ag－Cu系列和Sn－Ag－Bi－Cu系列等4种无铅焊剂，把端子上进行了电镀Sn等无铅电镀的连接器、变压器和LSI等器件焊接在衬底上，通过温度循环，在加速试验后，用显微镜等仪器设备观察焊接部位。在Bi添加量多达4％的Sn－Ag－Cu系列焊剂中，端子如不电镀，则分离现象的发生率就特别高，例如，在分量很重的变压器中，经过100个循环后，分离现象的发生率高达90％以上。采用 Sn－Ag－Cu系列的焊剂焊接时，有时接合面与衬底之间、甚至衬底内也会发生分离现象。但是，目前还没有找到完全可以控制这些不良问题的方法。 该协会计划今后仍将继续进行有关分离现象的发生机理及其防止措施、连接可靠性等方面的研究、实验和评价。日本对铅焊接......(本文共计1页)
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电子产品可靠性与环境试验
主办：工业和信息化部电子第五研究所
出版：电子产品可靠性与环境试验杂志编辑部
出版周期：双月
出版地：广东省广州市加载中，请稍候...
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微纳米MOS器件可靠性与失效机理
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《微纳米MOS器件可靠性与失效机理》主要介绍了微纳米MOS器件的失效机理与可靠性理论，目的是在微电子器件可靠性理论和微电子器件的设计与应用之间建立联系，阐述微纳米MOS器件的主要可靠性问题和系统的解决方法。全书论述了超大规模集成电路的可靠性研究现状，提出超大规模集成电路面临的主要可靠性问题；描述了微纳米MOS器件的主要失效机理和可靠性问题，以及上述各种失效机制的可靠性加固方法等，也是作者十余年在该领域从事的科学研究和国内外相关研究的部分总结。
《微纳米MOS器件可靠性与失效机理》可作为微电子专业高年级本科生以及研究生的教学参考书，对从事微纳米MOS器件可靠性和集成电路设计与研究的科学家和工程师也有重要参考价值，信息领域等其他专业的科技人员也可从《微纳米MOS器件可靠性与失效机理》中了解微电子可靠性技术的进展和一般的分析方法。
序前言第1章
VLSI发展与可靠性研究进展1.1
VLSI的发展规律1.2
VLSI的主要可靠性问题1.3
VLSI的可靠性研究现状1.3.1
微纳MOS器件的热载流子效应1.3.2
微纳MOS器件的NBTI效应1.3.3
SOI器件的可靠性问题1.3.4
超薄栅氧化层介质的可靠性1.3.5
静电损伤和闩锁效应1.3.6
ULSI中铜互连可靠性相关技术1.3.7
非挥发性存储器的可靠性1.3.8
等离子体工艺的可靠性1.3.9
封装与装配可靠性1.3.10
微电子机械系统和化合物半导体可靠性1.3.11
VLSI失效分析技术1.3.12
VLSI可靠性仿真技术参考文献第2章
微纳米MOS器件的热载流子效应2.1
MOS器件的热载流子效应2.2
微纳MOS器件的热载流子效应2.3
动态应力下MOS器件的热载流子效应2.4
热载流子效应的测量和表征技术2.4.1
电流-电压特性测试2.4.2
电荷泵测试2.4.3
衬底热载流子效应测试2.5
nMOS器件的衬底电流和沟道电流分布建模2.5.1
幸运热载流子模型2.5.2
沟道电流和衬底电流的二维分布建模2.5.3
沟道电流和衬底电流二维分布模型的计算与比较2.6
nMOS器件的栅电流分布建模2.6.1发射电流和栅电流分布模型2.6.2
nMOS器件的电子栅电流分布建模2.6.3
nMOS器件的空穴栅电流分布建模2.6.4
模型涉及参量的修正与选择2.6.5
发射电流和栅电流的分布特性2.7
nMOS器件的高温热载流子退化2.7.1
nMOS器件的高温热载流子退化2.7.2
pMOS器件的高温热载流子退化2.7.3
标准0.18umCMOS工艺的高温可靠性测试标准2.8
超深亚微米LDD
MOS器件模型2.8.1
nMOS器件的本征电流、电压特性模型2.8.2
nMOS器件的源漏串联电阻模型2.8.3
亚阈区模型2.8.4
模拟结果与分析参考文献第3章
MOS器件的热载流子损伤特性及物理模型3.1
pMOS器件损伤电子栅电流模型的建立及验证3.1.1
电子栅电流模型的建立3.1.2
电子栅电流模型的验证3.2
模型揭示的器件损伤特性3.2.1
陷入电子电荷分布特性3.2.2
损伤电子栅电流分布特性3.2.3
应力期间电子栅电流的拐角特性3.3
建立器件寿命物理模型的必要性3.4
界面态产生动力学模型新解3.5
pMOS线性区器件损伤与寿命的物理模型3.5.1
线性区漏源电流表征的器件损伤与寿命3.5.2
线性区跨导表征的器件损伤与寿命3.6
pMOS饱和区器件损伤与寿命的物理模型3.6.1
饱和区漏源电流表征的器件损伤与寿命3.6.2
饱和区跨导表征的器件损伤与寿命3.7
注入电荷总量表征的pMOS器件寿命物理模型3.8
热载流子效应诱生的nMOS器件损伤……第4章
超薄栅氧化层的经时击穿效应第5章
微纳米MOS器件的NBTI效应第6章
微纳米MOS器件的耦合效应第7章
等离子体工艺及诱生的器件失效第8章
CMOS器件的ESD与损伤机理第9章
ULSI中铜互连可靠性相关技术第10章
微纳米MOS器件的可靠性加固方法第11章
VLSI可靠性评价与估计
VLSI发展与可靠性研究进展
VLSI的发展规律
超大规模集成电路（VLSI，very
integration）无论从其发展速度和对人类社会生产、生活的影响，都可以说是科学技术史上空前的，集成电路技术已经成为整个信息产业的基础和核心。在全球信息产业飞速发展，知识经济初见端倪，现代化建设中尖端技术不断涌现的今天，集成电路技术比以往任何时候都显示出其重要的战略意义。集成电路的发展已经成为推动国民经济增长的动力之一，集成电路的可靠性也已经成为集成电路发展的重要指标。
信息技术是国民经济的核心技术，它服务于国民经济各个领域，微电子技术是信息技术的关键。整机系统中采用集成电路的多少是其系统是否先进的直接表征在集成电路产业中，硅技术是主流技术，硅集成电路产品是主流产品，占集成电路产业的90%以上。正因为硅集成电路的重要地位，世界各国都很重视，因而竞争异常激烈。21世纪初，微电子技术仍以尺寸不断缩小的硅基CMOS工艺技术为主流，化合物半导体和其他新材料研究及其在某些领域的应用尽管取得了很大进展，但远不具备替代硅基工艺的条件。硅集成电路技术发展至今，全世界数以万亿美元的设备和技术投入，已使硅基工艺形成非常强大的产业能力，长期的科研投入也使人们对硅及其工艺的认识更加深入。硅集成电路的产业能力和知识积累决定了硅基工艺起码将在100年内起主要作用，未来硅微电子技术的三个主要发展方向是：第一，特征尺寸继续等比例缩小，65~~45nm工艺技术已经开始了大规模生产，10nm栅长的晶体管甚至更小的纳米器件已经实现。不过，到目前为止仍然没有找到能更好的代替CMOS的大规模集成电路的新型器件结构。第二，集成电路将发展成为系统芯片SOC，多核和多结果及欧融合已经是发展趋势。第三，微电子技术与其他领域相结合将产生新的产业和新的学科，如MENS、DNA芯片等。
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收藏 查看&失效物理本词条缺少名片图，补充相关内容使词条更完整，还能快速升级，赶紧来吧！
失效物理 failure physics/ physics-of-failure 研究电子产品在各种应力下发生失效的内在原因及其机理的科学，又称。外文名&failure physics/ physics-of-failure内&&&&容电子产品失效原因机理科学
观测各种失效现象及其表现形式（失效模式）与促使失效产生的诱因（应力，包括工作应力、环境应力和时间应力）之间的关系和规律；在原子和分子的水平上探讨、阐明与电子元件和材料失效有关的内部物理、化学过程（失效机理）；在查清失效机理的基础上，为排除和避免失效、提高电子产品的可靠性提出相应的对策。①扩散（体扩散、表面扩散）；
②晶体结构缺陷（缺位、多余原子、位错等）的迁移和扩展;
③材料的形变和破坏(弹性形变、塑性形变、蠕变、脆性断裂和延性断裂等);
④氧化和腐蚀（电腐蚀、化学腐蚀）；
⑤原子、分子内部结合力的变化；
⑥老化（光老化和热老化等）；
⑦机械磨损。①调查失效产品和收集失效数据：其中包括失效时间、失效时产品所处的环境、应力情况或工作条件、失效现象的观察和记录等。
②鉴定失效模式：对所观测的失效现象进行鉴别分类，明确它可能同产品的哪一部分有关。
③描述失效特征：以相应的形状、大小、位置、颜色、化学组成或金相、机械结构、物理或电性能等形式，科学地表征与失效模式有关的失效现象或效应。
④失效机理假设：根据失效特征，结合材料性质、制造工艺和产品设计理论以及实践经验，提出可能导致这种失效模式产生的内因和外因，从分子、原子的观点阐明或解释其具体的物理、化学过程。
⑤验证：通过有关实验，验证失效机理假设的正确性。若假设不正确，则重新假设另一种失效机理，再予以验证。
⑥反馈和纠正措施：将失效分析结果及时反馈到设计和制造部门，同时提出可能采取的纠正措施。
失效物理的研究和分析需要采用多种分析方法和使用多种仪器设备。每种方法只是对失效产品的某一方面起作用；因此,为了从同一失效样品取得更多的信息,以便互相补充和证实，更准确地确定样品失效的真正原因，往往需要同时采用几种分析方法。分析方法的选择原则是先进行非破坏性分析，后进行破坏性分析，既要防止掩盖导致失效的迹象或原因，又要防止引进新的非固有的失效因子。
新手上路我有疑问投诉建议参考资料 查看作者:Abhijit Dasgupta, Michael Pecht and Ji Wu 美国马里兰大学 CALCE 电子..
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失效机理与分析
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&embed src='/DocinViewer-4.swf' width='100%' height='600' type=application/x-shockwave-flash ALLOWFULLSCREEN='true' ALLOWSCRIPTACCESS='always'&&/embed&
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